技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種基于臺狀有源區(qū)的固態(tài)等離子體PiN二極管及其制備方法。該制備方法包括：(a)選取SOI襯底；(b)刻蝕SOI襯底形成臺狀有源區(qū)；(c)對所述臺狀有源區(qū)四周利用原位摻雜工藝分別淀積P型Si材料和N型Si材料形成P區(qū)和N區(qū)；(d)在所述臺狀有源區(qū)四周淀積多晶Si材料；(e)在所述多晶Si材料表面制作引線并光刻PAD以形成所述固態(tài)等離子體PiN二極管。本發(fā)明實施例利用原位摻雜工藝能夠制備并提供適用于形成固態(tài)等離子天線的高性能基于臺狀有源區(qū)的固態(tài)等離子體PiN二極管。

技術(shù)研發(fā)人員：王斌;楊佳音;張鶴鳴;郝敏如;胡輝勇;宋建軍;舒斌;宣榮喜;蘇漢
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
文檔號碼：201611188578
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.20
技術(shù)公布日：2017.05.10