本實(shí)用新型涉及照明領(lǐng)域，尤其是涉及一種CSP光源。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有普通五面發(fā)光CSP光源(Chip Scale Package,芯片級封裝)結(jié)構(gòu)如圖1、圖2所示，它由位于中部的發(fā)光芯片110和從上面和四周包圍發(fā)光芯片的熒光膠體120組成。其中，發(fā)光芯片110是電極位于芯片下部的倒裝芯片，使光源可以直接與應(yīng)用端基板焊接，省去焊線工序，同時(shí)避免了傳統(tǒng)SMD光源容易斷線死燈的信賴性問題；熒光膠由透明硅膠、熒光粉和輔助添加劑混合而成。

現(xiàn)有普通五面發(fā)光CSP光源的特點(diǎn)在于出光角度非常大，不僅可以從四周和上面五個(gè)面發(fā)光，有一部份光線也從底部發(fā)光芯片的外圍膠體發(fā)出，由于此特點(diǎn)，普通五面發(fā)光CSP光源由極佳的光均勻性；此外，這種五面出光的CSP光源因結(jié)構(gòu)簡單、物料組成種類少，使得這種光源的能節(jié)省了大量物料并且制程和工藝相對簡單。

但是現(xiàn)有五面發(fā)光CSP光源的結(jié)構(gòu)在具有較大出光角度的同時(shí)，也帶來了新的問題：

(1)由于五面都發(fā)光，導(dǎo)致光源中心亮度不足，無法將其應(yīng)用在如手機(jī)閃光燈等中心亮度需求較高的領(lǐng)域；

(2)在發(fā)光芯片底部外圍的熒光膠，受發(fā)光芯片發(fā)出的藍(lán)光激發(fā)后，產(chǎn)生的光會從下部發(fā)出，這一部份的光通常會因多次折射、反射等迅速衰減，導(dǎo)致光源的整體光通量降低，光的利用率也不高；

(3)由于熒光膠體裸露在外圍，當(dāng)膠體中熒光粉濃度過高時(shí)，在使用五面發(fā)光CSP光源的過程中，容易出現(xiàn)膠體碎裂、破損的情況，當(dāng)這種情況出現(xiàn)時(shí)，CSP光源的色坐標(biāo)、色溫等性能參數(shù)將發(fā)生較大偏移，CSP光源的這種性能偏差是不能容忍的，尤其是在電視背光、顯示屏技術(shù)等對光源的光電色參數(shù)精準(zhǔn)度相對較高的場合；

(4)普通五面發(fā)光CSP光源，發(fā)光芯片與熒光膠體的粘接是靠膠體自帶的固有粘接性能，這種粘接力很小，使得這種CSP光源在使用過程中，易出現(xiàn)熒光膠體與發(fā)光芯片脫離，導(dǎo)致光源失效的情況。

因此，提供一種亮度均勻、中心亮度足、光通量高、色溫穩(wěn)定、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的CSP光源及其制造方法實(shí)為必要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種整體亮度高、中心光強(qiáng)提高的CSP光源。

為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的，提供以下技術(shù)方案：

本實(shí)用新型提供一種CSP光源，其包括發(fā)光芯片，該發(fā)光芯片上設(shè)有熒光膠體層，該發(fā)光芯片和熒光膠體層的四周包圍有具有反光性能的外包膠體層。

本實(shí)用新型CSP光源設(shè)置了具有反光性能的外包膠體層，形成了聚光結(jié)構(gòu)，利于聚光，減少光通量損失，提升了光源的整體亮度，并且增大了中心光強(qiáng)；且由于熒光膠層位于藍(lán)光發(fā)光芯片的正上方，熒光粉可以被充分激發(fā)，提升了光源的出光效率。

優(yōu)選的，該CSP光源還包括有第一透明硅膠層、第二透明硅膠層，與所述發(fā)光芯片、熒光膠體層一起四層結(jié)構(gòu)由下而上依次設(shè)置的順序是：發(fā)光芯片、第一透明硅膠層、發(fā)光芯片、第二透明硅膠層，所述具有反光性能的外包膠體層包圍在該四層結(jié)構(gòu)四周。

優(yōu)選的，該外包膠體層為具有高反射性能和較高拉伸強(qiáng)度的白色膠體層。

對比現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)：

由于用具有高反射率的白色膠體形成了聚光結(jié)構(gòu)，利于聚光，減少光通量損失，提升了光源的整體亮度，并且增大了中心光強(qiáng)；

該白色膠體具有較強(qiáng)的拉伸斷裂強(qiáng)度，且彈性好，包圍著熒光膠膜和發(fā)光芯片后，在使用過程中起到緩沖作用，光源跌落或碰撞時(shí)，熒光膠膜和發(fā)光芯片不會損壞；

由于熒光膠層位于藍(lán)光發(fā)光芯片的正上方，熒光粉可以被充分激發(fā)，提升了光源的出光效率。

【附圖說明】

圖1為現(xiàn)有技術(shù)五面發(fā)光CSP光源的側(cè)視圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)五面發(fā)光CSP光源的俯視圖；

圖3為本實(shí)用新型CSP光源的側(cè)視圖；

圖4為本實(shí)用新型CSP光源的制造方法的流程示意圖。

【具體實(shí)施方式】

請參閱圖3，本實(shí)施例中，本實(shí)用新型CSP光源包括由下而上依次設(shè)置的發(fā)光芯片210、第一透明硅膠層230、熒光膠體層240、第二透明硅膠層250，在所述發(fā)光芯片210、第一透明硅膠層230、熒光膠體層240、第二透明硅膠層250四層結(jié)構(gòu)的四周包圍有具有反光性能的外包膠體層220。

該外包膠體層220為具有高反射性能和較高拉伸強(qiáng)度的白色膠體層。

具體地，該外包膠體層220與發(fā)光芯片210組合成類似碗狀結(jié)構(gòu)。發(fā)光芯片210底部及其底部設(shè)置的電極露出。

作為可替換實(shí)施方式，可以在該發(fā)光芯片210上設(shè)有熒光膠體層，在該發(fā)光芯片和熒光膠體層的四周包圍有具有反光性能的外包膠體層。

本實(shí)用新型CSP光源設(shè)置了具有反光性能的外包膠體層220，形成了聚光結(jié)構(gòu)，利于聚光，減少光通量損失，提升了光源的整體亮度，并且增大了中心光強(qiáng)；且由于熒光膠層位于藍(lán)光發(fā)光芯片的正上方，熒光粉可以被充分激發(fā)，提升了光源的出光效率。

請參與圖4，本實(shí)用新型CSP光源的制造方法，其包括如下步驟：

S1、將透明硅膠膜粘貼在載板上；

S2、通過熒光膠膜自有的黏性，將熒光膠膜粘貼在上述透明硅膠膜上，并在真空、加熱、加壓條件下壓合；

S3、在熒光膠膜上涂覆液態(tài)透明硅膠膜，涂覆方式為點(diǎn)膠或者印刷；

S4、將多個(gè)發(fā)光芯片反向(電極朝上)貼裝在液態(tài)的透明硅膠膜上并在真空條件下加熱固化；

S5、沿相鄰發(fā)光芯片的透明硅膠層中間切割出特定寬度溝道，切割時(shí)同時(shí)且斷S1和S2所述的透明硅膠層和熒光膠層；

S6、在切出的溝道中涂覆具有反光性能的白色膠體，白色膠體不能淹沒芯片電極，并在真空、加熱條件下固化，該白色膠體為具有高反射性能和較高拉伸強(qiáng)度的白色膠體；

S7、沿相鄰發(fā)光芯片的中間將白色膠體切斷；

S8、將步驟S7所得光源分離形成單個(gè)CSP光源。

步驟S1中，所述載板可以是玻璃基板或不銹鋼板，且載板上須有Mark點(diǎn)，作為排列芯片和切割等工序的識別點(diǎn)；該透明硅膠膜成型后即為上述第二透明硅膠層250。

步驟S2中，該熒光膠膜成型后即為上述結(jié)構(gòu)的熒光膠體層240。

步驟S3中，該液態(tài)透明硅膠模成型后即為上述結(jié)構(gòu)的第一透明硅膠層230。

步驟S6中，在切出的溝道中涂覆的白色膠體成型后即為上述結(jié)構(gòu)的外包膠體層220。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何基于本實(shí)用新型技術(shù)方案上的等效變換均屬于本實(shí)用新型保護(hù)范圍之內(nèi)。