本實(shí)用新型涉及散熱技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種雙面散熱的功率模塊。

背景技術(shù)：

雙面散熱功率模塊是近年來各大功率器件公司在努力開發(fā)的具有高散熱性能的功率模塊，如圖1所示，較高的散熱性能允許在一個(gè)雙面散熱功率模塊中集成兩個(gè)IGBT（insulated gate bipolar transistor，絕緣柵雙極型晶體管）芯片313和323，一般的做法是將第一IGBT芯片313和第二IGBT芯片323的背面焊接在同一塊散熱板202上，正面也通過第一電氣轉(zhuǎn)接塊314和第二電氣轉(zhuǎn)接塊324焊接在另一塊散熱板102上，而此種做法需要在兩個(gè)IGBT芯片之間設(shè)置間隔件6，增加了工藝難度，容易產(chǎn)生誤差，影響效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的旨在提供一種雙面散熱功率模塊，通過將IGBT芯片焊接在不同的散熱板上，取消了間隔件，簡化了工藝。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供了一種雙面散熱功率模塊，該雙面散熱功率模塊，包括：第一散熱板、第二散熱板、第一IGBT芯片、第二IGBT芯片、第一電氣轉(zhuǎn)接塊和第二電氣轉(zhuǎn)接塊，所述第一IGBT芯片電連接在第二散熱板上，所述第一電氣轉(zhuǎn)接塊電連接在第一IGBT芯片和第一散熱板之間；所述第二IGBT芯片電連接在第一散熱板上，所述第二電氣轉(zhuǎn)接塊電連接在第二IGBT芯片和第二散熱板之間。

根據(jù)本實(shí)用新型的雙面散熱功率模塊，將兩個(gè)IGBT芯片焊接在不同的散熱板上，不需要設(shè)置間隔件，簡化了工藝。

優(yōu)選地，所述第一散熱板上設(shè)置有第一金屬板，所述第二散熱板上設(shè)置有第二金屬板和第三金屬板，所述第一IGBT芯片的背面電連接在所述第二金屬板上，所述第二IGBT芯片的背面電連接在所述第一金屬板上；所述第一IGBT芯片的正面通過第一電氣轉(zhuǎn)接塊與第一金屬板電連接，所述第二IGBT芯片的正面通過第二電氣轉(zhuǎn)接塊與第三金屬板電連接。

優(yōu)選地，所述雙面散熱功率模塊還包括正極功率端子、負(fù)極功率端子和交流功率端子，所述正極功率端子連接第二金屬板，所述交流功率端子連接第一金屬板，所述負(fù)極功率端子連接第三金屬板。

優(yōu)選地，所述第一散熱板和第二散熱板為表面覆導(dǎo)電金屬材料的絕緣板。

優(yōu)選地，所述第一散熱板和第二散熱板為DBC基板。

優(yōu)選地，所述電氣轉(zhuǎn)接塊為銅或銅鉬合金。

優(yōu)選地，所述第一金屬板、第二金屬板和第三金屬板為銅板。

附圖說明

本實(shí)用新型上述的和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1為現(xiàn)有的雙面散熱功率模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例的雙面散熱功率模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。

說明書中的附圖標(biāo)記如下：

101、第一散熱板；201、第二散熱板； 311、第一IGBT芯片；312、第一電氣轉(zhuǎn)接塊； 321、第二IGBT芯片；322、第二電氣轉(zhuǎn)接塊；401、第一金屬板；402、第二金屬板；403、第三金屬板；501、正極功率端子；502、交流功率端子；503、負(fù)極功率端子；6、間隔件。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本實(shí)用新型，而不能解釋為對(duì)本實(shí)用新型的限制。

下文的公開提供了許多不同的實(shí)施例或例子用來實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的不同結(jié)構(gòu)。為了簡化本實(shí)用新型的公開，下文中對(duì)特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本實(shí)用新型。此外，本實(shí)用新型可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。

在本實(shí)用新型的描述中，需要說明的是，除非另有規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是機(jī)械連接或電連接，也可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通，可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語的具體含義。

參照下面的描述和附圖，將清楚本實(shí)用新型的實(shí)施例的這些和其他方面。在這些描述和附圖中，具體公開了本實(shí)用新型的實(shí)施例中的一些特定實(shí)施方式，來表示實(shí)施本實(shí)用新型的實(shí)施例的原理的一些方式，但是應(yīng)當(dāng)理解，本實(shí)用新型的實(shí)施例的范圍不受此限制。相反，本實(shí)用新型的實(shí)施例包括落入所附加權(quán)利要求書的精神和內(nèi)涵范圍內(nèi)的所有變化、修改和等同物。

如圖2所示，本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的雙面散熱功率模塊包括：第一散熱板101、第二散熱板201、第一IGBT芯片311、第二IGBT芯片321、第一電氣轉(zhuǎn)接塊312和第二電氣轉(zhuǎn)接塊322，所述第一IGBT芯片311電連接在第二散熱板201上，所述第一IGBT芯片311通過第一電氣轉(zhuǎn)接塊312和第一散熱板101電連接；所述第二IGBT芯片321電連接在第一散熱板101上，所述第二IGBT芯片321通過第二電氣轉(zhuǎn)接塊322和第二散熱板201電連接。

本實(shí)施例中，所述第一散熱板101上設(shè)置有第一金屬板401，所述第二散熱板上設(shè)置有第二金屬板401和第三金屬板403。所述第一IGBT芯片311的背面電連接在第二金屬板402上，所述第一IGBT芯片311的正面通過第一電氣轉(zhuǎn)接塊312和第一金屬板401電連接；所述第二IGBT芯片321的背面電連接在第一金屬板401上，所述第二IGBT芯片321的正面通過第二電氣轉(zhuǎn)接塊322和第三金屬板403電連接。本實(shí)施例提供的雙面散熱功率模塊還包括正極功率端子501、負(fù)極功率端子503和交流功率端子502，所述正極功率端子501連接第二金屬板402，所述交流功率端子502連接第一金屬板401，所述負(fù)極功率端子503連接第三金屬板403。

本實(shí)施例中的第一散熱板101和第二散熱板201為表面覆導(dǎo)電金屬材料的絕緣板，電氣轉(zhuǎn)接塊為銅或銅鉬合金。優(yōu)選地，第一散熱板101和第二散熱板201為DBC（direct bond copper，直接鍵合銅）基板，所述第一金屬板401、第二金屬板402和第三金屬板403為銅板。

根據(jù)本實(shí)用新型的雙面散熱功率模塊，將兩個(gè)IGBT芯片焊接在不同的散熱板上，不需要設(shè)置間隔件，簡化了工藝。

以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對(duì)上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同限定。