本實(shí)用新型涉及IBC太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種新型背電極的IBC太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

太陽(yáng)能是備受青睞的可再生綠色能源，而將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成電能的太陽(yáng)能電池受到越來越多的重視。隨著太陽(yáng)能電池技術(shù)的發(fā)展，目前已經(jīng)開發(fā)了多種結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池，并且已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。IBC太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)是其中一種性能優(yōu)越的電池結(jié)構(gòu)。

現(xiàn)有技術(shù)中IBC太陽(yáng)能電池通常采用N型硅作為襯底材料，為了進(jìn)一步減小襯底中光生載流子的漂移距離，從而提高光電轉(zhuǎn)換效率，現(xiàn)有技術(shù)中大多在硅片背面摻雜形成指狀交叉的N+重?fù)诫s區(qū)和P+重?fù)诫s區(qū)?？墒怯捎谥圃旃に嚨南拗埔约爸笭铍姌O結(jié)構(gòu)串聯(lián)電阻的影響，指狀交叉結(jié)構(gòu)對(duì)于光電轉(zhuǎn)換效率的提高存在一定限度。此外，常規(guī)采用的各種外延沉積技術(shù)形成的鈍化層，其結(jié)構(gòu)致密性較差，使得載流子在硅片表面存在較大的表面復(fù)合，從而想要更進(jìn)一步提高光電轉(zhuǎn)化率，現(xiàn)有技術(shù)中卻沒有更好的辦法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是：提供一種新型的IBC太陽(yáng)能電池，進(jìn)一步提高IBC太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

本實(shí)用新型的具體技術(shù)方案是，一種IBC太陽(yáng)能電池，包括N型硅片、P+重?fù)诫s區(qū)、N+重?fù)诫s區(qū)、第一鈍化層、第二鈍化層，P+重?fù)诫s區(qū)和N+重?fù)诫s區(qū)交替布置在型硅片的背面，并且重?fù)诫s區(qū)分布位置靠近N型硅片內(nèi)側(cè)與N+重?fù)诫s區(qū)形成凹槽；P+重?fù)诫s區(qū)與N+重?fù)诫s區(qū)通過N型硅片隔開；P+重?fù)诫s區(qū)和N+重?fù)诫s區(qū)表面上設(shè)置有第一鈍化層及第二鈍化層；第一鈍化層為熱氧化獲得的二氧化硅層，第二鈍化層為氮化硅層；所述P+重?fù)诫s區(qū)形成在相鄰N+重?fù)诫s區(qū)之間的凹槽中。

具體的第一鈍化層是通過干氧熱氧化獲得的二氧化硅層，考慮到表面摻雜劑擴(kuò)散之后的熱氧化會(huì)使重?fù)诫s區(qū)減薄，因此第一鈍化層的厚度可以優(yōu)選為5nm至10nm，第二鈍化層是通過PECVD獲得的氮化硅層，該層的厚度可以為100nm至200nm。

第一鈍化層厚度最好為6nm。

具體地，相鄰N+重?fù)诫s區(qū)中間的凹槽可以通過濕法腐蝕工藝或干法工藝來形成，凹槽深度可以優(yōu)選為5μm至30μm。在硅片上形成凹槽之后，再進(jìn)行硼擴(kuò)散以在凹槽中形成P+重?fù)诫s區(qū)。

凹槽深度最好為15μm。

P+重?fù)诫s區(qū)和N+重?fù)诫s區(qū)穿過第一鈍化層、第二鈍化層引出電極A、電極B。

本實(shí)用新型的有益效果是：由熱氧化獲得的二氧化硅鈍化層結(jié)構(gòu)致密，具有良好的鈍化效果，減小了光生載流子的表面復(fù)合，由于P+重?fù)诫s區(qū)形成在凹入硅片內(nèi)的凹槽中，因此減小了N型硅片中少數(shù)載流子的漂移距離，有利于光生載流子到達(dá)電極，使電池的光電轉(zhuǎn)換效率更高。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需實(shí)用的附圖作簡(jiǎn)單介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖，這些附圖所直接得到的技術(shù)方案也應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

圖1是本實(shí)用新型的IBC太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式做詳細(xì)說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施方式的限制。

實(shí)施例1如圖1中所示，一種IBC太陽(yáng)能電池，包括N型硅片10、P+重?fù)诫s區(qū)21、N+重?fù)诫s區(qū)22、第一鈍化層31、第二鈍化層32，P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22交替布置在N型硅片10的背面，并且P+重?fù)诫s區(qū)21分布位置靠近N型硅片10內(nèi)側(cè)與N+重?fù)诫s區(qū)22形成凹槽；P+重?fù)诫s區(qū)21與N+重?fù)诫s區(qū)22通過N型硅片10隔開；P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22表面上設(shè)置有第一鈍化層31及第二鈍化層32；所述第一鈍化層31為二氧化硅層，所述第二鈍化層32為氮化硅層；所述P+重?fù)诫s區(qū)21形成在相鄰N+重?fù)诫s區(qū)22之間的凹槽中。由于P+重?fù)诫s區(qū)21形成在凹入硅片內(nèi)的凹槽中，因此減小了N型硅片10中少數(shù)載流子的漂移距離，有利于光生載流子到達(dá)電極，使電池的光電轉(zhuǎn)換效率更高。

實(shí)施例2如圖1中所示，一種IBC太陽(yáng)能電池，包括N型硅片10、P+重?fù)诫s區(qū)21、N+重?fù)诫s區(qū)22、第一鈍化層31、第二鈍化層32，P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22交替布置在N型硅片10的背面，并且P+重?fù)诫s區(qū)21分布位置靠近N型硅片10內(nèi)側(cè)與N+重?fù)诫s區(qū)22形成凹槽；P+重?fù)诫s區(qū)21與N+重?fù)诫s區(qū)22通過N型硅片10隔開；P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22表面上設(shè)置有第一鈍化層31及第二鈍化層32；其中第一鈍化層31為熱氧化二氧化硅層，所述第二鈍化層32為氮化硅層；所述P+重?fù)诫s區(qū)21形成在相鄰N+重?fù)诫s區(qū)22之間的凹槽中。由于P+重?fù)诫s區(qū)21形成在凹入硅片內(nèi)的凹槽中，因此減小了N型硅片10中少數(shù)載流子的漂移距離，有利于光生載流子到達(dá)電極，使電池的光電轉(zhuǎn)換效率更高。

實(shí)施例3如圖1中所示，一種IBC太陽(yáng)能電池，包括N型硅片10、P+重?fù)诫s區(qū)21、N+重?fù)诫s區(qū)22、第一鈍化層31、第二鈍化層32，P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22交替布置在N型硅片10的背面，并且P+重?fù)诫s區(qū)21分布位置靠近N型硅片10內(nèi)側(cè)與N+重?fù)诫s區(qū)22形成凹槽；P+重?fù)诫s區(qū)21與N+重?fù)诫s區(qū)22通過N型硅片10隔開；P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22表面上設(shè)置有第一鈍化層31及第二鈍化層32；其中第一鈍化層31為熱氧化二氧化硅層，所述第二鈍化層32為氮化硅層；所述P+重?fù)诫s區(qū)21形成在相鄰N+重?fù)诫s區(qū)22之間的凹槽中。P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22穿過第一鈍化層31、第二鈍化層32引出電極A41、電極B42。由于P+重?fù)诫s區(qū)21形成在凹入硅片內(nèi)的凹槽中，因此減小了N型硅片10中少數(shù)載流子的漂移距離，有利于光生載流子到達(dá)電極，使電池的光電轉(zhuǎn)換效率更高。

實(shí)施例4如圖1中所示，一種IBC太陽(yáng)能電池，包括N型硅片10、P+重?fù)诫s區(qū)21、N+重?fù)诫s區(qū)22、第一鈍化層31、第二鈍化層32，P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22交替布置在N型硅片10的背面，并且P+重?fù)诫s區(qū)21分布位置靠近N型硅片10內(nèi)側(cè)與N+重?fù)诫s區(qū)22形成凹槽；P+重?fù)诫s區(qū)21與N+重?fù)诫s區(qū)22通過N型硅片10和第一鈍化層31隔開；P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22表面上設(shè)置有第一鈍化層31及第二鈍化層32；所述第一鈍化層31為熱氧化二氧化硅層厚度為5nm，所述第二鈍化層32為通過PECVD獲得的氮化硅層；所述P+重?fù)诫s區(qū)21形成在相鄰N+重?fù)诫s區(qū)22之間的凹槽中。P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22穿過第一鈍化層31、第二鈍化層32引出電極A41、電極B42。由熱氧化獲得的二氧化硅鈍化層結(jié)構(gòu)致密，具有良好的鈍化效果，減小了光生載流子的表面復(fù)合；由于P+重?fù)诫s區(qū)21形成在凹入硅片內(nèi)的凹槽中，因此減小了N型硅片10中少數(shù)載流子的漂移距離，有利于光生載流子到達(dá)電極，使電池的光電轉(zhuǎn)換效率更高。

實(shí)施例5如圖1中所示，一種IBC太陽(yáng)能電池，包括N型硅片10、P+重?fù)诫s區(qū)21、N+重?fù)诫s區(qū)22、第一鈍化層31、第二鈍化層32，P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22交替布置在N型硅片10的背面，并且P+重?fù)诫s區(qū)21分布位置靠近N型硅片10內(nèi)側(cè)與N+重?fù)诫s區(qū)22形成凹槽；P+重?fù)诫s區(qū)21與N+重?fù)诫s區(qū)22通過N型硅片10和第一鈍化層31隔開；P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22表面上設(shè)置有第一鈍化層31及第二鈍化層32；所述第一鈍化層31為熱氧化二氧化硅層厚度為7nm，所述第二鈍化層32為通過PECVD獲得的氮化硅層；所述P+重?fù)诫s區(qū)21形成在相鄰N+重?fù)诫s區(qū)22之間的凹槽中。P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22穿過第一鈍化層31、第二鈍化層32引出電極A41、電極B42。由熱氧化獲得的二氧化硅鈍化層結(jié)構(gòu)致密，具有良好的鈍化效果，減小了光生載流子的表面復(fù)合；由于P+重?fù)诫s區(qū)21形成在凹入硅片內(nèi)的凹槽中，因此減小了N型硅片10中少數(shù)載流子的漂移距離，有利于光生載流子到達(dá)電極，使電池的光電轉(zhuǎn)換效率更高。

實(shí)施例6如圖1中所示，一種IBC太陽(yáng)能電池，包括N型硅片10、P+重?fù)诫s區(qū)21、N+重?fù)诫s區(qū)22、第一鈍化層31、第二鈍化層32，P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22交替布置在N型硅片10的背面，并且P+重?fù)诫s區(qū)21分布位置靠近N型硅片10內(nèi)側(cè)與N+重?fù)诫s區(qū)22形成凹槽；P+重?fù)诫s區(qū)21與N+重?fù)诫s區(qū)22通過N型硅片10和第一鈍化層31隔開；P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22表面上設(shè)置有第一鈍化層31及第二鈍化層32；所述第一鈍化層31為熱氧化二氧化硅層厚度為10nm，所述第二鈍化層32為通過PECVD獲得的氮化硅層；所述P+重?fù)诫s區(qū)21形成在相鄰N+重?fù)诫s區(qū)22之間的凹槽中。P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22穿過第一鈍化層31、第二鈍化層32引出電極A41、電極B42。由熱氧化獲得的二氧化硅鈍化層結(jié)構(gòu)致密，具有良好的鈍化效果，減小了光生載流子的表面復(fù)合；由于P+重?fù)诫s區(qū)21形成在凹入硅片內(nèi)的凹槽中，因此減小了N型硅片10中少數(shù)載流子的漂移距離，有利于光生載流子到達(dá)電極，使電池的光電轉(zhuǎn)換效率更高。

實(shí)施例7如圖1中所示，一種IBC太陽(yáng)能電池，包括N型硅片10、P+重?fù)诫s區(qū)21、N+重?fù)诫s區(qū)22、第一鈍化層31、第二鈍化層32，P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22交替布置在N型硅片10的背面，并且P+重?fù)诫s區(qū)21分布位置靠近N型硅片10內(nèi)側(cè)與N+重?fù)诫s區(qū)22形成凹槽；P+重?fù)诫s區(qū)21與N+重?fù)诫s區(qū)22通過N型硅片10和第一鈍化層31隔開；P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22表面上設(shè)置有第一鈍化層31及第二鈍化層32厚度為6nm；所述第一鈍化層31為熱氧化二氧化硅層，所述第二鈍化層32為通過PECVD獲得的氮化硅層；所述P+重?fù)诫s區(qū)21形成在相鄰N+重?fù)诫s區(qū)22之間的凹槽中。P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22穿過第一鈍化層31、第二鈍化層32引出電極A41、電極B42。由熱氧化獲得的二氧化硅鈍化層結(jié)構(gòu)致密，具有良好的鈍化效果，減小了光生載流子的表面復(fù)合；由于P+重?fù)诫s區(qū)21形成在凹入硅片內(nèi)的凹槽中，因此減小了N型硅片10中少數(shù)載流子的漂移距離，有利于光生載流子到達(dá)電極，使電池的光電轉(zhuǎn)換效率更高。本實(shí)施例中第一鈍化層設(shè)計(jì)為最優(yōu)設(shè)計(jì)鈍化效果最好。

實(shí)施例8如圖1中所示，一種IBC太陽(yáng)能電池，包括N型硅片10、P+重?fù)诫s區(qū)21、N+重?fù)诫s區(qū)22、第一鈍化層31、第二鈍化層32，P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22交替布置在N型硅片10的背面，并且P+重?fù)诫s區(qū)21分布位置靠近N型硅片10內(nèi)側(cè)與N+重?fù)诫s區(qū)22形成凹槽；P+重?fù)诫s區(qū)21與N+重?fù)诫s區(qū)22通過N型硅片10隔開；P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22表面上設(shè)置有第一鈍化層31及第二鈍化層32；其中第一鈍化層31為熱氧化二氧化硅層，所述第二鈍化層32為氮化硅層厚度為100nm；所述P+重?fù)诫s區(qū)21形成在相鄰N+重?fù)诫s區(qū)22之間的凹槽中。P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22穿過第一鈍化層31、第二鈍化層32引出電極A41、電極B42。由于P+重?fù)诫s區(qū)21形成在凹入硅片內(nèi)的凹槽中，因此減小了N型硅片10中少數(shù)載流子的漂移距離，有利于光生載流子到達(dá)電極，使電池的光電轉(zhuǎn)換效率更高。

實(shí)施例9如圖1中所示，一種IBC太陽(yáng)能電池，包括N型硅片10、P+重?fù)诫s區(qū)21、N+重?fù)诫s區(qū)22、第一鈍化層31、第二鈍化層32，P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22交替布置在N型硅片10的背面，并且P+重?fù)诫s區(qū)21分布位置靠近N型硅片10內(nèi)側(cè)與N+重?fù)诫s區(qū)22形成凹槽；P+重?fù)诫s區(qū)21與N+重?fù)诫s區(qū)22通過N型硅片10隔開；P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22表面上設(shè)置有第一鈍化層31及第二鈍化層32；其中第一鈍化層31為熱氧化二氧化硅層，所述第二鈍化層32為氮化硅層厚度為150nm；所述P+重?fù)诫s區(qū)21形成在相鄰N+重?fù)诫s區(qū)22之間的凹槽中。P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22穿過第一鈍化層31、第二鈍化層32引出電極A41、電極B42。由于P+重?fù)诫s區(qū)21形成在凹入硅片內(nèi)的凹槽中，因此減小了N型硅片10中少數(shù)載流子的漂移距離，有利于光生載流子到達(dá)電極，使電池的光電轉(zhuǎn)換效率更高。

實(shí)施例10如圖1中所示，一種IBC太陽(yáng)能電池，包括N型硅片10、P+重?fù)诫s區(qū)21、N+重?fù)诫s區(qū)22、第一鈍化層31、第二鈍化層32，P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22交替布置在N型硅片10的背面，并且P+重?fù)诫s區(qū)21分布位置靠近N型硅片10內(nèi)側(cè)與N+重?fù)诫s區(qū)22形成凹槽；P+重?fù)诫s區(qū)21與N+重?fù)诫s區(qū)22通過N型硅片10隔開；P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22表面上設(shè)置有第一鈍化層31及第二鈍化層32；其中第一鈍化層31為熱氧化二氧化硅層，所述第二鈍化層32為氮化硅層厚度為200nm；所述P+重?fù)诫s區(qū)21形成在相鄰N+重?fù)诫s區(qū)22之間的凹槽中。P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22穿過第一鈍化層31、第二鈍化層32引出電極A41、電極B42。由于P+重?fù)诫s區(qū)21形成在凹入硅片內(nèi)的凹槽中，因此減小了N型硅片10中少數(shù)載流子的漂移距離，有利于光生載流子到達(dá)電極，使電池的光電轉(zhuǎn)換效率更高。

實(shí)施例11如圖1中所示，一種IBC太陽(yáng)能電池，包括N型硅片10、P+重?fù)诫s區(qū)21、N+重?fù)诫s區(qū)22、第一鈍化層31、第二鈍化層32，P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22交替布置在N型硅片10的背面，并且P+重?fù)诫s區(qū)21分布位置靠近N型硅片10內(nèi)側(cè)與N+重?fù)诫s區(qū)22形成凹槽，凹槽深度為5μm；P+重?fù)诫s區(qū)21與N+重?fù)诫s區(qū)22通過N型硅片10隔開；P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22表面上設(shè)置有第一鈍化層31及第二鈍化層32；其中第一鈍化層31為熱氧化二氧化硅層，所述第二鈍化層32為氮化硅層；所述P+重?fù)诫s區(qū)21形成在相鄰N+重?fù)诫s區(qū)22之間的凹槽中。由于P+重?fù)诫s區(qū)21形成在凹入硅片內(nèi)的凹槽中，因此減小了N型硅片10中少數(shù)載流子的漂移距離，有利于光生載流子到達(dá)電極，使電池的光電轉(zhuǎn)換效率更高。

實(shí)施例12如圖1中所示，一種IBC太陽(yáng)能電池，包括N型硅片10、P+重?fù)诫s區(qū)21、N+重?fù)诫s區(qū)22、第一鈍化層31、第二鈍化層32，P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22交替布置在N型硅片10的背面，并且P+重?fù)诫s區(qū)21分布位置靠近N型硅片10內(nèi)側(cè)與N+重?fù)诫s區(qū)22形成凹槽，凹槽深度為15μm；P+重?fù)诫s區(qū)21與N+重?fù)诫s區(qū)22通過N型硅片10隔開；P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22表面上設(shè)置有第一鈍化層31及第二鈍化層32；其中第一鈍化層31為熱氧化二氧化硅層，所述第二鈍化層32為氮化硅層；所述P+重?fù)诫s區(qū)21形成在相鄰N+重?fù)诫s區(qū)22之間的凹槽中。由于P+重?fù)诫s區(qū)21形成在凹入硅片內(nèi)的凹槽中，因此減小了N型硅片10中少數(shù)載流子的漂移距離，有利于光生載流子到達(dá)電極，使電池的光電轉(zhuǎn)換效率更高。

實(shí)施例13如圖1中所示，一種IBC太陽(yáng)能電池，包括N型硅片10、P+重?fù)诫s區(qū)21、N+重?fù)诫s區(qū)22、第一鈍化層31、第二鈍化層32，P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22交替布置在N型硅片10的背面，并且P+重?fù)诫s區(qū)21分布位置靠近N型硅片10內(nèi)側(cè)與N+重?fù)诫s區(qū)22形成凹槽，凹槽深度為30μm；P+重?fù)诫s區(qū)21與N+重?fù)诫s區(qū)22通過N型硅片10隔開；P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22表面上設(shè)置有第一鈍化層31及第二鈍化層32；其中第一鈍化層31為熱氧化二氧化硅層，所述第二鈍化層32為氮化硅層；所述P+重?fù)诫s區(qū)21形成在相鄰N+重?fù)诫s區(qū)22之間的凹槽中。由于P+重?fù)诫s區(qū)21形成在凹入硅片內(nèi)的凹槽中，因此減小了N型硅片10中少數(shù)載流子的漂移距離，有利于光生載流子到達(dá)電極，使電池的光電轉(zhuǎn)換效率更高。

實(shí)施例14如圖1中所示，一種IBC太陽(yáng)能電池，包括N型硅片10、P+重?fù)诫s區(qū)21、N+重?fù)诫s區(qū)22、第一鈍化層31、第二鈍化層32，P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22交替布置在N型硅片10的背面，并且P+重?fù)诫s區(qū)21分布位置靠近N型硅片10內(nèi)側(cè)與N+重?fù)诫s區(qū)22形成凹槽，凹槽深度為15μm；P+重?fù)诫s區(qū)21與N+重?fù)诫s區(qū)22通過N型硅片10隔開；P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22表面上設(shè)置有第一鈍化層31及第二鈍化層32；其中第一鈍化層31為熱氧化二氧化硅層，厚度為6nm；所述第二鈍化層32為通過PECVD獲得的氮化硅層，厚度為200nm；所述P+重?fù)诫s區(qū)21形成在相鄰N+重?fù)诫s區(qū)22之間的凹槽中。P+重?fù)诫s區(qū)21和N+重?fù)诫s區(qū)22穿過第一鈍化層31、第二鈍化層32引出電極A41、電極B42。本實(shí)施例為本實(shí)用新型的最優(yōu)實(shí)施例，由于P+重?fù)诫s區(qū)21形成在凹入硅片內(nèi)的凹槽中，因此顯著減小了N型硅片10中少數(shù)載流子的漂移距離，有利于光生載流子到達(dá)電極，使電池的光電轉(zhuǎn)換效率更高。