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一種發(fā)光二極管LED芯片的制作方法

文檔序號(hào):11662750閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種發(fā)光二極管LED芯片,屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述LED芯片包括襯底、以及依次層疊在襯底的第一表面的N型層、發(fā)光層、P型層,P型層上設(shè)有延伸至N型層的凹槽,P型層上依次層疊有電流阻擋層、透明導(dǎo)電層、P型電極,N型層上設(shè)有N型電極,N型層、凹槽的側(cè)壁和透明導(dǎo)電層上覆蓋有鈍化層,襯底的第二表面設(shè)有反射層,襯底的第二表面為與襯底的第一表面相反的表面,LED芯片的側(cè)面與LED芯片的底面的夾角大于90°且小于180°,LED芯片的底面為反射層的表面,LED芯片的側(cè)面為L(zhǎng)ED芯片的底面的相鄰表面。本實(shí)用新型可以提高LED的出光效率。

技術(shù)研發(fā)人員:衛(wèi)婷;劉小星;顧小云;王力明
受保護(hù)的技術(shù)使用者:華燦光電(浙江)有限公司
文檔號(hào)碼:201620823649
技術(shù)研發(fā)日:2016.07.29
技術(shù)公布日:2017.07.28

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