1.一種基于臺狀有源區(qū)的固態(tài)等離子體PiN二極管及其制備方法,其特征在于,所述固態(tài)等離子體PiN二極管用于制作固態(tài)等離子天線,所述制備方法包括步驟:
(a)選取SOI襯底;
(b)刻蝕SOI襯底形成臺狀有源區(qū);
(c)對所述臺狀有源區(qū)四周利用原位摻雜工藝分別淀積P型Si材料和N型Si材料形成P區(qū)和N區(qū);
(d)在所述臺狀有源區(qū)四周淀積多晶Si材料;
(e)在所述多晶Si材料表面制作引線并光刻PAD以形成所述固態(tài)等離子體PiN二極管。
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟(b)包括:
(b1)利用CVD工藝,在所述SOI襯底表面形成第一保護層;
(b2)采用第一掩膜版,利用光刻工藝在所述第一保護層上形成有源區(qū)圖形;
(b3)利用干法刻蝕工藝,對所述有源區(qū)圖形的指定位置四周刻蝕所述第一保護層及所述SOI襯底的頂層Si層從而形成有所述臺狀有源區(qū)。
3.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟(b)之后,還包括:
(x1)利用氧化工藝,對所述臺狀有源區(qū)的側(cè)壁進行氧化以在所述臺狀有源區(qū)側(cè)壁形成氧化層;
(x2)利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述氧化層以完成對所述臺狀有源區(qū)側(cè)壁的平整化處理。
4.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟(c)包括:
(c1)在整個襯底表面淀積第二保護層;
(c2)采用第二掩膜板,利用光刻工藝在所述第二保護層表面形成P區(qū)圖形;
(c3)利用濕法刻蝕工藝去除P區(qū)圖形上的所述第二保護層;
(c4)利用原位摻雜工藝,在所述臺狀有源區(qū)側(cè)壁淀積P型Si材料形成所述P區(qū);
(c5)在整個襯底表面淀積第三保護層;
(c6)采用第三掩膜板,利用光刻工藝在所述第三保護層表面形成N區(qū)圖形;
(c7)利用濕法刻蝕工藝去除N區(qū)圖形上的所述第三保護層;
(c8)利用原位摻雜工藝,在所述臺狀有源區(qū)側(cè)壁淀積N型Si材料形成所述N區(qū)。
5.如權(quán)利要求4所述的制備方法,其特征在于,步驟(c4)包括:
(c41)利用原位摻雜工藝,在所述臺狀有源區(qū)側(cè)壁淀積P型Si材料;
(c42)采用第四掩膜版,利用干法刻蝕工藝刻蝕所述P型Si材料以在所述臺狀有源區(qū)的側(cè)壁形成所述P區(qū);
(c43)利用選擇性刻蝕工藝去除整個襯底表面的所述第二保護層。
6.如權(quán)利要求4所述的制備方法,其特征在于,步驟(c8)包括:
(c81)利用原位摻雜工藝,在所述臺狀有源區(qū)側(cè)壁淀積N型Si材料;
(c82)采用第五掩膜版,利用干法刻蝕工藝刻蝕所述N型Si材料以在所述臺狀有源區(qū)的另一側(cè)壁形成所述N區(qū);
(c83)利用選擇性刻蝕工藝去除整個襯底表面的所述第三保護層。
7.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟(d)包括:
(d1)利用CVD工藝,在所述臺狀有源區(qū)四周淀積所述多晶Si材料;
(d2)利用CVD工藝,在整個襯底表面淀積第四保護層;
(d3)利用退火工藝激活所述P區(qū)和所述N區(qū)中的雜質(zhì)。
8.如權(quán)利要求7所述的制備方法,其特征在于,步驟(e)包括:
(e1)采用第六掩膜版,利用光刻工藝在所述第四保護層表面形成引線孔圖形;
(e2)利用各向異性刻蝕工藝刻蝕所述第四保護層漏出部分所述多晶Si材料以形成所述引線孔;
(e3)對所述引線孔濺射金屬材料以形成金屬硅化物;
(e4)鈍化處理并光刻PAD以形成所述固態(tài)等離子體PiN二極管。
9.一種基于臺狀有源區(qū)的固態(tài)等離子體PiN二極管,其特征在于,用于制作固態(tài)等離子天線,所述基于臺狀有源區(qū)的固態(tài)等離子體PiN二極管采用如權(quán)利要求1-8中任一項所述的方法制得。