1.實(shí)現(xiàn)超薄環(huán)境光與接近傳感器的晶圓級(jí)封裝，具有光感應(yīng)晶片、發(fā)光晶片、光學(xué)封罩和防護(hù)封罩；光感應(yīng)晶片位于光學(xué)封罩內(nèi)，光學(xué)封罩位于防護(hù)封罩內(nèi)；其特征在于，所述封裝的底層是RDL布線層，所述光感應(yīng)晶片和所述RDL布線層通過導(dǎo)線電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)超薄環(huán)境光與接近傳感器的晶圓級(jí)封裝，其特征在于，所述發(fā)光晶片的底部和RDL布線層電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)超薄環(huán)境光與接近傳感器的晶圓級(jí)封裝，其特征在于，還在RDL布線層的底面植入或覆蓋導(dǎo)體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的實(shí)現(xiàn)超薄環(huán)境光與接近傳感器的晶圓級(jí)封裝，其特征在于，所述在RDL布線層的底面植入或覆蓋導(dǎo)體的方式包括在底面的凸點(diǎn)底部金屬化層(UBM)上生成金屬焊盤、或金凸點(diǎn)、或焊料凸點(diǎn)中的一種。