技術(shù)總結(jié)
本實用新型公開了一種碳化硅靜電感應(yīng)晶閘管，目的在于，降低器件開態(tài)電阻、提升功率特性，結(jié)構(gòu)所采用的技術(shù)方案為：包括自下而上依次設(shè)置的N型歐姆接觸電極、N型SiC襯底、P型SiC緩沖層、P型SiC漂移層和P型電流增強層，P型電流增強層上刻蝕形成有若干個臺階，相鄰臺階之間設(shè)有溝槽，所述臺階頂部設(shè)置有P型SiC歐姆接觸層，P型SiC歐姆接觸層的上部設(shè)置有P型歐姆接觸電極，P型歐姆接觸電極的形狀與P型SiC歐姆接觸層相同，所述溝槽內(nèi)設(shè)置有肖特基電極，肖特基電極與臺階側(cè)面和溝槽底部均接觸，所述N型歐姆接觸電極和P型歐姆接觸電極均包括依次沉積的Ni層和Pt層，所述肖特基電極包括依次沉積的Ni層、Cr層和Au層，或者Ti層、Cr層和Au層，或者Pt層、Cr層和Au層。

技術(shù)研發(fā)人員：李佳;楊小艷;葛明;張林
受保護的技術(shù)使用者：長安大學(xué)
文檔號碼：201620668441
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.28
技術(shù)公布日：2017.05.31