本發(fā)明屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，涉及半導(dǎo)體器件，特別涉及一種碳化硅縱向絕緣柵雙極型晶體管及制備方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)代電力電子及新能源技術(shù)的快速發(fā)展對(duì)大功率半導(dǎo)體器件提出了越來(lái)越高的要求。由于材料的限制，傳統(tǒng)的硅器件難以在高于250℃的高溫下運(yùn)行，特別是當(dāng)高工作溫度與大功率、高頻及強(qiáng)輻射環(huán)境并存時(shí)。

碳化硅是最近十幾年來(lái)迅速發(fā)展起來(lái)的寬禁帶半導(dǎo)體材料，它的主要特點(diǎn)是：禁帶寬度大，擊穿電場(chǎng)高，熱導(dǎo)率大，電子飽和漂移速度高。這就決定了它具有在高溫、高電壓、高頻等條件下工作的良好性質(zhì)，能夠適用于大功率、高溫及抗輻照等應(yīng)用領(lǐng)域。其中，碳化硅絕緣柵雙極型晶體管(英文為：Insulate-Gate Bipolar Transistor，英文簡(jiǎn)稱：IGBT)是由雙極型晶體管(英文為：Bipolar Transistor，英文簡(jiǎn)稱：BJT)和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(英文為：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，英文簡(jiǎn)稱：MOSFET)合成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式的功率半導(dǎo)體器件。它因?yàn)殡娏鏖_關(guān)能力大、柵極驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，綜合了功耗低和開關(guān)速度快的特點(diǎn)，相對(duì)于SiC MOSFET以及硅基的IGBT、晶閘管等器件具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，特別適用于高壓、電力系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域?？梢灶A(yù)見的是，高壓SiC IGBT將成為下一代智能電網(wǎng)技術(shù)中電力電子技術(shù)最核心的器件。

盡管由于碳化硅材料固有的優(yōu)良特性，碳化硅絕緣柵雙極型晶體管相比同類硅器件在截止電壓和開關(guān)速度上都有了很大提升，但高效大功率開關(guān)電源等應(yīng)用仍將對(duì)絕緣柵雙極型晶體管的開關(guān)速度及相應(yīng)功率損耗提出更高的要求。傳統(tǒng)的絕緣柵雙極型晶體管由于有漂移層過(guò)剩載流子的存在，器件正向?qū)▔航递^小，然而也正是由于這部分載流子的存在，器件在關(guān)斷時(shí)必須首先將其清除，這降低了器件的開關(guān)速度，增加了相應(yīng)的開關(guān)損耗，不利于系統(tǒng)整體的提升。因此有必要采用合適的技術(shù)方法改善器件的開關(guān)特性，實(shí)現(xiàn)正向?qū)ㄅc開關(guān)特性的良好折衷。

可用于提高碳化硅絕緣柵雙極型晶體管的一種方法是局部載流子壽命調(diào)制技術(shù)。圖1為傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的絕緣柵雙極型晶體管，區(qū)域7為漂移層，區(qū)域8為緩沖層，區(qū)域9為集電區(qū)注入層，局部載流子壽命調(diào)制技術(shù)主要使用中子輻照等方法在緩沖層人為引入缺陷能級(jí)，通過(guò)減小局部載流子壽命，使載流子可以在器件關(guān)斷時(shí)快速?gòu)?fù)合從而達(dá)到提高器件開關(guān)速度的目的。但是這種方法同時(shí)減弱了器件在開啟時(shí)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，增加了導(dǎo)通功率損耗。更重要的是，局部載流子壽命調(diào)制技術(shù)將使器件導(dǎo)通電阻具有負(fù)溫度系數(shù)，這不利于大電流下器件的并聯(lián)應(yīng)用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服上述已有技術(shù)的缺點(diǎn)，提出一種碳化硅縱向絕緣柵雙極型晶體管及制備方法。該結(jié)構(gòu)可以有效促使器件關(guān)斷時(shí)漂移層內(nèi)過(guò)剩少數(shù)載流子的抽出，提高器件開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗，使器件在高頻應(yīng)用中的綜合能量損耗顯著下降。同時(shí)也可以避免在器件緩沖層使用局部載流子壽命調(diào)制技術(shù)造成的導(dǎo)通電阻負(fù)溫度系數(shù)現(xiàn)象，提高大電流下器件并聯(lián)應(yīng)用的可靠性。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種碳化硅縱向絕緣柵雙極型晶體管，包括柵極金屬、絕緣柵、發(fā)射極接觸金屬、阱接觸區(qū)、發(fā)射區(qū)、阱區(qū)、漂移層、緩沖層、抽出層、集電極注入?yún)^(qū)和集電極接觸金屬，

所述抽出層設(shè)置在所述集電極注入?yún)^(qū)內(nèi)部，所述抽出層四周與所述集電極注入?yún)^(qū)相連，且所述抽出層的頂端與所述緩沖層的底部相連，所述抽出層的底部與所述集電極接觸金屬的頂部相連。

優(yōu)選地，所述集電極接觸金屬厚度為300nm。

優(yōu)選地，所述的集電極接觸金屬為Ti/Al合金。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種碳化硅縱向絕緣柵雙極型晶體管制作方法，包括：

在N+碳化硅襯底上外延生長(zhǎng)厚度為20～25μm的過(guò)渡層；所述過(guò)渡層的生長(zhǎng)條件為：溫度為1600℃，壓力100mbar，反應(yīng)氣體包括硅烷和丙烷，載運(yùn)氣體為純氫氣；

在所述過(guò)渡層上外延生長(zhǎng)厚度為120～130μm、氮離子摻雜濃度為2×10¹⁴cm^-3的漂移層；所述漂移層的生長(zhǎng)條件為：溫度為1600℃，壓力100mbar，反應(yīng)氣體包括硅烷和丙烷，載運(yùn)氣體為純氫氣，雜質(zhì)源為液態(tài)氮?dú)猓?/p>

在所述漂移層上外延生長(zhǎng)厚度為1～2μm、氮離子摻雜濃度1×10¹⁷cm^-3的緩沖層；所述緩沖層的生長(zhǎng)條件為：溫度為1600℃，壓力100mbar，反應(yīng)氣體包括硅烷和丙烷，載運(yùn)氣體為純氫氣，雜質(zhì)源為液態(tài)氮?dú)猓?/p>

在所述緩沖層上外延生長(zhǎng)厚度為1～5μm、鋁離子摻雜濃度1×10¹⁷～1×10¹⁸cm^-3的抽出層；所述抽出層的生長(zhǎng)條件為：溫度為1600℃，壓力100mbar，反應(yīng)氣體包括硅烷和丙烷，載運(yùn)氣體為純氫氣，雜質(zhì)源為三甲基鋁；

在所述抽出層上進(jìn)行第一次離子注入，形成集電極注入?yún)^(qū)；所述第一次離子條件為：注入雜質(zhì)為鋁離子，深度為0.9～1.5μm，摻雜濃度5×10¹⁸cm^-3，注入溫度650℃；

使用化學(xué)機(jī)械拋光去除N+碳化硅襯底及過(guò)渡層；

在所述漂移區(qū)上未進(jìn)行集電極注入?yún)^(qū)離子注入的一面進(jìn)行第二次離子注入，形成P型阱區(qū)；所述第二次離子條件為：注入雜質(zhì)為鋁離子，深度為0.9μm，摻雜濃度5×10¹⁷cm^-3，注入溫度650℃；

在所述P型阱區(qū)內(nèi)進(jìn)行第三次離子注入，形成p+阱接觸區(qū)；所述第三次離子條件為：注入雜質(zhì)為鋁離子，深度為0.15μm，摻雜濃度1×10²⁰cm^-3，注入溫度650℃；

在所述P型阱區(qū)內(nèi)進(jìn)行第四次離子注入，形成n+發(fā)射區(qū)；所述第四次離子條件為：注入雜質(zhì)為氮離子，深度為0.15μm，摻雜濃度1×10¹⁹cm^-3，注入溫度650℃；

對(duì)碳化硅片正面進(jìn)行干氧氧化，形成50nm～100nm的二氧化硅隔離介質(zhì)作為絕緣柵；所述干氧氧化溫度為1200℃。

本發(fā)明實(shí)施例中，提供了一種碳化硅縱向絕緣柵雙極型晶體管及其制作方法，由于在集電極區(qū)引入肖特基接觸，其載流子抽出作用可以提高器件開關(guān)速度，降低器件開關(guān)損耗。進(jìn)一步的，避免了使用局部少子壽命調(diào)制技術(shù)，器件導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù)，有利于器件的并聯(lián)應(yīng)用。同時(shí)，還可以通過(guò)調(diào)節(jié)所述的集電極肖特基金屬所占面積比例改變器件載流子抽出強(qiáng)度，從而達(dá)到器件導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗的最優(yōu)折衷。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是傳統(tǒng)的碳化硅縱向絕緣柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種碳化硅縱向絕緣柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的制作碳化硅縱向絕緣柵雙極型晶體管工藝流程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種碳化硅縱向絕緣柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種碳化硅縱向絕緣柵雙極型晶體管主要包括：柵極金屬1、絕緣柵2、發(fā)射極接觸金屬3、阱接觸區(qū)4、發(fā)射區(qū)5、阱區(qū)6、漂移層7、緩沖層8、抽出層9、集電極注入?yún)^(qū)10和集電極接觸金屬11。

以下結(jié)合圖2，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的一種碳化硅縱向絕緣柵雙極型晶體管的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明：

抽出層9為厚度為1～5μm，鋁離子摻雜濃度為1×10¹⁷～1×10¹⁸cm^-3的P型外延層；集電極注入?yún)^(qū)10由對(duì)抽出層9上部分區(qū)域進(jìn)行鋁離子注入形成，摻雜濃度為5×10¹⁸cm^-3，深度為0.9～1.5μm；抽出層9上方為緩沖層8，其厚度為1～2μm，氮離子摻雜濃度為1×10¹⁷cm^-3；緩沖層8上方為漂移層7，其厚度為100～110μm、氮離子摻雜濃度為2×10¹⁴cm^-3；漂移層7表面區(qū)域兩側(cè)為由離子注入形成的深度為0.9μm，鋁離子摻雜濃度為5×10¹⁷cm^-3的阱區(qū)6；阱區(qū)6上方為由離子注入形成的深度為0.15μm，氮離子摻雜濃度為1×10¹⁹cm^-3的發(fā)射區(qū)5；發(fā)射區(qū)5兩側(cè)為由離子注入形成的深度為0.15μm，鋁離子摻雜濃度為1×10²⁰cm^-3的阱接觸區(qū)4；漂移層7上方為干氧氧化形成的60nm～100nm的二氧化硅隔離介質(zhì)的絕緣柵2；絕緣柵2表面的柵極金屬1為厚度為200nm的金屬鋁；阱接觸區(qū)4和發(fā)射區(qū)5表面的發(fā)射極接觸金屬3為厚度為50nm/100nm/43nm的Ni/Ti/Al合金；抽出層9和集電極注入?yún)^(qū)10表面的集電極接觸金屬11為厚度為00nm/100nm的Ti/Al金屬。

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的制作碳化硅縱向絕緣柵雙極型晶體管工藝流程示意圖?；谙嗤陌l(fā)明構(gòu)思，以下以實(shí)施例并結(jié)合附圖3，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的一種碳化硅縱向絕緣柵雙極型晶體管制作方法進(jìn)行詳細(xì)介紹。

實(shí)施例1

第1步，在N+碳化硅襯底片上外延生長(zhǎng)過(guò)渡層，如圖3所示，先對(duì)N+型碳化硅襯底片進(jìn)行RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗；再在N+型碳化硅襯底片正面上用低壓熱壁化學(xué)氣相淀積法外延生長(zhǎng)厚度為20μm的過(guò)渡層。

需要說(shuō)明的是，過(guò)渡層的生長(zhǎng)條件是：溫度為1600℃，壓力100mbar，反應(yīng)氣體是硅烷和丙烷，載運(yùn)氣體為純氫氣。

需要說(shuō)明的是，RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗法是1965年由Kern和Puotinen等人在N.J.Princeton的RCA實(shí)驗(yàn)室首創(chuàng)的，并由此而得名。RCA是一種典型的、至今仍為最普遍使用的濕式化學(xué)清洗法，該清洗法主要包括以下幾種清洗液。

(1)、SPM:H₂SO₄/H₂O₂120～150℃SPM具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機(jī)物氧化生成CO ₂和H₂O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬，但是當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時(shí)會(huì)使有機(jī)物碳化而難以去除。

(2)、HF(DHF):HF(DHF)20～25℃DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時(shí)DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，F(xiàn)e，Zn，Ni等金屬，DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時(shí)，在自然氧化膜被腐蝕掉時(shí)，硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。

(3)、APM(SC-1):NH₄OH/H₂O₂/H₂O 30～80℃由于H₂O₂的作用，硅片表面有一層自然氧化膜(SiO₂)，呈親水性，硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH₄OH腐蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達(dá)到去除粒子的目的。在NH₄OH腐蝕硅片表面的同時(shí)，H₂O₂又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。

(4)、HPM(SC-2):HCl/H₂O₂/H₂O 65～85℃用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下HPM就能除去Fe和Zn。

清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有機(jī)沾污，因?yàn)橛袡C(jī)物會(huì)遮蓋部分硅片表面，從而使氧化膜和與之相關(guān)的沾污難以去除；然后溶解氧化膜，因?yàn)檠趸瘜邮?沾污陷阱"，也會(huì)引入外延缺陷；最后再去除顆粒、金屬等沾污，同時(shí)使硅片表面鈍化。

第2步，在過(guò)渡層上外延生漂移層，具體地，如圖3所示，在過(guò)渡層上用低壓熱壁化學(xué)氣相淀積法外延生長(zhǎng)厚度為120μm、氮離子摻雜濃度為2×10¹⁴cm^-3的漂移層7。

需要說(shuō)明的是，漂移層7的生長(zhǎng)條件為：溫度為1600℃，壓力為100mbar，反應(yīng)氣體采用硅烷和丙烷，載運(yùn)氣體采用純氫氣，雜質(zhì)源為液態(tài)氮?dú)狻?/p>

第3步，在漂移層上外延生長(zhǎng)緩沖層，具體地，如圖3所示，在漂移層上用低壓熱壁化學(xué)氣相淀積法外延生長(zhǎng)厚度為1～2μm、氮離子摻雜濃度1×10¹⁷cm^-3的緩沖層8。

需要說(shuō)明的是，緩沖層8的生長(zhǎng)條件為：溫度為1600℃，壓力100mbar，反應(yīng)氣體是硅烷和丙烷，載運(yùn)氣體為純氫氣，雜質(zhì)源為液態(tài)氮?dú)狻?/p>

第4步，在緩沖層上外延生長(zhǎng)抽出層，具體地，如圖3所示，在緩沖層上用低壓熱壁化學(xué)氣相淀積法外延生長(zhǎng)厚度為1μm、鋁離子摻雜濃度1×10¹⁷cm^-3的抽出層9。

需要說(shuō)明的是，抽出層9的生長(zhǎng)條件為：溫度為1600℃，壓力100mbar，反應(yīng)氣體是硅烷和丙烷，載運(yùn)氣體為純氫氣，雜質(zhì)源為三甲基鋁。

第5步，在抽出層中多次選擇性鋁離子注入，形成集電極注入?yún)^(qū)，具體地，如圖3所示，包括以下步驟：

(5.1)用低壓化學(xué)汽相淀積方式在整個(gè)抽出層表面淀積一層厚度為0.2μm的SiO₂，再淀積厚度為0.7μm的Al作為集電極注入?yún)^(qū)10鋁離子注入的阻擋層，并通過(guò)光刻和刻蝕形成集電極注入?yún)^(qū)10；

(5.2)在650℃的溫度下進(jìn)行3次鋁離子注入，注入的劑量分別為6.5×10¹³cm^-2、4.3×10¹³cm^-2和7.4×10¹²cm^-2，對(duì)應(yīng)的能量分別為350keV、180keV和50keV；

(5.3)采用RCA清洗標(biāo)準(zhǔn)對(duì)碳化硅表面依次進(jìn)行清洗、烘干和C膜保護(hù)，并在1700～1750℃氬氣氛圍中作15min的離子激活退火。

第6步，去除襯底及過(guò)渡層，具體地，如圖3所示，采用化學(xué)機(jī)械拋光工藝，去除器件的襯底及過(guò)渡層。

第7步，在漂移層上多次選擇性鋁離子注入，形成阱區(qū)，具體地，如圖3所示，包括以下步驟：

(7.1)用低壓化學(xué)汽相淀積方式在漂移層表面淀積一層厚度為0.2μm的SiO₂，再淀積厚度為0.7μm的Al作為阱區(qū)6鋁離子注入的阻擋層，并通過(guò)光刻和刻蝕形成阱區(qū)6；

(7.2)在650℃的溫度下進(jìn)行3次鋁離子注入，注入的劑量分別為6.7×10¹³cm^-2、4.6×10¹³cm^-2和6.4×10¹²cm^-2，對(duì)應(yīng)的能量分別為350keV、200keV和80keV；

(7.3)采用RCA清洗標(biāo)準(zhǔn)對(duì)碳化硅表面依次進(jìn)行清洗、烘干和C膜保護(hù)，并在1700～1750℃氬氣氛圍中作15min的離子激活退火。

第8步，在阱區(qū)內(nèi)多次選擇性鋁離子注入，形成阱接觸區(qū)，具體地，如圖3所示，包括以下步驟：

(8.1)用低壓化學(xué)汽相淀積方式在漂移層表面淀積一層厚度為0.2μm的SiO₂，再淀積厚度為0.7μm的Al作為阱接觸區(qū)4鋁離子注入的阻擋層，并通過(guò)光刻和刻蝕形成阱接觸區(qū)4；

(8.2)在650℃的溫度下進(jìn)行2次鋁離子注入，注入的劑量分別為2.6×10¹⁴cm^-2和3.4×10¹⁴cm^-2，對(duì)應(yīng)的能量分別為90keV和50keV；

(8.3)采用RCA清洗標(biāo)準(zhǔn)對(duì)碳化硅表面依次進(jìn)行清洗、烘干和C膜保護(hù)，并在1700～1750℃氬氣氛圍中作15min的離子激活退火。

第9步，在阱區(qū)內(nèi)多次選擇性氮離子注入，形成發(fā)射區(qū)，具體地，如圖3所示，包括以下步驟：

(9.1)用低壓化學(xué)汽相淀積方式在漂移層表面淀積一層厚度為0.2μm的SiO₂作為發(fā)射區(qū)5鋁離子注入的阻擋層，并通過(guò)光刻和刻蝕形成發(fā)射區(qū)5；

(9.2)在650℃的溫度下進(jìn)行2次氮離子注入，注入的劑量分別為8×10¹⁴cm^-2和6×10¹⁴cm^-2，對(duì)應(yīng)的能量分別為80keV和50keV；

(9.3)采用RCA清洗標(biāo)準(zhǔn)對(duì)碳化硅表面依次進(jìn)行清洗、烘干和C膜保護(hù)，并在1700～1750℃氬氣氛圍中作15min的離子激活退火。

第10步，氧化形成絕緣柵，具體地，如圖3所示，包括以下步驟：

(10.1)在1200℃下干氧氧化60min，再在950℃下濕氧氧化60℃，形成厚度為50nm的SiO₂膜；

(10.2)通過(guò)光刻、刻蝕形成SiO₂絕緣柵2。

第11步，在絕緣柵上淀積金屬鋁作為柵極金屬，具體地，如圖3所示，包括以下步驟：

(11.1)在整個(gè)碳化硅片正面涂光刻膠，然后通過(guò)顯影形成柵極金屬1窗口；

(11.2)對(duì)整個(gè)碳化硅片淀積200nm金屬鋁，之后通過(guò)超聲波剝離使正面形成柵極金屬1；

第12步，淀積形成發(fā)射極接觸金屬層，具體地，如圖3所示，包括以下步驟：

(12.1)在整個(gè)碳化硅片正面涂光刻膠，然后通過(guò)顯影形成發(fā)射極接觸金屬3窗口；

(12.2)對(duì)整個(gè)碳化硅片淀積50nm/100nm/43nm的Ni/Ti/Al合金，之后通過(guò)超聲波剝離使正面形成發(fā)射極接觸金屬層3；

(12.3)在900℃溫度下，氮?dú)鈿夥罩袑?duì)整個(gè)碳化硅片退火5分鐘形成歐姆接觸。

第13步，淀積形成集電極接觸金屬層，具體地，如圖3所示，對(duì)整個(gè)抽出層表面淀積200nm/100nm的Ti/Al金屬，作為集電極接觸金屬11，其中輕摻雜區(qū)表面自然形成集電極肖特基金屬，在1050℃下，氮?dú)鈿夥罩型嘶?分鐘形成接觸電極。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種碳化硅縱向絕緣柵雙極型晶體管及其制作方法，由于在集電極區(qū)引入肖特基接觸，其載流子抽出作用可以提高器件開關(guān)速度，降低器件開關(guān)損耗。進(jìn)一步的，避免了使用局部少子壽命調(diào)制技術(shù)，器件導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù)，有利于器件的并聯(lián)應(yīng)用。同時(shí)，還可以通過(guò)調(diào)節(jié)所述的集電極肖特基金屬所占面積比例改變器件載流子抽出強(qiáng)度，從而達(dá)到器件導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗的最優(yōu)折衷。

盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。