技術總結
本實用新型涉及IBC太陽能電池技術領域，特別是涉及一種新型背電極的IBC太陽能電池，包括N型硅片(10)、P+重摻雜區(qū)(21)、N+重摻雜區(qū)(22)、第一鈍化層(31)、第二鈍化層(32)，P+重摻雜區(qū)(21)和N+重摻雜區(qū)(22)交替布置在N型硅片(10)的背面；所述P+重摻雜區(qū)(21)形成在相鄰N+重摻雜區(qū)(22)之間的凹槽中。該實用新型具有良好的鈍化效果，減小了光生載流子的表面復合，N型硅片中少數(shù)載流子的漂移距離更小，電池的光電轉換效率更高。

技術研發(fā)人員：郭輝;董鵬;張玉明;張晨旭;屈小勇
受保護的技術使用者：西安電子科技大學;國家電投集團西安太陽能電力有限公司
文檔號碼：201621186924
技術研發(fā)日：2016.10.28
技術公布日：2017.05.17