技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種兩結(jié)激光電池外延層及其制備方法，包括從下至上依次設(shè)置在GaAs襯底上的GaAs緩沖層、第一隧道結(jié)、第一GaAs電池、第二隧道結(jié)、第二GaAs電池和cap層，其制備方法包括：采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積技術(shù)在GaAs襯底上沉積GaAs緩沖層；在GaAs緩沖層上依次生長第一隧道結(jié)、第一GaAs子電池、第二隧道結(jié)、第二GaAs子電池和cap層。該兩結(jié)激光電池采用兩個子電池串聯(lián)減小總電流，可以減小串聯(lián)電阻引起的功率損失，提高轉(zhuǎn)換效率，該電池的制備方法采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積技術(shù)，生長過程可以得到精確控制，形成的晶體質(zhì)量好。

技術(shù)研發(fā)人員：唐悅;張啟明;高鵬;王宇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國電子科技集團(tuán)公司第十八研究所
文檔號碼：201611235022
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.28
技術(shù)公布日：2017.05.10