本實用新型屬于太陽能電池制造領域，具體地說，涉及一種上鍍膜設備中的石墨框。

背景技術：

隨著全球能源日益緊張，太陽能作為新興的可再生能源得到了廣泛的重視和大力的發(fā)展。太陽能電池是一種利用太陽光直接發(fā)電的光電半導體薄片，它可以通過光電效應或者光化學效應直接把光能轉化成電能。只要被滿足一定照度條件的光照到，太陽能電池瞬間就可輸出電壓及在有回路的情況下產(chǎn)生電流。

為了提高太陽能電池的光電轉換效率，研究人員正在對太陽能電池生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)進行研發(fā)。在太陽能電池生產(chǎn)過程中，需要對硅片進行鍍膜操作。目前常用的鍍膜方法分為上鍍膜和下鍍膜。

采用上鍍膜設備進行太陽能電池生產(chǎn)時，需要通過接觸硅片表面，將硅片從上料端移載到石墨框托盤中進行成膜操作。由于工藝限制，在鍍膜前和鍍膜后只能采用特殊的硬材質(zhì)對硅片的移載才能取得較好的效果，因此目前常用移載方法是采用正壓吸盤吸附硅片，并在距離石墨框托盤一定高度時進行放片。

由于上鍍膜工藝的特殊性，石墨框托盤的片槽是非鏤空的，這樣會存在氣墊效應進而導致將硅片放置在片槽上時產(chǎn)生偏移。在將硅片從上料端移載到石墨框托盤中時，如果硅片位置不正，需要手動調(diào)整硅片位置，將其擺正。不但浪費人力，而且手工操作誤差大。而且如果硅片位置沒有調(diào)整到位，會產(chǎn)生碎片，導致返工率上升，提高了生產(chǎn)成本。鍍膜后，將硅片從石墨框托盤移載至下料端時，由于石墨框片槽底部氣流對硅片有吸附力，且硅片容易刮到片槽邊緣，也會使硅片的碎片率上升。

因此，急需一種能夠降低硅片碎片率，節(jié)約人力成本和生產(chǎn)生本的用于上鍍膜設備中的石墨框。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術中，上鍍膜設備中的石墨框所存在的缺陷，本實用新型提供了一種上鍍膜設備中的石墨框。

根據(jù)本實用新型的一個方面，提供一種上鍍膜設備中的石墨框，所述石墨框包括：片槽和片間檔條；

所述片槽設置于所述石墨框上，用于承載硅片；

所述片間檔條設置于所述片槽四周，用于隔擋放置于所述片槽上的硅片；

所述片間檔條的隔擋硅片側設置有倒角區(qū)。

根據(jù)本實用新型的一個具體實施方式，所述倒角區(qū)的斜邊與水平線所呈角度在20°～60°之間。

根據(jù)本實用新型的另一個具體實施方式，所述倒角區(qū)的斜邊與水平線所呈角度為30°。

根據(jù)本實用新型的又一個具體實施方式，所述倒角區(qū)在水平方向的投影長度不超過其所在的所述片間檔條的寬度的25％。

根據(jù)本實用新型的又一個具體實施方式，所述倒角區(qū)在水平方向的投影長度為其所在的所述片間檔條的寬度的20％。

根據(jù)本實用新型的又一個具體實施方式，所述片槽的尺寸大于所述硅片。

本實用新型通過在片間擋條的隔擋硅片側設置倒角區(qū)，實現(xiàn)對上料時產(chǎn)生的氣墊效應進行排氣，并取得了良好的排氣效果；同時，倒角區(qū)的設置還能夠解除對下料時片槽和硅片之間的吸附力，并取得良好的解除效果。在上鍍膜設備中采用本實用新型提供的石墨框能夠在保障工藝流程的前提下改善硅片傳輸?shù)臏蚀_性，減少因硅片放置不準導致碎片和返工，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本實用新型的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯：

圖1所示為根據(jù)本實用新型提供的一種上鍍膜設備中的石墨框的一個具體實施方式的俯視圖；

圖2所示為根據(jù)本實用新型提供的一種上鍍膜設備中的石墨框的一個具體實施方式的截面圖。

附圖中相同或相似的附圖標記代表相同或相似的部件。

具體實施方式

下文的公開提供了許多不同的實施例或例子用來實現(xiàn)本實用新型的不同結構。為了簡化本實用新型的公開，下文中對特定例子的部件和設置進行描述。此外，本實用新型可以在不同例子中重復參考數(shù)字和/或字母。這種重復是為了簡化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實施例和/或設置之間的關系。應當注意，在附圖中所圖示的部件不一定按比例繪制。本實用新型省略了對公知組件和處理技術及工藝的描述以避免不必要地限制本實用新型。

參考圖1，圖1所示為根據(jù)本實用新型提供的一種上鍍膜設備中的石墨框1的一個具體實施方式的俯視圖。該石墨框1包括：片槽2和片間檔條3。所述片槽2設置于所述石墨框1上，用于承載硅片。為了更好的承載硅片，優(yōu)選的，所述片槽2的尺寸大于所述硅片。所述片間檔條3設置于所述片槽2四周，用于隔擋放置于所述片槽2上的硅片。圖1所示的石墨框1上，片槽2規(guī)則設置，橫向設置的片間檔條3和縱向設置的片間檔條3相互垂直。

在上料時，需要用正壓吸盤將硅片吸附起來，并移載到片槽2上，硅片和片槽2之間會產(chǎn)生氣墊效應，氣墊效應會影響硅片的放置角度，使硅片發(fā)生偏移。而在下料時，片槽2的底部氣流又會對硅片產(chǎn)生吸附力，吸附力的存在容易造成硅片的破碎。

為了克服現(xiàn)有的上鍍膜設備中的石墨框1在上料和下料時存在的缺陷，在所述片間檔條3的隔擋硅片側設置有倒角區(qū)，如圖2所示。所述倒角區(qū)的斜邊與水平線所呈角度在20°～60°之間，在上述角度區(qū)間設置的倒角區(qū)可以使更好實現(xiàn)排氣以緩解氣墊效應的影響，對吸附力也會有很好的解除效果。更為優(yōu)選的，在反復研究試驗后發(fā)現(xiàn)，當所述倒角區(qū)的斜邊與水平線所呈角度為30°時，對氣墊效應的緩解和對吸附力的解除效果最佳。

在對角度進行限定的同時，還需要對倒角區(qū)的其他尺寸進行限定，從而達到對硅片傳輸準確性的提高。優(yōu)選的，所述倒角區(qū)在水平方向的投影長度不超過其所在的所述片間檔條3的寬度的25％。更為優(yōu)選的，所述倒角區(qū)在水平方向的投影長度為其所在的所述片間檔條3的寬度的20％。

本實用新型通過在片間檔條3上設置倒角區(qū)，能夠使上料時產(chǎn)生的氣墊效應得到緩解；使下料時產(chǎn)生的吸附力得到有效解除；在不影響鍍膜工藝的前提下改善了硅片傳輸?shù)臏蚀_性，減少了因硅片放置不準而導致的碎片率和返工率；提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。

雖然關于示例實施例及其優(yōu)點已經(jīng)詳細說明，應當理解在不脫離本實用新型的精神和所附權利要求限定的保護范圍的情況下，可以對這些實施例進行各種變化、替換和修改。對于其他例子，本領域的普通技術人員應當容易理解在保持本實用新型保護范圍內(nèi)的同時，工藝步驟的次序可以變化。