1.一種溝槽型SiC MOSFET用原胞，其特征在于，所述原胞的基區(qū)的下方及溝槽底部均設(shè)置有一個再摻雜區(qū)，所述再摻雜區(qū)的摻雜類型和所述基區(qū)保持一致，和漂移區(qū)的摻雜類型相反；基區(qū)下方的再摻雜區(qū)為B區(qū)域，B區(qū)域與基區(qū)相連；溝槽底部的再摻雜區(qū)為C區(qū)域，C區(qū)域設(shè)置在溝槽的正下方；所述再摻雜區(qū)的深度比原胞的溝槽深0.2-1μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽型SiC MOSFET用原胞，其特征在于，所述B區(qū)域距離溝槽邊緣1-4μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的溝槽型SiC MOSFET用原胞，其特征在于，所述B區(qū)域距離溝槽邊緣1.5μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽型SiC MOSFET用原胞，其特征在于，所述C區(qū)域的寬度比溝槽的寬度小0.4-2μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽型SiC MOSFET用原胞，其特征在于，所述B區(qū)域和所述C區(qū)域不相連，二者之間的間隔為1.5-5μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽型SiC MOSFET用原胞，其特征在于，所述B區(qū)域和所述C區(qū)域相連，構(gòu)成另一種結(jié)構(gòu)原胞。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的溝槽型SiC MOSFET用原胞，其特征在于，所述原胞在組成器件的有源區(qū)結(jié)構(gòu)時，以所述B區(qū)域與所述C區(qū)域不相連結(jié)構(gòu)的原胞為主并聯(lián)排列；相連結(jié)構(gòu)的原胞稀疏分布，呈周期性排列。