本實用新型涉及半導體光源封裝及半導體芯片制造領域。

背景技術：

半導體光源，如發(fā)光二極管LED光源等，具有啟動時間短、亮度高、能耗低、體積小、壽命長、安全性高等優(yōu)點，正在逐步取代傳統(tǒng)鹵鎢燈、氙燈等能耗高、壽命短的光源，獲得了廣泛的應用。

普通大功率LED模組的基板，傳熱性和絕緣性是矛盾的，如為了實現(xiàn)良好的導熱，LED基板一般設計成共陽極的導電結構；而為了實現(xiàn)良好的絕緣性，又不得不犧牲熱傳導性。

技術實現(xiàn)要素：

為解決普通大功率LED模組普遍存在的基板傳熱性和絕緣性相互矛盾的問題，本實用新型提供了一種復合高導熱絕緣金屬基板，在保證保證絕緣性的同時具有良好的導熱效率。

為達到上述目的，本實用新型的技術方案如下：

一種復合高導熱絕緣金屬基板，包括第一金屬層，設置在第一金屬層下層的第一絕緣層，設置在第一絕緣層下層的第二金屬層，設置在所述第一金屬層上層的第二絕緣層，設置在第二絕緣層上層的電路層，以及鉆孔；其特征在于：所述第一金屬層位于第一絕緣層與第二絕緣層之間，所述第二金屬層位于第二絕緣層下方。

進一步，所述金屬基板上的鉆孔深度至少到達第二金屬層。

再進一步，所述第一金屬層厚度為0.1-5mm，所述第二金屬層厚度為0.1-5mm。

再進一步，所述絕緣層厚度控制在在0.01-0.5mm以內之間。

更進一步，所述第一金屬層和第二金屬層材料為銅、鋁、銅合金或鋁合金。

本實用新型具有如下有益效果：

第一，LED供電電路層與外界絕緣，安全性和可靠性有保證；

第二，絕緣金屬基板具有高效的導熱性能，適用于超大功率LED封裝。

附圖說明：

圖1為傳統(tǒng)半導體基板結構示意圖；

圖2為本實用新型一種復合高導熱絕緣金屬基板結構示意圖。

主要元件標記說明：

1、第一金屬層

2、第一絕緣層

3、第二金屬層

4、第二絕緣層

5、電路層

6、鉆孔

具體實施方式：

下面通過實施例，并結合附圖，對本實用新型的技術方案進行具體的說明。

如圖1展示了傳統(tǒng)半導體基板結構示意圖，其中第一金屬層1上層為第二絕緣層4，第二絕緣層4設置有開口，使電路層5的陽極與第一金屬層1形成通路，構成以第一金屬層1為陽極的共陽極結構。該傳統(tǒng)結構的特點是第一金屬層1的材料為高導熱性的銅、鋁，或合金材料，具有良好的導熱性，從而能夠滿足大功率半導體光源的散熱問題，但是以第一金屬層1為陽極的共陽極結構，造成該基板絕緣性能差，容易造成漏電、短路等，安裝使用不方便。

如圖2展示了本實用新型一種復合高導熱絕緣金屬基板結構示意圖，包括第一金屬層1，設置在第一金屬層1下層的第一絕緣層2，設置在第一絕緣層2下層的第二金屬層3，設置在所述第一金屬層上層的第二絕緣層4，設置在第二絕緣層4上層的電路層5，以及鉆孔6。其中，基板的設置，主要創(chuàng)新點在于在原來的金屬基板的基礎上，在底面加上至少一層絕緣層和一層金屬層，使得上下兩層銅基板絕緣，即基板既通過第一金屬層1形成了共陽極結構，又通過第一絕緣層2與外界實現(xiàn)了電絕緣。所述第一金屬層厚度為0.8-1mm，所述第二金屬層厚度為0.8-1mm，從而保證了良好的導熱性，而所述絕緣層厚度控制在0.1mm以內，兼具良好的導熱性和電絕緣性。所述第一金屬層1下方的絕緣層與金屬層，數(shù)量可以根據需要增加，至少各為一層。所述金屬基板上的鉆孔深度至少到達第二金屬層，從而保證電絕緣性。

以上實施方案只為說明本實用新型技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人了解本實用新型的內容并加以實施，并不能以此限制本實用新型的保護范圍，凡根據本實用新型精神實質所做的等小變化或修飾均涵蓋在本實用新型的保護范圍內。