本實(shí)用新型涉及一種散熱蓋接地封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

目前傳統(tǒng)的PBGA散熱蓋接地導(dǎo)電通常有導(dǎo)電膠水和錫球兩種方法，上述傳統(tǒng)工藝方法的缺點(diǎn)為：

1、接地電阻阻值過大，接地點(diǎn)電位不為零，使得不能正常對(duì)地放電，易燒毀內(nèi)部電路，或者傷害接觸的人；

2、導(dǎo)電膠水中存在不導(dǎo)電填充物，導(dǎo)電物質(zhì)和不導(dǎo)電物質(zhì)分離或集中導(dǎo)致電阻值不穩(wěn)定，往往由于導(dǎo)電物質(zhì)沉積產(chǎn)生分離而電阻值偏大，不能夠同時(shí)兼顧高導(dǎo)電率和粘結(jié)作用；

3、錫和銀的電阻率為11：1.5，相同的面積和長(zhǎng)度，錫的電阻約是銀7倍，其次錫球連接，回流溫度高，對(duì)封裝材料要求高，回流后厚度不好控制，回流后需要水洗，水洗易沖線造成short，MD存在溢膠風(fēng)險(xiǎn)，工藝成本高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種能夠有效降低散熱蓋接地電阻的散熱蓋接地封裝結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型解決上述問題所采用的技術(shù)方案為：一種散熱蓋接地封裝結(jié)構(gòu)，它包括基板，所述基板上設(shè)置有芯片，所述芯片周圍設(shè)置有若干個(gè)開口，所述開口內(nèi)設(shè)置有若干接地墊，所述接地墊上采用球焊打線技術(shù)設(shè)置有若干線弧，所述開口內(nèi)填充有膠水，所述接地墊和線弧包覆于膠水內(nèi)，所述膠水上設(shè)置有散熱片，所述散熱片底部與線弧相接觸，所述芯片和散熱片外圍包封有塑封料。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：

本實(shí)用新型一種散熱蓋接地封裝結(jié)構(gòu)，它采用一定粘度的膠水，膠水表面張力可以支撐散熱蓋，散熱蓋因自身重量和上片壓力與若干焊線及膠材接觸粘接，可以有效控制散熱蓋接地電阻低水平。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型一種散熱蓋接地封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖2~圖7為本實(shí)用新型一種散熱蓋接地封裝結(jié)構(gòu)工藝方法的各工序流程圖。

其中：

基板1

芯片2

開口3

接地墊4

線弧5

膠水6

散熱片7

塑封料8。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

如圖1所示，本實(shí)施例中的一種散熱蓋接地封裝結(jié)構(gòu)，它包括基板1，所述基板1上設(shè)置有芯片2，所述芯片2周圍設(shè)置有若干個(gè)開口3，所述開口3內(nèi)設(shè)置有若干接地墊4，所述接地墊4上采用球焊打線技術(shù)設(shè)置有若干線弧5，所述開口3內(nèi)填充有膠水6，所述接地墊4和線弧5包覆于膠水6內(nèi)，所述膠水6上設(shè)置有接地、散熱和屏蔽信號(hào)作用散熱片7，所述散熱片7底部與線弧5相接觸，所述芯片2和散熱片7外圍包封有塑封料8。

所述膠水6具有一定的粘度。

其工藝方法如下：

步驟一、參見圖2，取一基板，基板上具有若干開口，開口內(nèi)設(shè)置接地墊；

步驟二、參見圖3，在基板上設(shè)置芯片；

步驟三、參見圖4，在接地墊上通過球焊打線技術(shù)在接地墊上拉出線??；

步驟四、參見圖5，在打完線弧的開口內(nèi)填充膠水，膠水的膠量和粘度要求可以支撐設(shè)計(jì)高度，保證基板與散熱蓋的結(jié)合力；

步驟五、參見圖6，在膠水上放置散熱蓋，使用壓力貼裝散熱蓋，使散熱蓋能充分接觸線弧，實(shí)現(xiàn)電性連接，并通過線弧電性連接到下面基板上；

膠水的張力可以起到一定的承托作用，使散熱蓋不至于把若干焊線壓塌；

步驟六、烘烤固化，使散熱蓋通過膠水和基板粘接，形成固定的結(jié)構(gòu)；

步驟七、參見圖7，塑封、切割。

除上述實(shí)施例外，本實(shí)用新型還包括有其他實(shí)施方式，凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術(shù)方案，均應(yīng)落入本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。