技術總結
本發(fā)明公開了一種碳化硅縱向絕緣柵雙極型晶體管及制備方法，屬于微電子技術領域。可以有效促使器件關斷時漂移層內(nèi)過剩少數(shù)載流子的抽出，提高器件開關速度，降低開關損耗，使器件在高頻應用中的綜合能量損耗顯著下降。同時也可以避免在器件緩沖層使用局部載流子壽命調(diào)制技術造成的導通電阻負溫度系數(shù)現(xiàn)象，提高大電流下器件并聯(lián)應用的可靠性。包括：所述抽出層設置在所述集電極注入?yún)^(qū)內(nèi)部，所述抽出層四周與所述集電極注入?yún)^(qū)相連，且所述抽出層的頂端與所述緩沖層的底部相連，所述抽出層的底部與所述集電極接觸金屬的頂部相連。

技術研發(fā)人員：宋慶文;唐冠南;元磊;湯曉燕;張藝蒙;張玉明
受保護的技術使用者：西安電子科技大學
文檔號碼：201611247061
技術研發(fā)日：2016.12.29
技術公布日：2017.05.24