1.一種高磷組分砷磷化鎵光電陰極，其特征在于：設(shè)有：砷化鎵(GaAs)襯底、砷化鎵(GaAs)襯底上設(shè)置有砷化鎵(GaAs)緩沖層，砷化鎵(GaAs)緩沖層上設(shè)置有組分漸變緩沖層，組分漸變緩沖層上設(shè)置有變In組分的磷化鋁鎵銦的應(yīng)力調(diào)制層，應(yīng)力調(diào)制層上設(shè)置有P型目標(biāo)砷磷化鎵(GaAsxP1-x)光子發(fā)射層,目標(biāo)P型砷磷化鎵(GaAsxP1-x)光子發(fā)射層上設(shè)置有P型砷化鎵(GaAs)蓋帽層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高磷組分砷磷化鎵光電陰極，其特征在于：所述變In組分磷化鋁鎵銦的應(yīng)力調(diào)制層是由交替生長的不同的低In組分磷化鋁鎵銦(Inz(AlxGa1-x)1-zP)和高In組分磷化鋁鎵銦Iny(AlxGa1-x)1-yP材料組成，其中，x的范圍為0-1；y的范圍為0.3-0.7；z的范圍為0.3-0.7；兩層中x值，可依據(jù)目標(biāo)層砷磷化鎵(GaAsxP1-X)中的磷(P)組分的大小進行調(diào)節(jié)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高磷組分砷磷化鎵光電陰極，其特征在于：所述組分漸變緩沖層為：砷磷化鎵(GaAsxP1-x)材料，其中，P組分由0開始逐漸增加，且x的范圍為0—0.4，厚度為50納米至3微米；目標(biāo)層為砷磷化鎵(GaAsxP1-x)材料，其中：x的范圍為0-0.45。