1.一種發(fā)光二極管LED芯片，所述LED芯片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底的第一表面的N型層、發(fā)光層、P型層，所述P型層上設(shè)有延伸至所述N型層的凹槽，所述P型層上依次層疊有電流阻擋層、透明導(dǎo)電層、P型電極，所述N型層上設(shè)有N型電極，所述N型層、所述凹槽的側(cè)壁和所述透明導(dǎo)電層上覆蓋有鈍化層，所述襯底的第二表面設(shè)有反射層，所述襯底的第二表面為與所述襯底的第一表面相反的表面，其特征在于，所述LED芯片的側(cè)面與所述LED芯片的底面的夾角大于90°且小于180°，所述LED芯片的底面為所述反射層的表面，所述LED芯片的側(cè)面為所述LED芯片的底面的相鄰表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片的側(cè)面與所述LED芯片的底面的夾角為110°～130°。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片的側(cè)面與所述LED芯片的底面的夾角為125°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的LED芯片，其特征在于，所述襯底為藍(lán)寶石襯底、硅襯底或碳化硅襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的LED芯片，其特征在于，所述反射層為分布式布拉格反射鏡DBR或全方位反射鏡ODR。