技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實施例公開了一種半導體器件及其形成方法。半導體器件包括管芯、導電結(jié)構(gòu)、接合焊盤和鈍化層。導電結(jié)構(gòu)位于管芯上方并且電連接至管芯。接合焊盤位于導電結(jié)構(gòu)上方并且電連接至導電結(jié)構(gòu)。鈍化層位于接合焊盤上方，其中，鈍化層包括具有約2.16到2.18的折射率的基于氮化物的層。本發(fā)明實施例涉及半導體器件及其制造方法。

技術(shù)研發(fā)人員：張育維;許育銓;李坤諱;彭垂亞
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.28
技術(shù)公布日：2017.07.25