本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

非易失性存儲器因為其具有在斷電的情況下保留信息的能力而用于廣泛的應(yīng)用中并用作長期的永久存儲器。非易失性存儲器的實例包括但不限于：諸如可編程只讀存儲器(“prom”)、可擦除prom(“eprom”)、和電可擦除prom(“eeprom”)的只讀存儲器(“rom”)。非易失性存儲器的另一實例是紫外可擦除(“uv-擦除”)prom。在uv-擦除prom中，可以通過應(yīng)用紫外線照射存儲器件以激發(fā)存儲在柵極中的電子而擦除數(shù)據(jù)，從而電子從柵極向外部區(qū)域發(fā)射。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：管芯；導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，位于所述管芯上方并且電連接至所述管芯；接合焊盤，位于所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方并且電連接至所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；以及鈍化層，位于所述接合焊盤上方，其中，所述鈍化層包括具有2.16至2.18的折射率的基于氮化物的層。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：管芯；以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，位于所述管芯上方并且電連接至所述管芯，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括多個介電層和位于所述介電層中的多個導(dǎo)電部件，其中，至少一個所述介電層包括具有2.16至2.18的折射率的基于氮化物的層。

在上述半導(dǎo)體器件中，所述基于氮化物的層用作蝕刻停止層。

根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，還提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：在管芯上方形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；在所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方形成接合焊盤；以及利用大于700瓦的射頻在所述接合焊盤上方形成鈍化層，其中，所述鈍化層包括基于氮化物的層。

附圖說明

圖1a至圖1f是根據(jù)一些實施例的示出了半導(dǎo)體器件的制造方法的示意圖。

具體實施方式

下列公開提供了許多用于實現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實施例或?qū)嵗?。下面將描述元件和布置的特定實例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然這些僅僅是實例并不旨在限定本發(fā)明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實例。而且，本發(fā)明在各個實例中可重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)僅是為了簡明和清楚，其自身并不表示所論述的各個實施例和/或配置之間的關(guān)系。

此外，為了便于描述，在此可使用諸如“在...之下”、“在...下面”、“下面的”、“在...上面”、以及“上面的”以及諸如此類的空間關(guān)系術(shù)語，以描述如圖中所示的一個元件或部件與另一元件(多個元件)或部件(多個部件)的關(guān)系。空間相對術(shù)語旨在包括除了附圖中所示的方位之外，在使用中或操作中的器件的不同方位。裝置可以以其它方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位)，并且通過在本文中使用的空間關(guān)系描述符可同樣地作相應(yīng)地解釋。

圖1a至圖1f是根據(jù)一些實施例的示出了半導(dǎo)體器件的制造方法的示意圖。

例如，參照圖1a，在一些實施例中，提供了管芯102。在一些實施例中，管芯31包括襯底20、集成電路器件22、互連結(jié)構(gòu)23、焊盤24、第一鈍化層26、連接件30和第二鈍化層28。例如，襯底20包括摻雜或不摻雜的塊狀硅，或絕緣體上硅(soi)襯底的有源層。

例如，集成電路器件22是晶體管、電容器、電阻器、二極管、光電二極管、熔絲元件或類似的元件?；ミB結(jié)構(gòu)23形成在集成電路器件22上方以連接不同的集成電路器件22，從而形成功能電路。在一些實施例中，集成電路器件22包括位于介電層中的柵極結(jié)構(gòu)、源極/漏極區(qū)和隔離結(jié)構(gòu)，其中，隔離結(jié)構(gòu)可以是淺溝槽隔離(sti)結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，例如，柵極結(jié)構(gòu)包括柵電極和位于柵電極和襯底20之間的柵極介電層。在可選實施例中，柵極結(jié)構(gòu)還包括位于柵電極旁邊的間隔件(未示出)。在一些實施例中，例如，柵電極的材料是多晶硅。

在一些實施例中，集成電路器件22可以是一次性可編程(otp)存儲器、動態(tài)隨機存取存儲器(dram)、靜態(tài)隨機存取存儲器(sram)、非易失隨機存取存儲器(nvram)或邏輯電路。在一些實施例中，可使用雙極-cmos-dmos(bcd)工藝制造集成電路器件22。

在互連結(jié)構(gòu)23上方形成焊盤24。焊盤24和互連結(jié)構(gòu)23電連接(未示出)以提供至集成電路器件22的外部連接。例如，焊盤24包括鋁、銅、鎳、上述的組合等。

在襯底20和焊盤24上方形成第一鈍化層26。第一鈍化層26包括諸如聚苯并惡唑(pbo)、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(bcb)、它們的組合等的聚合物。通過諸如旋涂、層壓、沉積等的合適的制造技術(shù)形成第一鈍化層26。

連接件30形成在焊盤24上方并可選地電連接至焊盤24。連接件30包括焊料凸塊、金凸塊、銅凸塊、銅柱或由銅或銅合金制成的導(dǎo)電柱。

在第一鈍化層26上方和連接件30的旁邊形成第二鈍化層28。例如，第二鈍化層28包括聚合物。聚合物包括聚苯并惡唑(pbo)、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(bcb)、它們的組合等。通過諸如旋涂、層壓、沉積等的合適的制造技術(shù)形成第二鈍化層28。

在一些實施例中，在管芯102的背面上方形成粘合層14。粘合層14包括管芯附接膜(daf)、銀膏等。

在一些實施例中，將具有粘合層14的管芯102放置在載體110上方。載體110提供為具有形成在其上的膠層112和介電層114。載體110可以是空白玻璃載體、空白陶瓷載體等。膠層112可由諸如紫外(uv)膠、光熱轉(zhuǎn)換(lthc)膠等的粘合劑形成，但是也可以使用其他類型的粘合劑。在一些實施例中，膠層112在光的熱量下可分解，從而將載體110從在其上形成的結(jié)構(gòu)釋放。介電層114是形成在膠層112上方。在一些實施例中，介電層114是聚合物層。例如，聚合物包括聚酰亞胺、pbo、bcb、味之素構(gòu)建膜(ajinomotobuildupfilm)(abf)、阻焊膜(sr)等。介電層114是由諸如旋涂、層壓、沉積等的合適的制造技術(shù)制成的。

在一些實施例中，在載體110上方、管芯102旁邊形成通孔116。通孔116的材料可以包括諸如銅、鎳、焊料或它們的組合的金屬。在可選實施例中，通孔116包括位于通孔116的側(cè)壁的諸如ti、tin、ta、tan層的阻擋層(未示出)。在載體110上方形成密封劑118以封裝管芯102。密封劑118封裝管芯102以保護裝管芯102免受環(huán)境和外部污染物的影響。密封劑118的材料可以包括：包括樹脂和填料的模塑料材料，光敏材料，諸如聚苯并惡唑(pbo)、苯并環(huán)丁烯(bcb)、它們的任何組合等。在可選實施例中，密封劑118可以由諸如氮化硅的氮化物和諸如氧化硅、磷硅酸鹽玻璃(psg)、硼硅酸鹽玻璃(bsg)、硼摻雜的磷硅酸鹽玻璃(bpsg)、任何它們的組合等的氧化物形成。

參照圖1b，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)119形成在管芯102上方并電連接至管芯102。在一些實施例中，在管芯102、密封劑118和通孔116上方形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)119。在一些實施例中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)119與連接件30和/或通孔16電連接。例如，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)119包括多個介電層120-126和位于介電層120-126中的多個導(dǎo)電部件128a-128d。在一些實施例中，例如，可以在后段制程(beol)工藝中形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)119。在一些實施例中，導(dǎo)電部件128a-128d的每一個可以包括插塞或?qū)щ娋€。在可選實施例中，導(dǎo)電部件128a-128d是含銅導(dǎo)電材料。在可選實施例中，導(dǎo)電部件128a-128d包括銅、鎳、金、銀、鋁、鎢、上述的組合等。形成導(dǎo)電部件128a-128d的方法包括實施電化學(xué)鍍工藝、化學(xué)汽相沉積(cvd)、等離子體增強的化學(xué)汽相沉積(pecvd)、物理汽相沉積(pvd)、原子層沉積(ald)等或上述的組合等。在一些實施例中，形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)119的方法包括圖案化介電層、在介電層中形成插塞和在介電層中形成金屬層，并重復(fù)上述步驟。在所提供的實施例中，介電層120到126具有單層或雙層，僅僅為了說明的目的，并且不解釋為限制本發(fā)明。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，層的數(shù)量不受本文中的實施例的限制。類似地，在所提供的實施例中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)119具有四個介電層和四個導(dǎo)電部件，僅僅為了說明的目的，并且不解釋為限制本發(fā)明。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，介電層和導(dǎo)電部件的數(shù)量不受本文中的實施例的限制。

在一些實施例中，介電層120到126包括單層或多層。在一些實施例中，介電層122包括單層122a，以及介電層120、124或126包括多層120a到120c、124a到124b或126a到126b。在一些實施例中，在介電層120、124或126中，層120a到120c、124a到124b或126a到126b的材料是相同或不同的。在一些實施例中，例如，介電層120到126的每個(例如，層120、124或126中，層120a到120c、124a到124b或126a到126b的每個)包括氮化硅(sinx)、氮化硅(sic)、低介電常數(shù)(低k)材料等。例如，通過沉積、旋涂或?qū)訅盒纬山殡妼?20到126。

在一些實施例中，介電層120到126的至少一個包括具有約2.16到2.18的折射率的壓縮的(compressive)的基于氮化物的層。更具體地說，層120a到120c、124a到124b或126a到126b的至少一個包括具有約2.16到2.18的折射率的壓縮基于氮化物基的層。例如，在一些實施例中，在最上面的導(dǎo)電部件128d旁邊的介電層126具有壓縮的基于氮化物的層。在一些實施例中，壓縮的基于氮化物的層的材料括氮化硅。例如，在一些實施例中，在介電層126中，層126a是壓縮氮化硅層，以及層126b是氧化硅層。在一些實施例中，當(dāng)壓縮的基于氮化物的層具有高紫外線透射率時，用作蝕刻停止層。在一些實施例中，壓縮的基于氮化物的層的折射率為約2.16、2.165、2.17、2.175、2.18，包括任何兩個前面的值之間的任何范圍。在一些實施例中，壓縮的基于氮化物的層具有約小于-2×10⁹的壓縮應(yīng)力。在一些實施例中，壓縮的基于氮化物的層具有低的si-h鍵比。例如，在一些實施例中，壓縮的基于氮化物的層中si-h鍵與n-h鍵比率在從約0.25至約0.5的范圍內(nèi)。在一些實施例中，壓縮的基于氮化物的層中si-h鍵與n-h鍵比率為約0.25、0.3、0.35、0.4、0.45、0.5，包括任何兩個前面的值之間的任何范圍。例如，在一些實施例中，在245nm，壓縮的基于氮化物的層具有約60％到80％的紫外線透射率。在一些實施例中，在245nm，壓縮的基于氮化物的層的紫外線透射率為約60％、65％、70％、75％、80％，包括任何兩個前面的值之間的任何范圍。此外，例如，壓縮的基于氮化物的層具有期望的耐酸性。在一些實施例中，利用大于700瓦的射頻(rf)沉積壓縮的基于氮化物的層。在一些實施例中，rf是約700瓦至約900瓦。例如，在一些實施例中，使用sih4和nh3的反應(yīng)物和n2載體氣體，通過pecvd沉積壓縮的基于氮化物的層。例如，在一些實施例中，sih4與nh3的比率小于0.08。例如，可以在約400℃至約1000℃的溫度、約2torr到3torr的壓力下，實施沉積工藝。大于700瓦的高rf使基于氮化物的層成為壓縮層。

參照圖1c，接合焊盤134形成在導(dǎo)電結(jié)構(gòu)119上方并電連接至導(dǎo)電結(jié)構(gòu)119。在一些實施例中，在導(dǎo)電層119上方形成介電層130，然后，在介電層130的開口132中和介電層130的部分上方形成接合焊盤134。在一些實施例中，介電層130具有多層結(jié)構(gòu)，例如，介電層130包括多個層130a到130d。在一些實施例中，層130a到130d的材料是相同的或不同的。在一些實施例中，例如，層130a到130d的每一個均包括二氧化硅(sio2)、氮化硅(sinx)、氮化硅(sic)、低介電常數(shù)(低k)材料等。在可選實施例中，介電層130具有單層結(jié)構(gòu)。例如，通過旋涂或?qū)訅盒纬山殡妼?30。在一些實施例中，介電層130包括具有約2.16到2.18的折射率的壓縮的基于氮化物的層。更具體地說，層130a到130d的至少一個包括具有約2.16到2.18的折射率的壓縮的基于氮化物的層。例如，在一些實施例中，層130a和130c是諸如壓縮氮化硅層的壓縮的基于氮化物的層，以及130b和130d是氧化硅層。在一些實施例中，當(dāng)壓縮的基于氮化物的層具有高紫外線透射率時，用作蝕刻停止層。上文討論了壓縮的基于氮化物的層的形成方法和性能，因此這里省略了這些。在所提供的實施例中，介電層130具有4層結(jié)構(gòu)，僅僅為了說明的目的，并且不解釋為限制本發(fā)明。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，介電層的數(shù)量不受本文中的實施例的限制。

在一些實施例中，接合焊盤134包括鋁或含鋁導(dǎo)電材料。在可選實施例中，接合焊盤134包括銅、鎳、金、銀、鋁、鎢、上述的組合等。在一些實施例中，接合焊盤134的形成方法包括實施電化學(xué)鍍工藝、化學(xué)汽相沉積(cvd)、等離子體增強化學(xué)汽相沉積(pecvd)、物理汽相沉積(pvd)、原子層沉積(ald)等或上述的組合等以形成導(dǎo)電層并圖案化該導(dǎo)電層。

參照圖1d，在接合焊盤134上方形成鈍化層140。鈍化層140包括一層或多層合適的介電材料。例如，通過旋涂、層壓或沉積形成鈍化層140。在一些實施例中，鈍化層140具有多層結(jié)構(gòu)。在可選實施例中，鈍化層140具有單層結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，例如，鈍化層140的具有約6,000埃到約8,000埃的厚度。在一些實施例中，鈍化層140的厚度為約6000、6500、7000、7500、8000埃，包括任何兩個前面的值之間的任何范圍。在一些實施例中，鈍化層140是共形的層。在一些實施例中，可以通過在接合焊盤134上方共形地沉積鈍化材料層來形成鈍化層140。

在一些實施例中，鈍化層140包括具有約2.16到2.18的折射率的壓縮的基于氮化物的層。在一些實施例中，鈍化層140具有多層結(jié)構(gòu)，并且鈍化層140的每一層是壓縮的基于氮化物的層。在一些實施例中，當(dāng)壓縮的基于氮化物的層具有高紫外線透射率時，壓縮的基于氮化物的層具有良好的耐酸性以為接合焊盤134提供保護。上文討論了壓縮的基于氮化物的層的形成方法和性能，因此這里省略了這些。在可選實施例中，鈍化層140的材料包括諸如聚酰亞胺、阻焊劑、聚苯并惡唑(pbo)、苯并環(huán)丁烯(bcb)、前述材料的組合等的聚合物。

在一些實施例中，介電層142進一步形成在接合焊盤134和鈍化層140之間。例如，在一些實施例中，介電層142提高接合焊盤140和鈍化層134之間粘合。在一些實施例中，在接合焊盤134上方形成介電層142，然后，在介電層142上方形成鈍化層140。介電層142具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，介電層142的材料與鈍化層140的材料不同。在一些實施例中，介電層142包括諸如氧化物或含氮的介電材料的無機介電材料。在一些實施例中，無機介電材料包括氧化硅、氮氧化硅、前述的組合等。例如，在一些實施例中，介電層142的形成方法包括實施cvd或pecvd工藝。在一些實施例中，介電層142是共形的層。更具體地說，可以通過在接合焊盤134上方共形地沉積介電材料層來形成介電層142。在一個示例性實施例中，介電層142的厚度在從200埃到500埃的范圍內(nèi)。

如圖1d所示，在一些實施例中，一般來說，在接合焊盤134上方形成鈍化層140之后，在所形成的結(jié)構(gòu)上實施針孔測試(pinholetest)。在一些實施例中，在熱條件下使用酸溶液實施針孔測試，以確保鈍化層140為接合焊盤134提供免于受到酸溶液腐蝕的保護。在一些實施例中，由于鈍化層140包括壓縮的基于氮化物的層，鈍化層140具有良好的抗酸性從而保護接合焊盤134免受酸溶液的腐蝕。因此，半導(dǎo)體器件通過針孔測試。也就是說，接合焊盤134和半導(dǎo)體器件具有良好的可靠性。另一方面，在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件中，用作鈍化層并位于接合焊盤上方的拉伸鈍化層可能具有裂縫。因此，在針孔測試中，酸溶液通過鈍化層中的裂縫腐蝕下面的接合焊盤，尤其是接合焊盤的底部拐角處。換言之，拉伸鈍化層不能為接合焊盤提供良好的保護從而降低了半導(dǎo)體器件的可靠性。

參考圖1e，圖案化鈍化層140和介電層142以由此形成開口144并且暴露出接合焊盤134的部分。例如，在一些實施例中，通過諸如濕蝕刻工藝或干蝕刻工藝的蝕刻工藝形成開口144。

在一些實施例中，連接件150形成在開口144中以電連接至接合焊盤134。例如，連接件150為導(dǎo)電凸塊。例如，導(dǎo)電凸塊為球、柱等。例如，在球柵陣列(bga)封裝中，導(dǎo)電凸塊落入相應(yīng)位置內(nèi)。例如，連接件150的材料包括無鉛合金(例如，金或sn/ag/cu合金)、鉛合金(例如，pb/sn合金)、銅、鋁、鋁銅、其他凸塊金屬材料和/或上述的組合。從而完成本發(fā)明的半導(dǎo)體器件100。

參考圖1f，在一些實施例中，粘合層112在光熱條件下分解，并且然后載體110從半導(dǎo)體器件100釋放。此后，翻轉(zhuǎn)半導(dǎo)體器件100。例如，通過激光鉆孔工藝在介電層114中形成開口152。半導(dǎo)體器件100進一步電連接到半導(dǎo)體器件200，從而得到諸如pop器件的堆疊結(jié)構(gòu)。

在一些實施例中，半導(dǎo)體器件200具有襯底204，并且管芯202安裝在襯底204的一個表面(例如，頂面)上。接合引線208是用來提供位于襯底204的相同頂面上的管芯202和焊盤206(諸如接合焊盤)之間的電連接。通孔(未示出)可以用于提供焊盤206和位于襯底204的相反表面(例如，底面)上的焊盤212(諸如接合焊盤)之間的電連接。連接件214連接焊盤212并且填充在開口152中以電連接至半導(dǎo)體器件100的通孔116。密封劑210形成在組件上方以保護組件免受環(huán)境和外部污染物的影響。

在一些實施例中，鈍化層140的至少一個、介電層120到126、在接合焊盤134旁邊的介電層130包括具有高紫外線透射率和良好抗酸性的壓縮的基于氮化物的層。在一些實施例中，包括壓縮的基于氮化物的層的鈍化層140保護接合焊盤134免受腐蝕，從而接合焊盤134具有良好的電特性。因此，包括鈍化層140和接合焊盤134的半導(dǎo)體器件100以及半導(dǎo)體器件100和半導(dǎo)體器件200的堆疊結(jié)構(gòu)具有良好的可靠性。此外，在一些實施例中，包括壓縮的基于氮化物的層的鈍化層140和/或介電層120到126和介電層130具有高紫外線透射率，從而半導(dǎo)體器件100能夠成為諸如使用雙極-cmos-dmos(bcd)工藝的電源控制芯片或使用高壓技術(shù)的觸控芯片的需要一次性可編程(otp)功能的器件。

在一些實施例中，通過在氮化物層中應(yīng)用大于700瓦的射頻(rf)和降低si-h鍵比率，所形成的基于氮化物的層是壓縮層。與諸如拉伸氮化硅層的拉伸基于氮化物的層相比，諸如壓縮氮化硅層的壓縮的基于氮化物的層具有良好的抗酸性、高紫外線透射率和在晶圓接合期間良好的粘附性。從而，在一些實施例中，使用壓縮的基于氮化物的層作為接合焊盤上面的鈍化層，鈍化層保護接合焊盤免受在針孔測試期間的酸溶液腐蝕。此外，在一些實施例中，在諸如基于一次性可編程器件的半導(dǎo)體器件中使用壓縮的基于氮化物的層作為鈍化層和/或介電層，紫外線可以通過鈍化層和/或介電層并且可以有效的擦除數(shù)據(jù)。因此，提供了半導(dǎo)體器件以及半導(dǎo)體器件和另一半導(dǎo)體器件的堆疊結(jié)構(gòu)的電特性，半導(dǎo)體器件以及半導(dǎo)體器件和另一半導(dǎo)體器件的堆疊結(jié)構(gòu)的可靠性是最佳的。

一種半導(dǎo)體器件包括管芯、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、接合焊盤和鈍化層。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于管芯上方并且電連接至管芯。接合焊盤位于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方并且電連接至導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。鈍化層位于接合焊盤上方，其中，鈍化層包括具有約2.16到2.18的折射率的基于氮化物的層。

一種半導(dǎo)體器件包括管芯和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于管芯上方并且電連接至管芯。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括多個介電層和位于介電層中的多個導(dǎo)電部件，其中，介電層的至少一個包括具有約2.16到2.18的折射率的基于氮化物的層。

一種半導(dǎo)體器件的制造方法包括以下內(nèi)容：導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成在管芯上方。在導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方形成接合焊盤。利用大于700瓦的射頻(rf)在接合焊盤上方形成鈍化層，其中，鈍化層包括基于氮化物的層。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：管芯；導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，位于所述管芯上方并且電連接至所述管芯；接合焊盤，位于所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方并且電連接至所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；以及鈍化層，位于所述接合焊盤上方，其中，所述鈍化層包括具有2.16至2.18的折射率的基于氮化物的層。

在上述半導(dǎo)體器件中，在245nm，所述基于氮化物的層的材料包括氮化硅。

在上述半導(dǎo)體器件中，所述基于氮化物的層具有60％到80％的紫外線透射率。

在上述半導(dǎo)體器件中，所述基于氮化物的層是壓縮層。

在上述半導(dǎo)體器件中，還包括位于所述鈍化層和所述接合焊盤之間的介電層。

在上述半導(dǎo)體器件中，所述介電層的材料包括氧化硅。

在上述半導(dǎo)體器件中，通過位于所述鈍化層和所述介電層中的開口暴露所述接合焊盤。

在上述半導(dǎo)體器件中，所述接合焊盤的材料包括鋁或包括含鋁導(dǎo)電材料。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：管芯；以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，位于所述管芯上方并且電連接至所述管芯，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括多個介電層和位于所述介電層中的多個導(dǎo)電部件，其中，至少一個所述介電層包括具有2.16至2.18的折射率的基于氮化物的層。

在上述半導(dǎo)體器件中，所述基于氮化物的層的材料包括氮化硅。

在上述半導(dǎo)體器件中，所述基于氮化物的層是壓縮層。

在上述半導(dǎo)體器件中，在245nm，所述基于氮化物的層具有60％到80％的紫外線透射率。

在上述半導(dǎo)體器件中，所述基于氮化物的層用作蝕刻停止層。

根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，還提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：在管芯上方形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；在所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方形成接合焊盤；以及利用大于700瓦的射頻在所述接合焊盤上方形成鈍化層，其中，所述鈍化層包括基于氮化物的層。

在上述制造方法中，通過等離子體增強化學(xué)汽相沉積形成所述鈍化層。

在上述制造方法中，還包括在所述鈍化層和所述接合焊盤之間形成介電層。

在上述制造方法中，還包括在所述鈍化層和所述介電層中形成開口以暴露所述接合焊盤的部分。

在上述制造方法中，使用sih4和nh3的反應(yīng)物沉積所述鈍化層。

在上述制造方法中，sih4與nh3的比率小于0.08。

在上述制造方法中，所述基于氮化物的層是壓縮層。上述內(nèi)容概括了幾個實施例的特征使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可更好地理解本公開的各個方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計或更改其他的處理和結(jié)構(gòu)以用于達到與本發(fā)明所介紹實施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識到，這些等效結(jié)構(gòu)并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進行多種變化、替換以及改變。