技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種GaAs?Ge?GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管及其制備方法。該制備方法包括：(a)選取GeOI襯底；(b)刻蝕所述GeOI襯底的頂層Ge層以在所述頂層Ge層內(nèi)形成第一溝槽和第二溝槽；(c)在所述第一溝槽和所述第二溝槽內(nèi)淀積GaAs材料；(d)利用離子注入工藝對所述第一溝槽內(nèi)的GaAs材料進行P型離子注入形成P型有源區(qū)，對所述第二溝槽內(nèi)的GaAs材料進行N型離子注入形成N型有源區(qū)；(e)在所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)表面形成引線孔并濺射金屬形成所述GaAs?Ge?GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的SPiN二極管。本發(fā)明實施例利用深槽隔離技術(shù)及離子注入工藝能夠制備并提供適用于形成固態(tài)等離子天線的高性能Ge基SPiN二極管。

技術(shù)研發(fā)人員：王斌;蘇漢;王禹;胡輝勇;楊佳音;張鶴鳴;宋建軍;舒斌;宣榮喜;苗淵浩;郝敏如
受保護的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
文檔號碼：201611187762
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.20
技術(shù)公布日：2017.02.22