技術(shù)總結(jié)
本公開的實施例涉及一種相變存儲器單元、芯片及電子系統(tǒng)。相變存儲器單元(1’)包括：襯底(2)，容納包括第一導(dǎo)電電極(4)的用于選擇存儲器單元(1’)的晶體管(15)；在選擇晶體管(15)上的第一電絕緣層(10)；穿過電絕緣層(10)的第一導(dǎo)電通孔(11a)，被電耦合至第一導(dǎo)電電極(4)；加熱器元件(34’)，包括與第一導(dǎo)電通孔(11a)電接觸的第一部分和與第一部分電連續(xù)且正交于第一部分延伸的第二部分；第一保護元件(32’)，在加熱器元件(34’)的第一和第二部分上延伸；第二保護元件(40’)，與加熱器元件(34’)的第一部分并與第一保護元件(32’)直接橫向接觸地延伸；以及相變區(qū)域(50)，在加熱器元件(34’)之上與加熱器元件(34’)電且熱接觸地延伸。

技術(shù)研發(fā)人員：P·祖里亞尼;G·孔法洛涅里;A·吉拉爾迪尼;C·L·佩瑞里尼
受保護的技術(shù)使用者：意法半導(dǎo)體股份有限公司
文檔號碼：201621479730
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.30
技術(shù)公布日：2017.10.27