本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，例如，一種優(yōu)選適用于反熔絲存儲(chǔ)器以矩陣狀配置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，作為通過(guò)破壞絕緣膜來(lái)可進(jìn)行一次性數(shù)據(jù)寫(xiě)入的反熔絲存儲(chǔ)器，周知的有具有如美國(guó)專(zhuān)利第6,667,902號(hào)的說(shuō)明書(shū)(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)中所示的結(jié)構(gòu)的反熔絲存儲(chǔ)器。該專(zhuān)利文獻(xiàn)1中所示的反熔絲存儲(chǔ)器具有在阱上并列地形成開(kāi)關(guān)晶體管和存儲(chǔ)器電容的雙晶體管結(jié)構(gòu)。

實(shí)際上，具有晶體管結(jié)構(gòu)的開(kāi)關(guān)晶體管中，在阱上夾著開(kāi)關(guān)柵絕緣膜形成有開(kāi)關(guān)柵極，在開(kāi)關(guān)柵極上連接有字線(xiàn)，且在形成于阱表面的一個(gè)擴(kuò)散區(qū)域連接有位線(xiàn)。另外，在與開(kāi)關(guān)晶體管成對(duì)的存儲(chǔ)器電容中，在阱上夾著存儲(chǔ)器柵絕緣膜形成有存儲(chǔ)器柵極，在該存儲(chǔ)器柵極中連接有與開(kāi)關(guān)柵極連接的字線(xiàn)不同的寫(xiě)入字線(xiàn)。

在進(jìn)行數(shù)據(jù)寫(xiě)入動(dòng)作時(shí)，存儲(chǔ)器電容通過(guò)從寫(xiě)入字線(xiàn)向存儲(chǔ)器柵極施加的破壞字電壓和向開(kāi)關(guān)晶體管的位線(xiàn)施加的絕緣破壞位電壓之間的電壓差來(lái)絕緣破壞存儲(chǔ)器柵絕緣膜，與阱絕緣的存儲(chǔ)器柵極通過(guò)存儲(chǔ)器柵絕緣膜的絕緣破壞，與阱表面即形成存儲(chǔ)器溝道的區(qū)域電連接。

并且，在進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取動(dòng)作時(shí)，在向與要讀取的位線(xiàn)連接的寫(xiě)入字線(xiàn)施加電壓時(shí)，在存儲(chǔ)器柵絕緣膜破壞的情況下，施加于寫(xiě)入字線(xiàn)的電壓通過(guò)存儲(chǔ)器溝道施加在開(kāi)關(guān)晶體管的另一擴(kuò)散區(qū)域。并且，開(kāi)關(guān)晶體管通過(guò)分別從與開(kāi)關(guān)柵極連接的字線(xiàn)和與擴(kuò)散區(qū)域連接的位線(xiàn)施加的電壓而成為導(dǎo)通狀態(tài)，并基于施加到位線(xiàn)的電壓的變化判斷成對(duì)的存儲(chǔ)器電容中的存儲(chǔ)器柵極和存儲(chǔ)器溝道的電連接狀態(tài)，判斷數(shù)據(jù)是否寫(xiě)入。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：美國(guó)專(zhuān)利第6,667,902號(hào)說(shuō)明書(shū)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

但是，具有這種結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有的反熔絲存儲(chǔ)器中，設(shè)置與存儲(chǔ)器電容分開(kāi)的獨(dú)立的開(kāi)關(guān)晶體管，因此除了對(duì)所述存儲(chǔ)器電容施加破壞字電壓的控制電路之外，還需要設(shè)置用于使開(kāi)關(guān)晶體管進(jìn)行導(dǎo)通和截止動(dòng)作的開(kāi)關(guān)控制電路，相應(yīng)地，存在難以實(shí)現(xiàn)小型化的問(wèn)題。

并且，這樣的反熔絲存儲(chǔ)器以矩陣狀配置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，使特定的反熔絲存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器柵絕緣膜絕緣破壞，而其他的反熔絲存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器柵絕緣膜不絕緣破壞時(shí)，需要分別對(duì)以矩陣狀配置的反熔絲存儲(chǔ)器施加合適的電壓，因此需要有效地布置用于對(duì)各反熔絲存儲(chǔ)器施加電壓的布線(xiàn)以實(shí)現(xiàn)整體的小型化。

因此，本發(fā)明是鑒于以上的問(wèn)題而提出的，其目的在于提供一種相比現(xiàn)有技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)小型化的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。

為解決課題的技術(shù)手段

用于解決所述問(wèn)題的本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，在多個(gè)字線(xiàn)和多個(gè)位線(xiàn)的各交叉位置配置有反熔絲存儲(chǔ)器，其特征在于，各所述反熔絲存儲(chǔ)器包括：存儲(chǔ)器電容，其中，夾著存儲(chǔ)器柵絕緣膜設(shè)置有存儲(chǔ)器柵極，在阱上形成的一側(cè)的擴(kuò)散區(qū)域通過(guò)位線(xiàn)連接器連接有所述位線(xiàn)；整流元件，設(shè)置在所述存儲(chǔ)器柵極與所述字線(xiàn)之間，來(lái)自所述字線(xiàn)的電壓經(jīng)由字線(xiàn)連接器被施加到所述存儲(chǔ)器柵極，并通過(guò)施加到所述存儲(chǔ)器柵極和所述字線(xiàn)的電壓值，阻斷從所述存儲(chǔ)器柵極施加到所述字線(xiàn)的電壓，其中，兩個(gè)以上的所述反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)所述位線(xiàn)連接器。

另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，在多個(gè)字線(xiàn)和多個(gè)位線(xiàn)的各交叉位置配置有反熔絲存儲(chǔ)器，其特征在于，各所述反熔絲存儲(chǔ)器包括：存儲(chǔ)器電容，其中，夾著存儲(chǔ)器柵絕緣膜設(shè)置有存儲(chǔ)器柵極，在阱上形成的一側(cè)的擴(kuò)散區(qū)域通過(guò)位線(xiàn)連接器連接有所述位線(xiàn)；整流元件，設(shè)置在所述存儲(chǔ)器柵極與所述字線(xiàn)之間，來(lái)自所述字線(xiàn)的電壓經(jīng)由字線(xiàn)連接器被施加到所述存儲(chǔ)器柵極，并通過(guò)施加到所述存儲(chǔ)器柵極和所述字線(xiàn)的電壓值，阻斷從所述存儲(chǔ)器柵極施加到所述字線(xiàn)的電壓，其中，兩個(gè)以上的所述反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)所述字線(xiàn)連接器。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，不使用如現(xiàn)有的控制電路，可通過(guò)施加到存儲(chǔ)器電容的存儲(chǔ)器柵極和字線(xiàn)的電壓值，通過(guò)整流元件阻斷從存儲(chǔ)器柵極施加到字線(xiàn)的電壓，因此不需要如現(xiàn)有的選擇性地執(zhí)行向存儲(chǔ)器電容施加電壓的開(kāi)關(guān)晶體管或者用于使開(kāi)關(guān)晶體管進(jìn)行導(dǎo)通和截止動(dòng)作的開(kāi)關(guān)控制電路，從而相應(yīng)地能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。

另外，根據(jù)本發(fā)明，至少兩個(gè)以上的反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)位線(xiàn)連接器和/或一個(gè)字線(xiàn)連接器，因此與每個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器上設(shè)置位線(xiàn)連接器或字線(xiàn)連接器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。

附圖說(shuō)明

圖1是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的基本的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖2a是示出兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器并列地配置的位置的剖面結(jié)構(gòu)的示意圖，圖2b是示出圖2a所示的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器的平面布置的示意圖。

圖3是示出四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器和一個(gè)位線(xiàn)連接器時(shí)的平面布置(1)的示意圖。

圖4是示出字線(xiàn)和位線(xiàn)的平面布置(1)的示意圖。

圖5是示出其他實(shí)施方式的字線(xiàn)和位線(xiàn)的平面布置(1)的示意圖。

圖6是示出沿行方向排列的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器、沿列方向排列的多個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)位線(xiàn)連接器時(shí)的平面布置(1)的示意圖。

圖7是示出沿行方向排列的多個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器、沿列方向排列的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)位線(xiàn)連接器時(shí)的平面布置(1)的示意圖。

圖8是示出包括n型mos晶體管結(jié)構(gòu)的整流元件的其他實(shí)施方式的反熔絲存儲(chǔ)器的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。

圖9a是示出圖8所示的反熔絲存儲(chǔ)器的剖面結(jié)構(gòu)的示意圖，圖9b是示出圖9a所示的反熔絲存儲(chǔ)器的平面布置的示意圖。

圖10是示出四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器和一個(gè)位線(xiàn)連接器時(shí)的平面布置(2)的示意圖。

圖11是示出字線(xiàn)和位線(xiàn)的平面布置(2)的示意圖。

圖12是示出其他實(shí)施方式的字線(xiàn)和位線(xiàn)的平面布置(2)的示意圖。

圖13是示出其他實(shí)施方式的連接器的平面布置(1)的示意圖。

圖14是示出沿行方向排列的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器、沿列方向排列的多個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)位線(xiàn)連接器時(shí)的平面布置(2)的示意圖。

圖15是示出其他實(shí)施方式的連接器的平面布置(2)的示意圖。

圖16是示出沿行方向排列的多個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器、沿列方向排列的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)位線(xiàn)連接器時(shí)的平面布置(2)的示意圖。

圖17是示出包括p型mos晶體管結(jié)構(gòu)的整流元件的其他實(shí)施方式的反熔絲存儲(chǔ)器的電路結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖18a是示出其他實(shí)施方式的反熔絲存儲(chǔ)器的剖面結(jié)構(gòu)的示意圖，圖18b是示出圖18a所示的反熔絲存儲(chǔ)器的平面布置的示意圖。

具體實(shí)施方式

以下，根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

以下，對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式進(jìn)行說(shuō)明。并且，按照以下的順序進(jìn)行說(shuō)明。

<1.以矩陣狀設(shè)置反熔絲存儲(chǔ)器的本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的基本概念>

1-1.基本結(jié)構(gòu)

1-2.數(shù)據(jù)的寫(xiě)入動(dòng)作

1-3.數(shù)據(jù)的讀取動(dòng)作

1-4.基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的作用及效果

<2.關(guān)于四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器和一個(gè)位線(xiàn)連接器的情況>

2-1.關(guān)于平面布置結(jié)構(gòu)

2-2.關(guān)于位線(xiàn)和字線(xiàn)的平面布置結(jié)構(gòu)

<3.關(guān)于其他實(shí)施方式的位線(xiàn)和字線(xiàn)的平面布置結(jié)構(gòu)>

<4.關(guān)于兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器、沿列方向排列的多個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)位線(xiàn)連接器的情況>

<5.關(guān)于沿行方向排列的多個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器、兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)位線(xiàn)連接器的情況>

<6.具有由n型mos(metal-oxide-semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管構(gòu)成的整流元件的反熔絲存儲(chǔ)器>

6-1.基本結(jié)構(gòu)

6-2.數(shù)據(jù)的寫(xiě)入動(dòng)作

6-3.基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的作用及效果

<7.關(guān)于四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器和一個(gè)位線(xiàn)連接器的情況>

7-1.關(guān)于平面布置結(jié)構(gòu)

7-2.關(guān)于位線(xiàn)和字線(xiàn)的平面布置結(jié)構(gòu)

<8.關(guān)于其他實(shí)施方式的位線(xiàn)和字線(xiàn)的平面布置結(jié)構(gòu)>

<9.關(guān)于兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器、沿列方向排列的多個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)位線(xiàn)連接器的情況>

<10.關(guān)于沿行方向排列的多個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器、兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)位線(xiàn)連接器的情況>

<11.其他實(shí)施方式>

11-1.具有由p型mos晶體管構(gòu)成的整流元件的反熔絲存儲(chǔ)器

11-2.包括晶體管結(jié)構(gòu)的整流元件的反熔絲存儲(chǔ)器的其他實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)

11-3.其他

(1)以矩陣狀設(shè)置反熔絲存儲(chǔ)器的本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的基本概念

(1-1)基本結(jié)構(gòu)

圖1中，1表示本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，例如，具有四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b、2c、2d以矩陣狀配置的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1在沿行方向排列的反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b(2c、2d)共用字線(xiàn)wla(wlb)，同時(shí)沿列方向排列的反熔絲存儲(chǔ)器2a、2c(2b、2d)共用位線(xiàn)bla(blb)。各反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b、2c、2d都具有相同的結(jié)構(gòu)，因此在這里主要對(duì)例如第一行第一列的反熔絲存儲(chǔ)器2a進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)際上，反熔絲存儲(chǔ)器2a由整流元件3和儲(chǔ)存器電容4構(gòu)成，所述整流元件3具有pn接合二極管的半導(dǎo)體接合結(jié)構(gòu)，所述存儲(chǔ)器電容4包括通過(guò)存儲(chǔ)器柵極g和位線(xiàn)bla的電壓差被絕緣破壞的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6。

在該實(shí)施方式的情況下，整流元件3具有p型半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域接合的結(jié)構(gòu)，p型半導(dǎo)體區(qū)域與字線(xiàn)wla連接，n型半導(dǎo)體區(qū)域與存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g連接。由此，反熔絲存儲(chǔ)器2a從字線(xiàn)wla通過(guò)整流元件3向存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g施加電壓，另一方面，從該存儲(chǔ)器柵極g向字線(xiàn)wla的電壓施加將在整流元件3中成為反向偏置電壓，可阻斷通過(guò)整流元件3從存儲(chǔ)器柵極g向字線(xiàn)wl的電壓施加。

在這種反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b、2c、2d中，在進(jìn)行數(shù)據(jù)寫(xiě)入動(dòng)作時(shí)，當(dāng)施加到字線(xiàn)wla、wlb的電壓通過(guò)整流元件3施加到存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g，在存儲(chǔ)器電容4中，存儲(chǔ)器柵極g和位線(xiàn)bla、blb之間產(chǎn)生較大的電壓差時(shí)，存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6被絕緣破壞，在該存儲(chǔ)器電容4中寫(xiě)入數(shù)據(jù)。

在此，對(duì)設(shè)置在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1的本發(fā)明的反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b、2c、2d進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。并且，在此，主要對(duì)例如圖1的第一行中排列的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b進(jìn)行說(shuō)明。如圖2a所示，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，例如由si構(gòu)成的p型或n型阱s2形成在半導(dǎo)體基板s1上，在該阱s2表面形成有由絕緣部件形成的整流元件形成層ilb。并且，在阱s2表面以?shī)A住整流元件形成層ilb的方式從該整流元件形成層ilb隔開(kāi)規(guī)定間隔而形成由絕緣部件構(gòu)成的元件隔離層ila、ilc。

此時(shí)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，在整流元件形成層ilb和一個(gè)元件隔離層ila之間可形成一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a的存儲(chǔ)器電容4，在整流元件形成層ilb和另一元件隔離層ilc之間可形成另一反熔絲存儲(chǔ)器2b的存儲(chǔ)器電容4。

實(shí)際上，在整流元件形成層ilb和一個(gè)元件隔離層ila之間形成有存儲(chǔ)器電容4，該存儲(chǔ)器電容4為，以與該元件隔離層ila相鄰的方式在阱s2的表面形成有一個(gè)擴(kuò)散區(qū)域5，在該擴(kuò)散區(qū)域5和整流元件形成層ilb之間的阱s2上夾著存儲(chǔ)器柵絕緣膜6配置有存儲(chǔ)器柵極g。

并且，在整流元件形成層ilb和另一個(gè)元件隔離層ilc之間也形成存儲(chǔ)器電容4，該存儲(chǔ)器電容4為，以與該元件隔離層ilc相鄰的方式在阱s2的表面形成有另一個(gè)擴(kuò)散區(qū)域5，在該擴(kuò)散區(qū)域5和整流元件形成層ilb之間的阱s2上夾著存儲(chǔ)器柵絕緣膜6配置有存儲(chǔ)器柵極g。

在各擴(kuò)散區(qū)域5中在硅化物sc上分別立設(shè)有位線(xiàn)連接器bc，在該位線(xiàn)連接器bc的前端分別連接有對(duì)應(yīng)的位線(xiàn)bla、blb。由此，例如在反熔絲存儲(chǔ)器2a的存儲(chǔ)器電容4中，從位線(xiàn)bla通過(guò)位線(xiàn)連接器bc向擴(kuò)散區(qū)域5可施加規(guī)定的電壓。在這種結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，在整流元件形成層ilb的表面形成有整流元件3。在該實(shí)施方式中，在整流元件形成層ilb的表面設(shè)有p型半導(dǎo)體區(qū)域8和在該p型半導(dǎo)體區(qū)域8的兩側(cè)形成的n型半導(dǎo)體區(qū)域7，通過(guò)基于一個(gè)n型半導(dǎo)體區(qū)域7和p型半導(dǎo)體區(qū)域8的半導(dǎo)體接合結(jié)構(gòu)，形成pn接合二極管的整流元件3。

在這種情況下，各反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b中，存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g由n型半導(dǎo)體形成，該存儲(chǔ)器柵極g端部和在整流元件形成層ilb上形成的整流元件3的n型半導(dǎo)體區(qū)域7的端部形成為一體。并且，在反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b中，這些整流元件3的n型半導(dǎo)體區(qū)域7和p型半導(dǎo)體區(qū)域8以及存儲(chǔ)器電容4的各存儲(chǔ)器柵極g形成在相同布線(xiàn)層(相同層)，整流元件3的n型半導(dǎo)體區(qū)域7和p型半導(dǎo)體區(qū)域8以及存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g形成為相同的膜厚度。

由此，在反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b中，整流元件3的n型半導(dǎo)體區(qū)域7、p型半導(dǎo)體區(qū)域8以及存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g的各接合表面沒(méi)有階梯差，實(shí)現(xiàn)整體的薄型化。并且，在反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b中，由于整流元件3的n型半導(dǎo)體區(qū)域7、p型半導(dǎo)體區(qū)域8以及存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g可以通過(guò)相同的成膜工序形成，因此與分別形成n型半導(dǎo)體區(qū)域7、p型半導(dǎo)體區(qū)域8以及存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g的情況相比，能夠簡(jiǎn)化制造工序。

另外，在整流元件3中，在p型半導(dǎo)體區(qū)域8的硅化物sc上立設(shè)有字線(xiàn)連接器wc，配置在位線(xiàn)bla、blb上方的字線(xiàn)wla通過(guò)字線(xiàn)連接器wc與p型半導(dǎo)體區(qū)域8連接。這樣，例如在反熔絲存儲(chǔ)器2a中，當(dāng)向字線(xiàn)wla施加相對(duì)于存儲(chǔ)器柵極g相對(duì)正的電壓時(shí)，來(lái)自該字線(xiàn)wla的電壓依次通過(guò)字線(xiàn)連接器wc、整流元件3的p型半導(dǎo)體區(qū)域8以及n型半導(dǎo)體區(qū)域7施加在各存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g。另外，在反熔絲存儲(chǔ)器2a中，當(dāng)向存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g施加相對(duì)于字線(xiàn)wla相對(duì)正的電壓時(shí)，來(lái)自存儲(chǔ)器柵極g的電壓在整流元件3中成為反向偏置電壓，在n型半導(dǎo)體區(qū)域7和p型半導(dǎo)體區(qū)域8之間可被阻斷。并且，在阱s2上形成的位線(xiàn)連接器bc、字線(xiàn)連接器wc、整流元件3、存儲(chǔ)器柵極g、位線(xiàn)bla、blb、字線(xiàn)wla由層間絕緣層9覆蓋。

并且，與圖2a的對(duì)應(yīng)部分使用相同符號(hào)的圖2b示出圖2a所示的設(shè)置反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b的區(qū)域的平面布置。并且，圖2a是圖2b的a-a’的側(cè)截面結(jié)構(gòu)。如圖2b所示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，各位線(xiàn)連接器bc配置在阱s2的對(duì)應(yīng)的活性區(qū)域12上。分別設(shè)置在相鄰的反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b的長(zhǎng)方形的n型半導(dǎo)體區(qū)域7以矩形狀的p型半導(dǎo)體區(qū)域8的中心位置上配置的字線(xiàn)連接器wc為中心左右對(duì)稱(chēng)地配置。并且，各n型半導(dǎo)體區(qū)域7具有其一端與p型半導(dǎo)體區(qū)域8的邊接合且從所述p型半導(dǎo)體區(qū)域8向活性區(qū)域12延伸的長(zhǎng)度方向，在其前端部接合的存儲(chǔ)器柵極g與對(duì)應(yīng)的活性區(qū)域12相對(duì)配置。并且，在存儲(chǔ)器柵極g和活性區(qū)域12的相對(duì)區(qū)域，分別形成有反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6。

順便說(shuō)一下，具有這樣的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1可以通過(guò)利用光刻技術(shù)、氧化或cvd(chemicalvapordeposition)等的成膜技術(shù)、蝕刻技術(shù)以及離子注入法的一般的半導(dǎo)體制造工序來(lái)形成，因此在此省略對(duì)此的說(shuō)明。

(1-2)數(shù)據(jù)的寫(xiě)入動(dòng)作

接著，對(duì)具有這種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中例如僅在第2行第1列的反熔絲存儲(chǔ)器2c中寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。另外，在此，將寫(xiě)入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲(chǔ)器2c稱(chēng)為寫(xiě)入選擇存儲(chǔ)器，將不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b、2d稱(chēng)為寫(xiě)入非選擇存儲(chǔ)器。在這種情況下，如圖1所示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，向與作為寫(xiě)入選擇存儲(chǔ)器的反熔絲存儲(chǔ)器2c連接的位線(xiàn)bla(以下，稱(chēng)為寫(xiě)入選擇位線(xiàn))施加0v的破壞位電壓，向僅與作為寫(xiě)入非選擇存儲(chǔ)器的反熔絲存儲(chǔ)器2b、2d連接的位線(xiàn)blb(以下，稱(chēng)為寫(xiě)入非選擇位線(xiàn))施加3v的非破壞位電壓。

并且，此時(shí)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，可向與作為寫(xiě)入選擇存儲(chǔ)器的反熔絲存儲(chǔ)器2c連接的字線(xiàn)wlb(以下，稱(chēng)為寫(xiě)入選擇字線(xiàn))施加5v的破壞字電壓，可向僅與作為寫(xiě)入非選擇存儲(chǔ)器的反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b連接的字線(xiàn)wla(以下，稱(chēng)為寫(xiě)入非選擇字線(xiàn))施加0v的非破壞字電壓。反熔絲存儲(chǔ)器(寫(xiě)入選擇存儲(chǔ)器)2c中，可從作為寫(xiě)入選擇字線(xiàn)的字線(xiàn)wlb向整流元件3的p型半導(dǎo)體區(qū)域8施加5v的破壞字電壓的同時(shí)，可從作為寫(xiě)入選擇位線(xiàn)的位線(xiàn)bla向存儲(chǔ)器電容4的一端的擴(kuò)散區(qū)域5施加0v的破壞位電壓。

由此，反熔絲存儲(chǔ)器2c中，從整流元件3向存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g施加破壞字電壓的同時(shí)，從位線(xiàn)bla向擴(kuò)散區(qū)域5施加0v，結(jié)果，存儲(chǔ)器電容4的溝道(未示出)成為導(dǎo)通狀態(tài)，溝道電位變成與位線(xiàn)bla電位相同的電位。這樣，反熔絲存儲(chǔ)器2c中，例如當(dāng)整流元件3的pn接合二極管的內(nèi)建電勢(shì)為0.7v時(shí)，溝道和存儲(chǔ)器柵極g的電位差為4.3v，從而存儲(chǔ)器柵極g下部的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6被絕緣破壞，存儲(chǔ)器柵極g與擴(kuò)散區(qū)域5通過(guò)溝道以低阻抗處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而可處于數(shù)據(jù)被寫(xiě)入的狀態(tài)。

另外，雖然與施加5v的破壞字電壓的字線(xiàn)(寫(xiě)入選擇字線(xiàn))wlb連接，但是不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的另一列的反熔絲存儲(chǔ)器2d中，通過(guò)位線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇位線(xiàn))blb向存儲(chǔ)器電容4一端的擴(kuò)散區(qū)域5施加3v的非破壞位電壓，因此存儲(chǔ)器電容4中存儲(chǔ)器柵極g和擴(kuò)散區(qū)域5之間的電位差減小，成為1.3v(考慮內(nèi)建電勢(shì)0.7v)。因此，該反熔絲存儲(chǔ)器2d中，即使存儲(chǔ)器電容4中存儲(chǔ)器柵極g下部的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6沒(méi)有被絕緣破壞，所述存儲(chǔ)器柵絕緣膜6不會(huì)被絕緣破壞而成為絕緣狀態(tài)，能夠保持不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的狀態(tài)。

并且，與施加3v的非破壞位電壓的位線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇位線(xiàn))blb連接、且不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的另一反熔絲存儲(chǔ)器2b中，當(dāng)存儲(chǔ)器柵絕緣膜6沒(méi)有被絕緣破壞時(shí)，從字線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇字線(xiàn))wla通過(guò)整流元件3向存儲(chǔ)器柵極g施加0v的非破壞字電壓，因此存儲(chǔ)器電容4中，存儲(chǔ)器柵極g和與位線(xiàn)blb連接的擴(kuò)散區(qū)域5之間的電位差減小，成為3v。

因此，該反熔絲存儲(chǔ)器2b中，即使假設(shè)存儲(chǔ)器電容4中存儲(chǔ)器柵極g下部的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6沒(méi)有被絕緣破壞，所述存儲(chǔ)器柵絕緣膜6也不會(huì)被絕緣破壞而成為絕緣狀態(tài)，從而能夠保持不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的狀態(tài)。

另外，從位線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇位線(xiàn))blb施加3v的非破壞位電壓的反熔絲存儲(chǔ)器2b中，即使例如存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6已被絕緣破壞，由于向字線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇字線(xiàn))wla施加0v的非破壞字電壓，因此在存儲(chǔ)器電容4中不形成溝道，所述位線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇位線(xiàn))blb的3v非破壞位電壓在存儲(chǔ)器電容4中被阻斷。因此，該反熔絲存儲(chǔ)器2d中，非破壞位電壓并不會(huì)通過(guò)被絕緣破壞的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6施加到存儲(chǔ)器柵極g。

但是，當(dāng)存儲(chǔ)器柵絕緣膜6的被絕緣破壞的位置與連接有位線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇位線(xiàn))blb的擴(kuò)散區(qū)域5非常接近時(shí)，存在可能位線(xiàn)blb的電位無(wú)法被存儲(chǔ)器電容4的溝道阻斷而施加到所述擴(kuò)散區(qū)域5的3v的非破壞位電壓施加到存儲(chǔ)器柵極g的擔(dān)憂(yōu)。

即使在這種情況下，本發(fā)明的反熔絲存儲(chǔ)器2b中，通過(guò)基于n型半導(dǎo)體區(qū)域7和p型半導(dǎo)體區(qū)域8的半導(dǎo)體接合結(jié)構(gòu)成為pn接合二極管的整流元件3設(shè)置在存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g和字線(xiàn)wla之間，因此即使從存儲(chǔ)器柵極g向整流元件3施加3v的非破壞位電壓，所述整流元件3中成為從n型半導(dǎo)體區(qū)域7向p型半導(dǎo)體區(qū)域8的反向偏置電壓，通過(guò)所述整流元件3，能夠可靠地阻斷從存儲(chǔ)器柵極g向字線(xiàn)wla的電壓施加。

并且，當(dāng)假設(shè)不具有這種通過(guò)整流元件3的阻斷功能時(shí)，位線(xiàn)blb的3v的非破壞位電壓會(huì)通過(guò)反熔絲存儲(chǔ)器2b傳遞到字線(xiàn)wla上。在這種情況下，通過(guò)反熔絲存儲(chǔ)器2b施加到字線(xiàn)wla上的3v的電壓將通過(guò)字線(xiàn)wla會(huì)傳遞到共用所述字線(xiàn)wla的另一反熔絲存儲(chǔ)器2a的存儲(chǔ)器柵極g。由此，當(dāng)反熔絲存儲(chǔ)器2a的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6已被破壞時(shí)，位線(xiàn)bla和字線(xiàn)wla短路而將成為同電位，結(jié)果，一個(gè)位線(xiàn)bla和另一位線(xiàn)blb不能保持所需的電位，存在會(huì)產(chǎn)生對(duì)反熔絲存儲(chǔ)器不能進(jìn)行正常的數(shù)據(jù)寫(xiě)入動(dòng)作的問(wèn)題。

順便說(shuō)一下，與施加0v的非破壞字電壓的字線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇字線(xiàn))wla和同樣地施加0v的非破壞位電壓的位線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇位線(xiàn))bla連接的、不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲(chǔ)器2a中，由于在存儲(chǔ)器電容4中存儲(chǔ)器柵極g與擴(kuò)散區(qū)域5之間的電壓差成為0v，因此假設(shè)即使存儲(chǔ)器柵絕緣膜6沒(méi)有被絕緣破壞，所述存儲(chǔ)器柵絕緣膜6也不會(huì)被絕緣破壞而保持絕緣狀態(tài)，從而能夠保持不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的狀態(tài)。這樣，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，以矩陣狀配置的反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b、2c、2d中，能夠僅向所期望的反熔絲存儲(chǔ)器2c寫(xiě)入數(shù)據(jù)。

(1-3)數(shù)據(jù)的讀取動(dòng)作

接著，說(shuō)明圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中例如讀取第2行第1列的反熔絲存儲(chǔ)器2c的數(shù)據(jù)的情況進(jìn)行說(shuō)明。在這種情況下，與作為讀取選擇存儲(chǔ)器的反熔絲存儲(chǔ)器2c連接的位線(xiàn)bla(以下，稱(chēng)為讀取選擇位線(xiàn))和僅與作為不讀取數(shù)據(jù)的讀取非選擇存儲(chǔ)器的反熔絲存儲(chǔ)器2b、2d連接的位線(xiàn)blb(以下，稱(chēng)為讀取非選擇位線(xiàn))在初期被充電為1.2v的電壓。此時(shí)，在與作為讀取選擇存儲(chǔ)器的反熔絲存儲(chǔ)器2c連接的字線(xiàn)wlb(以下，成為讀取選擇字線(xiàn))被施加1.2v的讀取選擇字電壓，同時(shí)在僅與作為讀取非選擇存儲(chǔ)器的反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b連接的字線(xiàn)wla(以下，稱(chēng)為讀取非選擇字線(xiàn))被施加0v的讀取非選擇字電壓。

然后，在讀取選擇位線(xiàn)bla上被施加0v的讀取選擇位電壓。由此，作為讀取選擇存儲(chǔ)器的反熔絲存儲(chǔ)器2c中，從字線(xiàn)wlb向整流元件3的p型半導(dǎo)體區(qū)域8可被施加1.2v的讀取選擇字電壓，同時(shí)從位線(xiàn)bla向存儲(chǔ)器電容4的一端的擴(kuò)散區(qū)域5可被施加0v的讀取選擇位電壓。

此時(shí)，作為讀取選擇存儲(chǔ)器的反熔絲存儲(chǔ)器2c中，當(dāng)存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6被絕緣破壞而處于數(shù)據(jù)被寫(xiě)入的狀態(tài)時(shí)，通過(guò)字線(xiàn)wlb的1.2v的讀取選擇字電壓，在整流元件3中從p型半導(dǎo)體區(qū)域8向n型半導(dǎo)體區(qū)域7施加正向偏置電壓。因此，反熔絲存儲(chǔ)器2c中，字線(xiàn)wlb的讀取選擇字電壓從整流元件3通過(guò)存儲(chǔ)器電容4施加到位線(xiàn)bla。

結(jié)果，在位線(xiàn)bla上可被施加1.2v的讀取選擇字電壓在反熔絲存儲(chǔ)器(讀取選擇存儲(chǔ)器)2c中減少內(nèi)建電勢(shì)分量的電壓。因此，位線(xiàn)bla中，通過(guò)反熔絲存儲(chǔ)器2c與字線(xiàn)wlb電連接，由此0v的讀取選擇位電壓成為0.5v，電壓值可發(fā)生變化。

順便說(shuō)一下，作為讀取選擇存儲(chǔ)器的反熔絲存儲(chǔ)器2c中，當(dāng)存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6沒(méi)有被絕緣破壞而處于不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的狀態(tài)時(shí)，通過(guò)存儲(chǔ)器電容4，字線(xiàn)wlb和位線(xiàn)bla的電連接被阻斷。因此，位線(xiàn)bla中，0v的讀取選擇位電壓沒(méi)有發(fā)生變化，繼續(xù)保持0v的狀態(tài)。

如上所述，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，通過(guò)感測(cè)施加到位線(xiàn)(讀取選擇位線(xiàn))bla的讀取選擇位電壓是否發(fā)生變化來(lái)判斷作為讀取選擇存儲(chǔ)器的反熔絲存儲(chǔ)器2c中是否寫(xiě)入數(shù)據(jù)。

并且，與位線(xiàn)bla連接且不讀取數(shù)據(jù)的反熔絲存儲(chǔ)器2a中，由于在字線(xiàn)(讀取非選擇字線(xiàn))wla上被施加有0v的讀取非選擇字電壓，因此即使存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6被絕緣破壞，也不會(huì)對(duì)位線(xiàn)(讀取選擇位線(xiàn))bla的電壓變化產(chǎn)生影響。

順便說(shuō)一下，例如通過(guò)讀取數(shù)據(jù)的反熔絲存儲(chǔ)器2c，位線(xiàn)(讀取選擇位線(xiàn))bla的電壓值成為0.5v時(shí)，即使共用所述讀取選擇位線(xiàn)bla的、不讀取數(shù)據(jù)的另一反熔絲存儲(chǔ)器2a中存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6被絕緣破壞，在所述反熔絲存儲(chǔ)器2a中，由于在整流元件3中施加反向偏置電壓，因此0.5v的讀取選擇位電壓在整流元件3中被阻斷，從而能夠防止所述電壓施加到字線(xiàn)(讀取非選擇字線(xiàn))wla上。

并且，與施加0v的讀取非選擇字電壓的字線(xiàn)(讀取非選擇字線(xiàn))wlb和施加1.2v的讀取非選擇位電壓的位線(xiàn)(讀取非選擇位線(xiàn))blb連接的反熔絲存儲(chǔ)器2b中，即使假設(shè)存儲(chǔ)器柵絕緣膜6被絕緣破壞，在整流元件3中成為反向偏置電壓，因此通過(guò)整流元件3可阻斷從字線(xiàn)(讀取非選擇字線(xiàn))wlb向位線(xiàn)(讀取非選擇位線(xiàn))blb的電壓施加。

并且，與施加1.2v的讀取選擇字電壓的字線(xiàn)(讀取選擇字線(xiàn))wlb和施加1.2v的讀取非選擇位電壓的位線(xiàn)(讀取非選擇位線(xiàn))blb連接的反熔絲存儲(chǔ)器2d中，即使假設(shè)存儲(chǔ)器柵絕緣膜6被絕緣破壞，由于字線(xiàn)(讀取選擇字線(xiàn))wlb和位線(xiàn)(讀取非選擇位線(xiàn))bld的電壓值相同，因此1.2v的讀取選擇字電壓不會(huì)變動(dòng)，不會(huì)對(duì)另一反熔絲存儲(chǔ)器2c的讀取動(dòng)作產(chǎn)生影響。這樣，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，以矩陣狀配置的反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b、2c、2d中，能夠僅讀取所期望的反熔絲存儲(chǔ)器2c的數(shù)據(jù)。

(1-4)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的作用及效果

以上的結(jié)構(gòu)中，例如在反熔絲存儲(chǔ)器2c中設(shè)置存儲(chǔ)器電容4和整流元件3，所述存儲(chǔ)器電容4中，在阱s2上夾著存儲(chǔ)器柵絕緣膜6設(shè)置存儲(chǔ)器柵極g，在阱s2表面形成的一擴(kuò)散區(qū)域5通過(guò)位線(xiàn)連接器bc與位線(xiàn)bla連接，所述整流元件3設(shè)置在存儲(chǔ)器柵極g與字線(xiàn)wlb之間，來(lái)自字線(xiàn)wlb的電壓經(jīng)由字線(xiàn)連接器wc施加到存儲(chǔ)器柵極g，另一方面，從存儲(chǔ)器柵極g施加到字線(xiàn)連接器wc的電壓成為反向偏置電壓，從而阻斷從存儲(chǔ)器柵極g施加到字線(xiàn)連接器wc的電壓。

并且，在反熔絲存儲(chǔ)器2c中，向存儲(chǔ)器電容4寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，施加到寫(xiě)入選擇字線(xiàn)wlb的寫(xiě)入破壞字電壓通過(guò)整流元件3被施加到存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g上，通過(guò)所述存儲(chǔ)器柵極g與寫(xiě)入選擇位線(xiàn)bla之間的電壓差，存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6被絕緣破壞。

另一方面，不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)非寫(xiě)入動(dòng)作的反熔絲存儲(chǔ)器2b中，與存儲(chǔ)器電容4連接的位線(xiàn)bl2上被施加高電壓的非破壞位電壓時(shí)，例如即使存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6被絕緣破壞，由于寫(xiě)入非選擇字線(xiàn)wla上施加有0v的非破壞字電壓，因此在存儲(chǔ)器電容4不形成溝道，從而存儲(chǔ)器電容4能夠阻斷從寫(xiě)入非選擇位線(xiàn)blb施加到字線(xiàn)wla的電壓。

在這種情況下，本發(fā)明的反熔絲存儲(chǔ)器2b中，例如在非?？拷c寫(xiě)入非選擇位線(xiàn)blb連接的擴(kuò)散區(qū)域5的位置產(chǎn)生存儲(chǔ)器柵絕緣膜6的絕緣破壞，從而即使假設(shè)寫(xiě)入非選擇位線(xiàn)blb的電位無(wú)法被存儲(chǔ)器電容4的溝道阻斷，從寫(xiě)入非選擇位線(xiàn)blb向存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g施加非破壞位電壓，由于所述非破壞位電壓在整流元件3成為反向偏置電壓，因此通過(guò)所述整流元件3也能夠可靠地阻斷從存儲(chǔ)器柵極g施加到字線(xiàn)wla的電壓。

如上所述，本發(fā)明的反熔絲存儲(chǔ)器2b中，可以設(shè)置(ⅰ)通過(guò)向?qū)懭敕沁x擇字線(xiàn)wla施加0v的非破壞字電壓來(lái)在存儲(chǔ)器電容4不形成溝道的第一阻斷結(jié)構(gòu)和(ⅱ)通過(guò)使整流元件3成為反方向偏置狀態(tài)來(lái)阻斷非破壞位電壓的第二阻斷結(jié)構(gòu)的雙重阻斷結(jié)構(gòu)，由此，能夠執(zhí)行正常的數(shù)據(jù)寫(xiě)入動(dòng)作，從而也能夠可靠地防止讀取數(shù)據(jù)時(shí)的錯(cuò)誤動(dòng)作。

因此在反熔絲存儲(chǔ)器2b中，不使用如現(xiàn)有的控制電路，而是設(shè)置通過(guò)施加到存儲(chǔ)器柵極g和字線(xiàn)wla的電壓值來(lái)使得從存儲(chǔ)器柵極g施加到字線(xiàn)wla的電壓成為反方向偏置電壓的半導(dǎo)體接合結(jié)構(gòu)的整流元件3，并通過(guò)所述整流元件3阻斷從存儲(chǔ)器柵極g施加到字線(xiàn)wla的電壓，因此不需要如現(xiàn)有的選擇性地執(zhí)行向存儲(chǔ)器電容施加電壓動(dòng)作的開(kāi)關(guān)晶體管或者用于執(zhí)行開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通和截止動(dòng)作的開(kāi)關(guān)控制電路，從而能夠相應(yīng)地實(shí)現(xiàn)小型化。

并且，如圖2a所示，反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b、2c、2d的整流元件3的p型半導(dǎo)體區(qū)域8和n型半導(dǎo)體區(qū)域7與存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g形成在同一層上，因此可以利用用以形成具有單層結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g的一般的半導(dǎo)體制造工序，能夠在形成存儲(chǔ)器柵極g的制造工序中也能夠形成整流元件3的p型半導(dǎo)體區(qū)域8和n型半導(dǎo)體區(qū)域7。

(2)關(guān)于四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器和一個(gè)位線(xiàn)連接器的情況

(2-1)關(guān)于平面布置結(jié)構(gòu)

接著對(duì)上述的反熔絲存儲(chǔ)器以矩陣狀配置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1的平面布置結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。與圖2b對(duì)應(yīng)的部分使用相同的附圖標(biāo)記的圖3示出，例如總共16個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a1、2a2、2a3、2a4、2a5、2a6、2a7、2a8、2a9、2a10、2a11、2a12、2a13、2a14、2a15、2a16以四行四列的方式配置時(shí)的平面布置結(jié)構(gòu)。在這種情況下，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，反熔絲存儲(chǔ)器2a1、2a2、2a3、2a4、2a5、2a6、2a7、2a8、2a9、2a10、2a11、2a12、2a13、2a14、2a15、2a16均具有相同的結(jié)構(gòu)，如上述的圖2a和圖2b一樣，分別具有整流元件3和存儲(chǔ)器電容4。并且，字線(xiàn)連接器wc11、wc12、wc13、wc14也均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此下面關(guān)注例如字線(xiàn)連接器wc12而進(jìn)行說(shuō)明。

在這種情況下，豎立設(shè)有字線(xiàn)連接器wc12的p型半導(dǎo)體區(qū)域8形成為矩形狀，并由彼此相鄰的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a3、2a4、2a7、2a8共用。實(shí)際上，列方向上相鄰的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a3、2a4的各n型半導(dǎo)體區(qū)域7接合到豎立設(shè)有字線(xiàn)連接器wc12的p型半導(dǎo)體區(qū)域8的一邊，同樣地列方向上相鄰的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a7、2a8的各n型半導(dǎo)體區(qū)域7接合到與所述一邊相對(duì)的另一邊上。

在此，關(guān)注例如反熔絲存儲(chǔ)器2a7，p型半導(dǎo)體區(qū)域8和n型半導(dǎo)體區(qū)域7接合以形成pn接合二極管的整流元件3。由此，字線(xiàn)連接器wc12相對(duì)于共用p型半導(dǎo)體區(qū)域8的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a3、2a4、2a7、2a8的各整流元件3能夠從字線(xiàn)(未示出)一律施加規(guī)定的字電壓。

并且，所述四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a3、2a4、2a7、2a8的各n型半導(dǎo)體區(qū)域7分別以從p型半導(dǎo)體區(qū)域8遠(yuǎn)離的方式向行方向延伸，與其前端部接合的各存儲(chǔ)器柵極g分別配置在不同的活性區(qū)域12。并且，在與n型半導(dǎo)體區(qū)域7的前端部一體形成的各存儲(chǔ)器柵極g和活性區(qū)域12相對(duì)的各區(qū)域上形成有各反熔絲存儲(chǔ)器2a3、2a4、2a7、2a8的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6。

接著，下面對(duì)位線(xiàn)連接器bc11、bc12、bc13、bc14、bc15、bc16、bc17、bc18、bc19進(jìn)行說(shuō)明。在該實(shí)施方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中總共配置有9個(gè)位線(xiàn)連接器bc11、bc12、bc13、bc14、bc15、bc16、bc17、bc18、bc19。各位線(xiàn)連接器bc11、bc12、bc13、bc14、bc15、bc16、bc17、bc18、bc19分別配置在不同的活性區(qū)域12，分別向?qū)?yīng)的活性區(qū)域12施加來(lái)自位線(xiàn)(未示出)的規(guī)定的位電壓。

其中，在所述9個(gè)位線(xiàn)連接器bc11、bc12、bc13、bc14、bc15、bc16、bc17、bc18、bc19中配置在中央?yún)^(qū)域的位線(xiàn)連接器bc15所配置的活性區(qū)域12配置有與不同的p型半導(dǎo)體區(qū)域8連接且彼此相鄰的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a6、2a7、2a10、2a11。因此，配置在中央?yún)^(qū)域的位線(xiàn)連接器bc15由彼此相鄰的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a6、2a7、2a10、2a11共用，能夠向所述四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a6、2a7、2a10、2a11一律施加來(lái)自位線(xiàn)的規(guī)定的電壓。

在這種情況下，在豎立設(shè)有中央的位線(xiàn)連接器bc15的活性區(qū)域12，以所述位線(xiàn)連接器bc15為中心左右對(duì)稱(chēng)地配置有反熔絲存儲(chǔ)器2a6、2a7和反熔絲存儲(chǔ)器2a10、2a11。具體而言，在豎立設(shè)有位線(xiàn)連接器bc15的活性區(qū)域12的一邊側(cè)，列方向上相鄰的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a6、2a7的各存儲(chǔ)器柵極g相對(duì)配置，并形成有這些反熔絲存儲(chǔ)器2a6、2a7的各存儲(chǔ)器柵絕緣膜6。并且，在該活性區(qū)域12的另一邊側(cè)，同樣地列方向上相鄰的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a10、2a11的各存儲(chǔ)器柵極g相對(duì)配置，并形成有這些反熔絲存儲(chǔ)器2a10、2a11的各存儲(chǔ)器柵絕緣膜6。

順便說(shuō)一下，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1的平面布置中配置在邊角部的四個(gè)位線(xiàn)連接器bc11、bc13、bc17、bc19分別僅與對(duì)應(yīng)的一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a1、2a4、2a13、2a16連接。這樣，配置在所述邊角部的各位線(xiàn)連接器bc11、bc13、bc17、bc19中，可僅對(duì)分別對(duì)應(yīng)的一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a1、2a4、2a13、2a16施加位電壓。

并且，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1的平面布置中，排列在末端的位線(xiàn)連接器bc11、bc12、bc13、bc14、bc16、bc17、bc18、bc19中，配置在邊角部以外的例如位線(xiàn)連接器bc12僅與兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a2、2a3連接。并且，配置在邊角部以外的其他位線(xiàn)連接器bc14、bc16、bc18也分別僅與對(duì)應(yīng)的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a5，2a9、2a8，2a12、2a14，2a15連接。如上所述，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，配置在邊角部以外的其他位線(xiàn)連接器bc12、bc14、bc16、bc18中，共用的反熔絲存儲(chǔ)器數(shù)量為兩個(gè)，而配置在中央?yún)^(qū)域的位線(xiàn)連接器bc15中，共用的反熔絲存儲(chǔ)器數(shù)量為四個(gè)，因此與每個(gè)位線(xiàn)連接器上設(shè)置一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。

以上的結(jié)構(gòu)中，圖3所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1的反熔絲存儲(chǔ)器2a1、2a2、2a3、2a4、2a5、2a6、2a7、2a8、2a9、2a10、2a11、2a12、2a13、2a14、2a15、2a16中，與上述的“(1-4)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的作用及效果”一樣，可以不使用如現(xiàn)有的控制電路，通過(guò)施加到存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g和字線(xiàn)的電壓值，通過(guò)整流元件3能夠阻斷從存儲(chǔ)器柵極g施加到字線(xiàn)的電壓，因此不需要如現(xiàn)有的選擇性地執(zhí)行向存儲(chǔ)器電容施加電壓的動(dòng)作的開(kāi)關(guān)晶體管或者用于執(zhí)行開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通和截止動(dòng)作的開(kāi)關(guān)控制電路，從而相應(yīng)地能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。

并且，例如，本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1的反熔絲存儲(chǔ)器2a7中，與上述的“(1-4)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的作用及效果”一樣，可以設(shè)置(ⅰ)通過(guò)向字線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇字線(xiàn))施加0v的非破壞字電壓來(lái)在存儲(chǔ)器電容4不形成溝道的第一阻斷結(jié)構(gòu)和(ⅱ)通過(guò)使整流元件3成為反方向偏置狀態(tài)來(lái)阻斷非破壞位電壓的第二阻斷結(jié)構(gòu)的雙重阻斷結(jié)構(gòu)，由此，能夠執(zhí)行正常的數(shù)據(jù)寫(xiě)入動(dòng)作，從而也能夠可靠地防止讀取數(shù)據(jù)時(shí)的錯(cuò)誤動(dòng)作。

并且，圖3所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，彼此相鄰的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a6、2a7、2a10、2a11共用一個(gè)位線(xiàn)連接器bc15，同時(shí)例如彼此相鄰的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a3、2a4、2a7、2a8共用一個(gè)字線(xiàn)連接器wc12，由此與每個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器上分別單獨(dú)設(shè)置位線(xiàn)連接器和字線(xiàn)連接器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)整體裝置的小型化。

(2-2)關(guān)于位線(xiàn)和字線(xiàn)的平面布置結(jié)構(gòu)

接著，下面對(duì)圖3所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1的位線(xiàn)和字線(xiàn)的平面布置進(jìn)行說(shuō)明。如與圖3對(duì)應(yīng)的部分使用相同的附圖標(biāo)記的圖4所示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，第一列的位線(xiàn)連接器bc11、bc12、bc13中，第一行的位線(xiàn)連接器bc11和第三行的位線(xiàn)連接器bc13與第一列的位線(xiàn)bl1a連接，所述位線(xiàn)連接器bc11、bc13之間的第二行的位線(xiàn)連接器bc12與另一第二列的位線(xiàn)bl2a連接。由此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，通過(guò)例如第一列的位線(xiàn)bl1a，p型半導(dǎo)體區(qū)域8可對(duì)不同的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a1、2a4一律地施加規(guī)定的位電壓，并且，通過(guò)第二列的位線(xiàn)bl2a，p型半導(dǎo)體區(qū)域8可對(duì)不同的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a2、2a3施加與第一列的位線(xiàn)bl1a不同的規(guī)定的位電壓。

并且，第二列的位線(xiàn)連接器bc14、bc15、bc16中，第一行的位線(xiàn)連接器bc14和第三行的位線(xiàn)連接器bc16與第三列的位線(xiàn)bl3a連接，這些位線(xiàn)連接器bc14、bc16之間的第二行的位線(xiàn)連接器bc15與另一第四列的位線(xiàn)bl4a連接。因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，通過(guò)例如第三列的位線(xiàn)bl3a，p型半導(dǎo)體區(qū)域8可對(duì)不同的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a5、2a9、2a8、2a12一律施加規(guī)定的位電壓，并且，通過(guò)第四列的位線(xiàn)bl4a，p型半導(dǎo)體區(qū)域8可對(duì)不同的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a6、2a7、2a10、2a11施加與第三列的位線(xiàn)bl3a不同的規(guī)定的位電壓。

并且，第三列的位線(xiàn)連接器bc17、bc18、bc19中，第一行的位線(xiàn)連接器bc17和第三行的位線(xiàn)連接器bc19與第五列的位線(xiàn)bl5a連接，這些位線(xiàn)連接器bc17、bc19之間的第二行的位線(xiàn)連接器bc18與另一第六列的位線(xiàn)bl6a連接。因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，通過(guò)例如第五列的位線(xiàn)bl5a，p型半導(dǎo)體區(qū)域8可對(duì)不同的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a13、2a16一律施加規(guī)定的位電壓，并且，通過(guò)第六列的位線(xiàn)bl6a，p型半導(dǎo)體區(qū)域8可對(duì)不同的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a14、2a15施加與第五列的位線(xiàn)bl5a不同的規(guī)定的位電壓。

除了這樣的結(jié)構(gòu)以外，在字線(xiàn)連接器wc11、wc12、wc13、wc14上連接有各不同的字線(xiàn)wl1a、wl2a、wl3a、wl4a連接，通過(guò)各字線(xiàn)wl1a、wl2a、wl3a、wl4a，可向每個(gè)字線(xiàn)連接器wc11、wc12、wc13、wc14施加不同的字電壓。在該實(shí)施方式中，例如，第一行的字線(xiàn)wl1a與第一行第一列的字線(xiàn)連接器wc11連接，向共用所述字線(xiàn)連接器wc11的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a1、2a2、2a5、2a6一律施加規(guī)定的字電壓。并且，同樣地，其他字線(xiàn)wl2a、wl3a、wl4a也通過(guò)對(duì)應(yīng)的字線(xiàn)連接器wc13、wc12、wc14分別向四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a9，2a10，2a13，2a14、2a3，2a4，2a7，2a8、2a11，2a12，2a15，2a16一律施加規(guī)定的字電壓。

在此，當(dāng)關(guān)注例如與一個(gè)位線(xiàn)連接器bc15連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a6、2a7、2a10、2a11時(shí)，在與所述位線(xiàn)連接器bc15連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a6、2a7、2a10、2a11上連接有能夠獨(dú)立地電性控制的字線(xiàn)wl1a、wl2a、wl3a、wl4a，可通過(guò)各字線(xiàn)wl1a、wl2a、wl3a、wl4a分別施加不同的字電壓。并且，當(dāng)關(guān)注例如與一個(gè)字線(xiàn)連接器wc12連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a3、2a4、2a7、2a8時(shí)，在與所述字線(xiàn)連接器wc12連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a3、2a4、2a7、2a8上連接有能夠獨(dú)立地電性控制的位線(xiàn)bl1a、bl2a、bl3a、bl4a，可通過(guò)各位線(xiàn)bl1a、bl2a、bl3a、bl4a分別施加不同的位電壓。

并且，在這種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，通過(guò)適當(dāng)?shù)乜刂剖┘拥轿痪€(xiàn)bl1a、bl2a、bl3a、bl4a、bl5a、bl6a和字線(xiàn)wl1a、wl2a、wl3a、wl4a的電壓，通過(guò)上述的“(1-2)數(shù)據(jù)的寫(xiě)入動(dòng)作”，能夠僅向例如規(guī)定位置的反熔絲存儲(chǔ)器2a1寫(xiě)入數(shù)據(jù)的同時(shí)，通過(guò)上述的“(1-3)數(shù)據(jù)的讀取動(dòng)作”，能夠僅讀取例如規(guī)定位置的反熔絲存儲(chǔ)器2a1的數(shù)據(jù)。

順便說(shuō)一下，在圖4的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中具有16個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器，因此具有例如字線(xiàn)wl1a僅與一個(gè)字線(xiàn)連接器wc11連接的結(jié)構(gòu)。但是，當(dāng)反熔絲存儲(chǔ)器的數(shù)量進(jìn)一步增加時(shí)，具有例如第一列的字線(xiàn)wl1a和第二列的字線(xiàn)wl2a與沿行方向排列的多個(gè)字線(xiàn)連接器依次交叉連接的結(jié)構(gòu)。例如，與第一行第一列的字線(xiàn)連接器wc11連接的一個(gè)字線(xiàn)wl1a也與第一行第三列的字線(xiàn)連接器和第一行第五列的字線(xiàn)連接器等連接，另外，與第一行第二列的字線(xiàn)連接器wc13連接的另一字線(xiàn)wl2a也與第一行第四列的字線(xiàn)連接器和第一行第六列的字線(xiàn)連接器等連接。

(3)關(guān)于其他實(shí)施方式的位線(xiàn)和字線(xiàn)的平面布置結(jié)構(gòu)

圖4中，作為一例示出了如下的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1：總共16個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a1、2a2、2a3、2a4、2a5、2a6、2a7、2a8、2a9、2a10、2a11、2a12、2a13、2a14、2a15、2a16以四行四列的方式配置，與所述反熔絲存儲(chǔ)器2a1、2a2、2a3、2a4、2a5、2a6、2a7、2a8、2a9、2a10、2a11、2a12、2a13、2a14、2a15、2a16的配置位置匹配地配置位線(xiàn)bl1a、bl2a、bl3a、bl4a、bl5a、bl6a和字線(xiàn)wl1a、wl2a、wl3a、wl4a。

在此，圖4所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，位線(xiàn)連接器bc11、bc12、bc13的列設(shè)置在一端側(cè)，位線(xiàn)連接器bc17、bc18、bc19的列設(shè)置在另一端側(cè)。在這種情況下，位于一端側(cè)的第一行第一列的位線(xiàn)連接器bc11和同樣地位于一端側(cè)的第三行第一列的位線(xiàn)連接器bc13分別僅與一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a1(2a4)連接，并且，同樣地位于一端側(cè)的第二行第一列的位線(xiàn)連接器bc12與兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a2、2a3連接。

因此，與一端側(cè)的位線(xiàn)連接器bc11、bc13連接的第一列的位線(xiàn)bl1a通過(guò)各位線(xiàn)連接器bc11、bc13僅與總共兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a1、2a4連接。并且，同樣地與一端側(cè)的位線(xiàn)連接器bc12連接的第二列的位線(xiàn)bl2a也通過(guò)位線(xiàn)連接器bc12僅與兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a2、2a3連接。

并且，同樣地位于另一端側(cè)的位線(xiàn)連接器bc17、bc18、bc19的列中，位線(xiàn)連接器bc17(bc19)與一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a13(2a16)連接，其余的位線(xiàn)連接器bc18與兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a14、2a15連接。因此，與另一端側(cè)的位線(xiàn)連接器bc17、bc19連接的第五列的位線(xiàn)bl5a通過(guò)各位線(xiàn)連接器bc17、bc19僅與總共兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a13、2a16連接，并且，同樣地與另一端側(cè)的位線(xiàn)連接器bc18連接的第六列的位線(xiàn)bl6a也通過(guò)位線(xiàn)連接器bc18僅與兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a14、2a15連接。因此，相對(duì)于配置在末端的位線(xiàn)連接器bc11、bc12、bc13(bc17、bc18、bc19)的列而設(shè)置的位線(xiàn)bl1a、bl2a(bl5a、bl6a)所連接的反熔絲存儲(chǔ)器數(shù)量為兩個(gè)。

另一方面，在配置于中央?yún)^(qū)域的位線(xiàn)bl3a中，通過(guò)位線(xiàn)連接器bc14、bc16與總共四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a5、2a9、2a8、2a12連接，同樣地在配置于中央?yún)^(qū)域的位線(xiàn)bl4a中，通過(guò)位線(xiàn)連接器bc15與四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a6、2a7、2a10、2a11連接。因此，圖4所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，為了有效地進(jìn)行基于行地址和列地址的控制，優(yōu)選地，例如通過(guò)使第一列的位線(xiàn)bl1a和第五列的位線(xiàn)bl5a短路，使得用相同的電壓動(dòng)作的反熔絲存儲(chǔ)器的數(shù)量為四個(gè)，并且通過(guò)使第二列的位線(xiàn)bl2a和第六列的位線(xiàn)bl6a也短路，使得用相同的電壓動(dòng)作的反熔絲存儲(chǔ)器的數(shù)量為四個(gè)，從而使得與中央?yún)^(qū)域的位線(xiàn)bl3a、bl4a連接的反熔絲存儲(chǔ)器的數(shù)量(在此為四個(gè))一致。

即，優(yōu)選地，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，分別通過(guò)各位線(xiàn)連接器bc11、bc13與第一列的位線(xiàn)bl1a連接的總共兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a1、2a4和分別通過(guò)位線(xiàn)連接器bc17、bc19與第五列的位線(xiàn)bl5a連接的總共兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a13、2a16的合計(jì)四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a1、2a4、2a13、2a16通過(guò)第一列的位線(xiàn)bl1a和第五列的位線(xiàn)bl5a兩個(gè)位線(xiàn)來(lái)動(dòng)作。

同樣地，優(yōu)選的是，通過(guò)位線(xiàn)連接器bc12與第二列的位線(xiàn)bl2a連接的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a2、2a3和通過(guò)位線(xiàn)連接器bc18與第六列的位線(xiàn)bl6a連接的總共兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a14、2a15的合計(jì)四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a2、2a3、2a14、2a15通過(guò)第二列的位線(xiàn)bl2a和第六列的位線(xiàn)bl6a兩個(gè)位線(xiàn)來(lái)動(dòng)作。

在此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，例如當(dāng)通過(guò)第一列的位線(xiàn)bl1a和第五列的位線(xiàn)bl5a兩個(gè)位線(xiàn)向反熔絲存儲(chǔ)器2a1、2a4、2a13、2a16一律施加規(guī)定的位電壓時(shí)，與將四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a5、2a9、2a8、2a12(2a6、2a7、2a10、2a11)通過(guò)一個(gè)結(jié)構(gòu)動(dòng)作的第三列的位線(xiàn)bl3a或第四列的位線(xiàn)bl4a的容量不同。因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1中，進(jìn)行讀取數(shù)據(jù)的動(dòng)作時(shí)，例如可能會(huì)產(chǎn)生讀取速度下降等問(wèn)題。

因此，為了解決這樣的問(wèn)題，如與圖4對(duì)應(yīng)的部分使用相同的附圖標(biāo)記的圖5所示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1a中，在一端側(cè)配置字線(xiàn)連接器wc1a、wc2a的列的同時(shí)，在另一端側(cè)配置字線(xiàn)連接器wc5a、wc6a的列，并且，在一端側(cè)的字線(xiàn)連接器wc1a、wc2a的列與中央的字線(xiàn)連接器wc3a、wc4a的列之間，設(shè)置一個(gè)位線(xiàn)連接器bc1a、bc2a、bc3a的列，在另一端側(cè)的字線(xiàn)連接器wc5a、wc6a的列與中央的字線(xiàn)連接器wc3a、wc4a的列之間設(shè)置另一位線(xiàn)連接器bc4a、bc5a、bc6a的列。

并且，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1a中，位于一端側(cè)的字線(xiàn)連接器wc1a、wc2a的列與中央的字線(xiàn)連接器wc3a、wc4a的列之間的一個(gè)位線(xiàn)連接器bc1a、bc2a、bc3a的列中，第一行的位線(xiàn)連接器bc1a和第三行的位線(xiàn)連接器bc3a與第一列的位線(xiàn)bl1b連接，第二行的位線(xiàn)連接器bc2a與第二列的位線(xiàn)bl2b連接。

因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1a中，與第一行的位線(xiàn)連接器bc1a連接的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b1、2b5和與第三行的位線(xiàn)連接器bc3a連接的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b4、2b8的合計(jì)四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b1、2b5、2b4、2b8可以與第一列的一個(gè)位線(xiàn)bl1b連接，因此，可通過(guò)由一根結(jié)構(gòu)構(gòu)成的位線(xiàn)bl1b使四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b1、2b5、2b4、2b8進(jìn)行動(dòng)作。

并且，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1a中，與第二行的位線(xiàn)連接器bc2a連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b2、2b3、2b6、2b7可以與第二列的一根位線(xiàn)bl2b連接，因此，可通過(guò)由一根結(jié)構(gòu)構(gòu)成的位線(xiàn)bl2b使四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b2、2b3、2b6、2b7進(jìn)行動(dòng)作。

同樣地，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1a中，位于另一端側(cè)的字線(xiàn)連接器wc5a、wc6a的列與中央的字線(xiàn)連接器wc3a、wc4a的列之間的另一位線(xiàn)連接器bc4a、bc5a、bc6a的列中，第一行的位線(xiàn)連接器bc4a和第三行的位線(xiàn)連接器bc6a與第三列的位線(xiàn)bl3b連接，第二行的位線(xiàn)連接器bc5a與第四列的位線(xiàn)bl4b連接。

因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1a中，與第一行的位線(xiàn)連接器bc4a連接的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b9、2b13和與第三行的位線(xiàn)連接器bc6a連接的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b12、2b16的合計(jì)四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b9、2b13、2b12、2b16可以與第三列的一個(gè)位線(xiàn)bl3b連接，因此，可通過(guò)由一根結(jié)構(gòu)構(gòu)成的位線(xiàn)bl3b使四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b9、2b13、2b12、2b16進(jìn)行動(dòng)作。

并且，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1a中，與第二行的位線(xiàn)連接器bc5a連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b10、2b11、2b14、2b15可以與第四列的一根位線(xiàn)bl4b連接，因此，可通過(guò)由一根結(jié)構(gòu)構(gòu)成的位線(xiàn)bl4b使四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b10、2b11、2b14、2b15進(jìn)行動(dòng)作。

因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1a與圖4所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1不同，不需要位線(xiàn)之間的連接，可以將位線(xiàn)bl1b、bl2b、bl3b、bl4b均制成一根結(jié)構(gòu)，并設(shè)定為相同的容量，因此在進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取動(dòng)作時(shí)，能夠防止例如讀取數(shù)據(jù)的下降等問(wèn)題。

并且，在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1a中，第一行的字線(xiàn)連接器wc1a、wc3a、wc5a的行中，第一列的字線(xiàn)連接器wc1a和第三列的字線(xiàn)連接器wc5a與同一個(gè)字線(xiàn)wl1b連接，第二列的字線(xiàn)連接器wc3a與不同于所述字線(xiàn)wl1b的另一字線(xiàn)wl2b連接。并且，第二行的字線(xiàn)連接器wc2a、wc4a、wc6a的行中，第一列的字線(xiàn)連接器wc2a和第三列的字線(xiàn)連接器wc6a與同一個(gè)字線(xiàn)wl3b連接，第二列的字線(xiàn)連接器wc4a與不同于所述字線(xiàn)wl3b的另一字線(xiàn)wl4b連接。

并且，在上述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1a中，能夠?qū)崿F(xiàn)例如第二行第一列的位線(xiàn)連接器bc2a或第二行第二列的位線(xiàn)連接器bc5a分別與四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b2、2b3、2b6、2b7(2b10、2b11、2b14、2b15)連接的結(jié)構(gòu)，從而如上述的實(shí)施方式一樣能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。并且，在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1a中，也能夠?qū)崿F(xiàn)例如第一行第二列的字線(xiàn)連接器wc3a或第二行第二列的字線(xiàn)連接器wc4a分別與四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b5、2b6、2b9、2b10(2b7、2b8、2b11、2b12)連接的結(jié)構(gòu)，從而如上述的實(shí)施方式一樣能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。

順便說(shuō)一下，即使在這種情況下，如果關(guān)注例如與位于中央?yún)^(qū)域的一個(gè)位線(xiàn)連接器bc2a連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b2、2b3、2b6、2b7，則與所述位線(xiàn)連接器bc2a連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b2、2b3、2b6、2b7與能夠獨(dú)立地電性控制的字線(xiàn)wl1b、wl2b、wl3b、wl4b連接，可通過(guò)各字線(xiàn)wl1b、wl2b、wl3b、wl4b分別施加不同的字電壓。并且，如果關(guān)注例如與一個(gè)字線(xiàn)連接器wc3a連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b5、2b6、2b9、2b10，則與所述字線(xiàn)連接器bc3a連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b5、2b6、2b9、2b10與能夠獨(dú)立地電性控制的位線(xiàn)bl1b、bl2b、bl3b、bl4b連接，可通過(guò)各位線(xiàn)bl1b、bl2b、bl3b、bl4b分別施加不同的位電壓。

并且，在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1a中，也通過(guò)適當(dāng)?shù)乜刂剖┘拥轿痪€(xiàn)bl1b、bl2b、bl3b、bl4b和字線(xiàn)wl1b、wl2b、wl3b、wl4b的電壓，由此通過(guò)上述的“(1-2)數(shù)據(jù)的寫(xiě)入動(dòng)作”，能夠僅向例如規(guī)定位置的反熔絲存儲(chǔ)器2b1寫(xiě)入數(shù)據(jù)的同時(shí)，通過(guò)上述的“(1-3)數(shù)據(jù)的讀取動(dòng)作”，能夠僅讀取例如規(guī)定位置的反熔絲存儲(chǔ)器2b1的數(shù)據(jù)。

通過(guò)以上的結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1a中，配置在末端的一方向(在此為行方向)上排列的各位線(xiàn)連接器bc1a、bc4a(bc3a、bc6a)分別與兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b1，2b5、2b9，2b13(2b4，2b8、2b12，2b16)連接，并且，配置在末端的另一方向(在此為列方向)上排列的各字線(xiàn)連接器wc1a、wc2a(wc5a、wc6a)分別與兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b1，2b2、2b3，2b4(2b13，2b14、2b15，2b16)連接。并且，在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1a中，配置在中央?yún)^(qū)域的其余的位線(xiàn)連接器bc2a(bc5a)與四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b2、2b3、2b6、2b7(2b10、2b11、2b14、2b15)連接，并且，配置在中央?yún)^(qū)域的字線(xiàn)連接器wc3a(wc4a)與四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2b5、2b6、2b9、2b10(2b7、2b8、2b11、2b12)連接。

因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1a中，由于將位線(xiàn)連接器bc1a～bc6a和字線(xiàn)連接器wc1a～wc6a能夠在兩個(gè)以上的反熔絲存儲(chǔ)器中共用，因此能夠相應(yīng)地實(shí)現(xiàn)整體裝置的小型化，并且，可以使例如與一根位線(xiàn)bl1b連接的反熔絲存儲(chǔ)器數(shù)量相同(在此為四個(gè))，并均可設(shè)定為相同的容量，因此在進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取動(dòng)作時(shí)，能夠防止讀取速度的下降等問(wèn)題。

順便說(shuō)一下，圖5所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1a中，對(duì)具有16個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器的情況進(jìn)行說(shuō)明，但是當(dāng)反熔絲存儲(chǔ)器的數(shù)量進(jìn)一步增加時(shí)，例如具有第一列的字線(xiàn)wl1b和第二列的字線(xiàn)wl2b與沿行方向排列的多個(gè)字線(xiàn)連接器依次交叉連接的結(jié)構(gòu)。例如，與第一行第一列的字線(xiàn)連接器wc1a連接的一個(gè)字線(xiàn)wl1b除了與第一行第三列的字線(xiàn)連接器wc5a連接之外還可以與第一行第五列的字線(xiàn)連接器等連接。另外，與第一行第二列的字線(xiàn)連接器wc3a連接的另一字線(xiàn)wl2b除了與第一行第四列的字線(xiàn)連接器連接之外還可以與第一行第六列的字線(xiàn)連接器等連接。

并且，圖5所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1a中，當(dāng)反熔絲存儲(chǔ)器的數(shù)量增加到16個(gè)以上時(shí)，位線(xiàn)連接器bc1a、bc4a、…(bc3a、bc6a、…)在兩末端沿行方向排列，并從一側(cè)的末端朝向列方向位線(xiàn)連接器行和字線(xiàn)連接器行依次交叉配置，并且，當(dāng)一行上排列的位線(xiàn)連接器的數(shù)量為n個(gè)時(shí)，一行上排列的字線(xiàn)連接器的數(shù)量為(n+1)個(gè)。示出具有16個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1a的圖5中，一行上排列的位線(xiàn)連接器的數(shù)量為兩個(gè)，一行上排列的字線(xiàn)連接器的數(shù)量為3個(gè)。

(4)關(guān)于兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器、沿列方向排列的多個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)位線(xiàn)連接器的情況

與圖3對(duì)應(yīng)的部分使用相同的附圖標(biāo)記的圖6示出，例如總共16個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2c1、2c2、2c3、2c4、2c5、2c6、2c7、2c8、2c9、2c10、2c11、2c12、2c13、2c14、2c15、2c16以四行四列的方式配置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置21的平面布置結(jié)構(gòu)。在這種情況下，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置21中，反熔絲存儲(chǔ)器2c1、2c2、2c3、2c4、2c5、2c6、2c7、2c8、2c9、2c10、2c11、2c12、2c13、2c14、2c15、2c16均具有相同的結(jié)構(gòu)，與上述的圖2a和圖2b同樣，分別具有整流元件3和存儲(chǔ)器電容4。并且，字線(xiàn)連接器wc21、wc22、wc23、wc24、wc25、wc26、wc27、wc28也均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此下面關(guān)注例如字線(xiàn)連接器wc22而進(jìn)行說(shuō)明。

在這種情況下，豎立設(shè)置字線(xiàn)連接器wc22的p型半導(dǎo)體區(qū)域8形成為矩形狀，由行方向上相鄰的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2c2、2c6共用。實(shí)際上，反熔絲存儲(chǔ)器2c2的n型半導(dǎo)體區(qū)域7接合到豎立設(shè)置有字線(xiàn)連接器wc22的p型半導(dǎo)體區(qū)域8的一邊，與所述反熔絲存儲(chǔ)器2c2在行方向上相鄰的另一反熔絲存儲(chǔ)器2c6的n型半導(dǎo)體區(qū)域7連接到與所述一邊相對(duì)的另一邊上。

在此，當(dāng)關(guān)注例如反熔絲存儲(chǔ)器2c2時(shí)，通過(guò)p型半導(dǎo)體區(qū)域8和n型半導(dǎo)體區(qū)域7接合來(lái)形成pn接合二極管的整流元件3。因此，字線(xiàn)連接器wc22可對(duì)共用p型半導(dǎo)體區(qū)域8的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2c2、2c6的各整流元件3從字線(xiàn)(未示出)一律施加規(guī)定的字電壓。

并且，所述兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2c2、2c6的各n型半導(dǎo)體區(qū)域7分別以從p型半導(dǎo)體區(qū)域8遠(yuǎn)離的方式向行方向延伸，與前端部接合的各存儲(chǔ)器柵極g分別配置在不同的活性區(qū)域22。并且，在與n型半導(dǎo)體區(qū)域7的前端部一體形成的各存儲(chǔ)器柵極g和活性區(qū)域22相對(duì)的各區(qū)域上形成有各反熔絲存儲(chǔ)器2c2、2c6的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6。

接著，下面對(duì)位線(xiàn)連接器bc21、bc22、bc23、bc24進(jìn)行說(shuō)明。在該實(shí)施方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置21中總共配置有四個(gè)位線(xiàn)連接器bc21、bc22、bc23、bc24。各位線(xiàn)連接器bc21、bc22、bc23、bc24分別配置在不同的活性區(qū)域22，分別向?qū)?yīng)的活性區(qū)域12施加來(lái)自位線(xiàn)(未示出)的規(guī)定的位電壓。

在這種情況下，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置21中，在配置第一列的位線(xiàn)連接器bc21的活性區(qū)域22與配置第二列的位線(xiàn)連接器bc22的活性區(qū)域22之間，形成以矩陣狀配置的8個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2c1、2c2、2c3、2c4、2c5、2c6、2c7、2c8。在配置第一列的位線(xiàn)連接器bc21的活性區(qū)域22，形成有沿列方向排列的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)2c1、2c2、2c3、2c4，另外，在配置第二列的位線(xiàn)連接器bc22的活性區(qū)域22，形成有列方向上配置的反熔絲存儲(chǔ)器2c5、2c6、2c7、2c8。

并且，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置21中，配置第二列的位線(xiàn)連接器bc22的活性區(qū)域22和配置第三列的位線(xiàn)連接器bc23的活性區(qū)域22并行配置，并且，如上所述，在第三列的位線(xiàn)連接器bc23的活性區(qū)域22與第四列的位線(xiàn)連接器bc24的活性區(qū)域22之間，也可以以矩陣狀配置8個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2c9、2c10、2c11、2c12、2c13、2c14、2c15、2c16。

并且，在該實(shí)施方式中，所述四個(gè)位線(xiàn)連接器bc21、bc22、bc23、bc24均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此，下面關(guān)注位線(xiàn)連接器bc22而進(jìn)行說(shuō)明。在這種情況下，配置有位線(xiàn)連接器bc22的活性區(qū)域22具有下述結(jié)構(gòu)：沿列方向排列的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2c5、2c6、2c7、2c8向列方向延伸的長(zhǎng)方形形狀，并設(shè)置有所述沿列方向排列的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2c5、2c6、2c7、2c8的各存儲(chǔ)器柵極g。因此，所述位線(xiàn)連接器bc22分別與不同的字線(xiàn)連接器wc21、wc22、wc23、wc24連接，且通過(guò)活性區(qū)域22向沿列方向排列的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2c5、2c6、2c7、2c8一律施加來(lái)自位線(xiàn)的規(guī)定的位電壓。

以上的結(jié)構(gòu)中，圖6所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置21的反熔絲存儲(chǔ)器2c1、2c2、2c3、2c4、2c5、2c6、2c7、2c8、2c9、2c10、2c11、2c12、2c13、2c14、2c15、2c16中，與上述的“(1-4)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的作用及效果”一樣，不使用如現(xiàn)有的控制電路，可通過(guò)施加到存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g和字線(xiàn)的電壓值，通過(guò)整流元件3阻斷從存儲(chǔ)器柵極g施加到字線(xiàn)的電壓，因此不需要如現(xiàn)有的選擇性地執(zhí)行向存儲(chǔ)器電容施加電壓的開(kāi)關(guān)晶體管或者用于執(zhí)行開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通和截止動(dòng)作的開(kāi)關(guān)控制電路，從而相應(yīng)地實(shí)現(xiàn)小型化。

并且，例如，本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置21的反熔絲存儲(chǔ)器2c6中，與上述的“(1-4)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的作用及效果”一樣，可以設(shè)置(ⅰ)通過(guò)向字線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇字線(xiàn))施加0v的非破壞字電壓來(lái)在存儲(chǔ)器電容4不形成溝道的第一阻斷結(jié)構(gòu)和(ⅱ)通過(guò)使整流元件3成為反方向偏置狀態(tài)來(lái)阻斷非破壞位電壓的第二阻斷結(jié)構(gòu)的雙重阻斷結(jié)構(gòu)，由此，能夠執(zhí)行正常的數(shù)據(jù)寫(xiě)入動(dòng)作，從而也能夠可靠地防止讀取數(shù)據(jù)時(shí)的錯(cuò)誤動(dòng)作。

并且，圖6所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置21中，沿列方向排列的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2c5、2c6、2c7、2c8共用一個(gè)位線(xiàn)連接器bc22，同時(shí)例如行方向上相鄰的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2c2、2c6共用一個(gè)字線(xiàn)連接器wc22，因此與每個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器上分別單獨(dú)設(shè)置位線(xiàn)連接器和字線(xiàn)連接器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)整體裝置的小型化。

(5)關(guān)于沿行方向排列的多個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器、兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)位線(xiàn)連接器的情況

與圖3對(duì)應(yīng)的部分使用相同的附圖標(biāo)記的圖7示出例如總共16個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d1、2d2、2d3、2d4、2d5、2d6、2d7、2d8、2d9、2d10、2d11、2d12、2d13、2d14、2d15、2d16以四行四列的方式配置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置31的平面布置結(jié)構(gòu)。在這種情況下，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置31中，反熔絲存儲(chǔ)器2d1、2d2、2d3、2d4、2d5、2d6、2d7、2d8、2d9、2d10、2d11、2d12、2d13、2d14、2d15、2d16均具有相同的結(jié)構(gòu)，與上述的圖2a和圖2b一樣，分別具有整流元件3和存儲(chǔ)器電容4。并且，字線(xiàn)連接器wc31、wc32、wc33、wc34也均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此下面關(guān)注例如字線(xiàn)連接器wc32而進(jìn)行說(shuō)明。

在這種情況下，字線(xiàn)連接器wc32配置在具有沿行反向延伸的長(zhǎng)度方向的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b，可在沿所述p型半導(dǎo)體區(qū)域8b延伸且行方向上配置的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d2、2d6、2d10、2d14上共用。實(shí)際上，沿行方向排列的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d2、2d6、2d10、2d14的各n型半導(dǎo)體區(qū)域7接合到豎立設(shè)置字線(xiàn)連接器wc32的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b的一邊。

在此，當(dāng)關(guān)注例如反熔絲存儲(chǔ)器2d2時(shí)，通過(guò)p型半導(dǎo)體區(qū)域8b和n型半導(dǎo)體區(qū)域7接合以形成pn接合二極管的整流元件3。因此，字線(xiàn)連接器wc32可對(duì)共用p型半導(dǎo)體區(qū)域8b的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d2、2d6、2d10、2d14的各整流元件3從字線(xiàn)(未示出)一律施加規(guī)定的字電壓。

并且，所述四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d2、2d6、2d10、2d14的各n型半導(dǎo)體區(qū)域7分別以從p型半導(dǎo)體區(qū)域8b遠(yuǎn)離的方式向列方向延伸，與前端部接合的各存儲(chǔ)器柵極g分別配置在不同的活性區(qū)域12。并且，在與n型半導(dǎo)體區(qū)域7的前端部一體形成的各存儲(chǔ)器柵極g和活性區(qū)域12相對(duì)的各區(qū)域上形成有各反熔絲存儲(chǔ)器2d2、2d6、2d10、2d14的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6。

在這種情況下，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置31中，豎立配置所述第二行的字線(xiàn)連接器wc32的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b和豎立設(shè)置第三行的字線(xiàn)連接器wc33的p型半導(dǎo)體區(qū)域3b并行配置，在所述兩個(gè)p型半導(dǎo)體區(qū)域8b之間以矩陣狀配置8個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d2、2d3、2d6、2d7、2d10、2d11、2d14、2d15。

順便說(shuō)一下，在該實(shí)施方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置31中，相對(duì)于豎立設(shè)置第二行的字線(xiàn)連接器wc32的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b的另一邊，豎立設(shè)置第一行的字線(xiàn)連接器wc31的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b的一邊以并行的方式相鄰。豎立設(shè)置所述第一行的字線(xiàn)連接器wc31的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b的另一邊與沿行方向排列的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d1、2d5、2d9、2d13的各n型半導(dǎo)體區(qū)域7接合。

并且，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置31中，相對(duì)于豎立設(shè)置第三行的字線(xiàn)連接器wc33的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b的另一邊，豎立設(shè)置第四行的字線(xiàn)連接器wc34的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b的一邊以并行的方式相鄰。豎立設(shè)置所述第四行的字線(xiàn)連接器wc34的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b的另一邊與沿行方向排列的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d4、2d8、2d12、2d16的各n型半導(dǎo)體區(qū)域7接合。

接著，下面對(duì)位線(xiàn)連接器bc31、bc32、bc33、bc34、bc35、bc36、bc37、bc38、bc39、bc40、bc41、bc42進(jìn)行說(shuō)明。在該實(shí)施方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置31中以三行四列地總共配置有12個(gè)位線(xiàn)連接器bc31、bc32、bc33、bc34、bc35、bc36、bc37、bc38、bc39、bc40、bc41、bc42。所述位線(xiàn)連接器bc31、bc32、bc33、bc34、bc35、bc36、bc37、bc38、bc39、bc40、bc41、bc42分別配置在不同的活性區(qū)域12，分別向?qū)?yīng)的活性區(qū)域12施加來(lái)自位線(xiàn)(未示出)的規(guī)定的位電壓。

在此，配置在中央?yún)^(qū)域的沿行方向排列的位線(xiàn)連接器bc35、bc36、bc37、bc38均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此，下面關(guān)注例如其中的位線(xiàn)連接器bc35而進(jìn)行說(shuō)明。在這種情況下，在配置有位線(xiàn)連接器bc35的活性區(qū)域12上設(shè)置有與不同的p型半導(dǎo)體區(qū)域8b連接且沿列方向排列的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d2、2d3。因此，位線(xiàn)連接器bc35由所述兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d2、2d3共用，可向所述兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d2、2d3一律施加來(lái)自位線(xiàn)的規(guī)定的電壓。

實(shí)際上，在豎立設(shè)置所述位線(xiàn)連接器bc35的活性區(qū)域12，以所述位線(xiàn)連接器bc35為中心反熔絲存儲(chǔ)器2d2和反熔絲存儲(chǔ)器2d3以上下對(duì)稱(chēng)的方式配置。具體而言，在豎立設(shè)置有位線(xiàn)連接器bc35的活性區(qū)域12的一邊側(cè)，相對(duì)配置有一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d2的存儲(chǔ)器柵極g，并形成有所述反熔絲存儲(chǔ)器2d2的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6。并且，在所述活性區(qū)域12的另一邊側(cè)，也同樣地相對(duì)配置有另一反熔絲存儲(chǔ)器2d3的存儲(chǔ)器柵極g，并形成有所述反熔絲存儲(chǔ)器2d3的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6。

順便說(shuō)一下，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置31的平面布置中，在末端沿行方向配置的四個(gè)位線(xiàn)連接器bc31、bc32、bc33、bc34(bc39、bc40、bc41、bc42)上分別僅連接有與對(duì)應(yīng)的一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d1、2d5、2d9、2d13(2d4、2d8、2d12、2d16)連接。因此在所述末端沿行方向配置的各位線(xiàn)連接器bc31、bc32、bc33、bc34(bc39、bc40、bc41、bc42)中，可僅分別向?qū)?yīng)的一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d1、2d5、2d9、2d13(2d4、2d8、2d12、2d16)施加位電壓。

如上所述，在末端的位線(xiàn)連接器bc31、bc32、bc33、bc34、bc39、bc40、bc41、bc42中，可分別僅向一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d1、2d5、2d9、2d13、2d4、2d8、2d12、2d16施加規(guī)定的位電壓，但是配置在中央?yún)^(qū)域的各位線(xiàn)連接器bc35、bc36、bc37、bc38中，可分別向?qū)?yīng)的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d2，2d3、2d6，2d7、2d10，2d11、2d14，2d15一律施加規(guī)定的位電壓，因此兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d2，2d3、2d6，2d7、2d10，2d11、2d14，2d15共用一個(gè)位線(xiàn)連接器bc35、bc36、bc37、bc38，從而能夠相應(yīng)地實(shí)現(xiàn)整體裝置的小型化。

以上的結(jié)構(gòu)中，圖7所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置31的反熔絲存儲(chǔ)器2d1、2d2、2d3、2d4、2d5、2d6、2d7、2d8、2d9、2d10、2d11、2d12、2d13、2d14、2d15、2d16中，與上述的“(1-4)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的作用及效果”一樣，不使用如現(xiàn)有的控制電路，可通過(guò)施加到存儲(chǔ)器電容4的存儲(chǔ)器柵極g和字線(xiàn)的電壓值，通過(guò)整流元件3阻斷從存儲(chǔ)器柵極g施加到字線(xiàn)的電壓，因此不需要如現(xiàn)有的選擇性地執(zhí)行向存儲(chǔ)器電容施加電壓的開(kāi)關(guān)晶體管或者用于執(zhí)行開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通和截止動(dòng)作的開(kāi)關(guān)控制電路，從而相應(yīng)地實(shí)現(xiàn)小型化。

并且，例如，本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置31的反熔絲存儲(chǔ)器2d2中，與上述的“(1-4)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的作用及效果”一樣，可以設(shè)置(ⅰ)通過(guò)向字線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇字線(xiàn))施加0v的非破壞字電壓來(lái)在存儲(chǔ)器電容4不形成溝道的第一阻斷結(jié)構(gòu)和(ⅱ)通過(guò)使整流元件3成為反方向偏置狀態(tài)來(lái)阻斷非破壞位電壓的第二阻斷結(jié)構(gòu)的雙重阻斷結(jié)構(gòu)，由此，能夠執(zhí)行正常的數(shù)據(jù)寫(xiě)入動(dòng)作，從而也能夠可靠地防止讀取數(shù)據(jù)時(shí)的錯(cuò)誤動(dòng)作。

并且，圖7所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置31中，例如沿一方向(在此為行方向)排列的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d2、2d6、2d10、2d14共用一個(gè)字線(xiàn)連接器wc32，同時(shí)例如彼此相鄰的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2d2、2d3共用一個(gè)位線(xiàn)連接器bc35，因此與每個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器上分別單獨(dú)設(shè)置位線(xiàn)連接器和字線(xiàn)連接器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)整體裝置的小型化。

(6)具有由n型mos(metal-oxide-semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管構(gòu)成的整流元件的反熔絲存儲(chǔ)器

(6-1)基本結(jié)構(gòu)

上述的實(shí)施方式中，雖然對(duì)作為整流元件適用二極管型整流元件3的情況進(jìn)行說(shuō)明，其中所述二極管型整流元件3具有由p型半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域構(gòu)成的半導(dǎo)體接合結(jié)構(gòu)，并通過(guò)反方向偏置電壓阻斷來(lái)自存儲(chǔ)器柵極的電壓，但是，本發(fā)明并不限定于此，例如，還可以適用mos晶體管型整流元件，其具有由整流元件柵極和漏區(qū)域和源區(qū)域構(gòu)成的半導(dǎo)體接合結(jié)構(gòu)，并通過(guò)反方向偏置電壓阻斷來(lái)自存儲(chǔ)器電容的存儲(chǔ)器柵極的電壓。

在此，圖8示出反熔絲存儲(chǔ)器42，其包括具有n型mos晶體管的半導(dǎo)體接合結(jié)構(gòu)的整流元件43和包括通過(guò)字線(xiàn)wl及位線(xiàn)bl的電壓差被絕緣破壞的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6的存儲(chǔ)器電容44。在這種情況下，存儲(chǔ)器電容44中，一端的擴(kuò)散區(qū)域與位線(xiàn)bl連接，存儲(chǔ)器柵極g與整流元件43連接。整流元件43具有整流元件柵極g1和漏區(qū)域與字線(xiàn)wl連接的同時(shí)源區(qū)域與存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g連接的結(jié)構(gòu)。因此，整流元件43從字線(xiàn)wl只要被施加截止電壓，所述整流元件43的晶體管將進(jìn)行截止動(dòng)作，能夠阻斷從存儲(chǔ)器柵極g施加到字線(xiàn)wl的電壓。

實(shí)際上，如圖9a所示，反熔絲存儲(chǔ)器42具有例如在由si構(gòu)成的p型或n型阱s2的表面形成由絕緣部件構(gòu)成的元件分離層il的結(jié)構(gòu)。并且，在阱s2上的元件分離層il的一側(cè)區(qū)域形成整流元件43，在所述元件分離層il的另一側(cè)區(qū)域形成存儲(chǔ)器電容44。實(shí)際上，在元件分離層il的一側(cè)的阱s2的表面，以與所述元件分離層il相鄰的方式形成一側(cè)的擴(kuò)散區(qū)域5b，與所述擴(kuò)散區(qū)域5b相隔規(guī)定間隔而在該阱s2的表面上形成另一側(cè)的擴(kuò)散區(qū)域5c。

在所述擴(kuò)散區(qū)域5b、5c之間的阱s2的表面，夾著柵絕緣膜48形成整流元件柵極g1，從作為漏區(qū)域的另一側(cè)的擴(kuò)散區(qū)域5c到整流元件柵極g1豎立設(shè)置有字線(xiàn)連接器wc。并且，在該實(shí)施方式中，具有下述結(jié)構(gòu)：從作為漏區(qū)域的另一側(cè)的擴(kuò)散區(qū)域5c表面的硅化物sc并通過(guò)整流元件柵極g1的側(cè)壁到所述整流元件柵極g1表面的硅化物sc形成字線(xiàn)連接器，并且其前端部與字線(xiàn)wl連接。因此，字線(xiàn)連接器wc能夠?qū)淖志€(xiàn)wl施加的字電壓施加到作為整流元件43的漏區(qū)域的擴(kuò)散區(qū)域5c和整流元件柵極g1上。

并且，在元件分離層il的另一側(cè)的阱s2的表面，與所述元件分離層il相隔規(guī)定間隔形成擴(kuò)散區(qū)域5a，前端與位線(xiàn)bl連接的位線(xiàn)連接器bc豎立設(shè)置在所述擴(kuò)散區(qū)域5a表面的硅化物sc上。并且，在元件分離層il與擴(kuò)散區(qū)域5a之間的表面，夾著存儲(chǔ)器柵絕緣膜6形成存儲(chǔ)器柵極g。在此，從元件分離層il上的部分區(qū)域到存儲(chǔ)器柵絕緣膜6上形成存儲(chǔ)器柵極g，兩個(gè)側(cè)壁具有側(cè)壁sw。

并且，在該反熔絲存儲(chǔ)器42中，從作為整流元件43的源區(qū)域的一側(cè)的擴(kuò)散區(qū)域5b到元件分離層il上的存儲(chǔ)器柵極g形成連接器c1，整流元件43的擴(kuò)散區(qū)域5b和存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g通過(guò)連接器c1電連接。因此，整流元件43從字線(xiàn)wl只要被施加截止電壓，所述整流元件43的溝道將處于非導(dǎo)通狀態(tài)，可阻斷從存儲(chǔ)器柵極g施加到字線(xiàn)wl的電壓。

并且，包括這樣的mos晶體管結(jié)構(gòu)的整流元件43的反熔絲存儲(chǔ)器42中，整流元件43的整流元件柵極g1和存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g形成在相同的布線(xiàn)層(同一層)上，并且整流元件柵極g1的膜厚度和存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g的膜厚度相同。因此，在反熔絲存儲(chǔ)器42中也能夠?qū)崿F(xiàn)整體的薄型化。并且，在阱s2上形成的位線(xiàn)連接器bc、字線(xiàn)連接器wc、連接器c1、整流元件柵極g1、存儲(chǔ)器柵極g、位線(xiàn)bl、字線(xiàn)wl被層間絕緣膜9覆蓋。

并且，與圖9a對(duì)應(yīng)的部分使用相同的附圖標(biāo)記的圖9b示出設(shè)置圖9a所示的反熔絲存儲(chǔ)器42的區(qū)域的平面布置結(jié)構(gòu)。并且，圖9a是圖9b的b-b’的側(cè)截面結(jié)構(gòu)。如圖9b所示，反熔絲存儲(chǔ)器42中，位線(xiàn)連接器bc配置在阱s2的對(duì)應(yīng)的一活性區(qū)域46a上，字線(xiàn)連接器wc配置在阱的對(duì)應(yīng)的另一活性區(qū)域46b上。存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g的一部分與一活性區(qū)域46a相對(duì)配置，在存儲(chǔ)器柵極g與活性區(qū)域46a的相對(duì)區(qū)域可形成存儲(chǔ)器柵絕緣膜6。并且，在另一活性區(qū)域46b上形成有整流元件43的整流元件柵極g1，并且，還形成有與反熔絲存儲(chǔ)器42相鄰的另一反熔絲存儲(chǔ)器(未示出)的整流元件43的整流元件柵極g1。

順便說(shuō)一下，具有這種結(jié)構(gòu)的反熔絲存儲(chǔ)器42可以通過(guò)利用光刻技術(shù)、氧化或化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition；cvd)等成膜技術(shù)、蝕刻技術(shù)以及離子注入法的一般的半導(dǎo)體制造工序來(lái)形成，因此在此省略其說(shuō)明。

(6-2)數(shù)據(jù)的寫(xiě)入動(dòng)作

在此，以矩陣狀排列的反熔絲存儲(chǔ)器42中，當(dāng)僅對(duì)規(guī)定的反熔絲存儲(chǔ)器42寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，如圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1一樣，可對(duì)與寫(xiě)入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲(chǔ)器42連接的位線(xiàn)bl施加0v的破壞位電壓，可對(duì)僅與不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲(chǔ)器42連接的位線(xiàn)bl施加3v的非破壞位電壓。

并且，此時(shí)，可對(duì)與寫(xiě)入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲(chǔ)器42連接的字線(xiàn)wl施加5v的破壞字電壓，可對(duì)僅與不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲(chǔ)器42連接的字線(xiàn)wl施加0v的非破壞字電壓。并且，可對(duì)形成有反熔絲存儲(chǔ)器42的阱上施加與破壞位電壓相同的0v。

因此，例如，在寫(xiě)入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲(chǔ)器42中，例如可對(duì)位線(xiàn)bl施加0v的破壞位電壓，對(duì)字線(xiàn)wl施加5v的破壞字電壓。此時(shí)，對(duì)于整流元件43，由于從字線(xiàn)wl向整流元件柵極g1施加5v的破壞字電壓，因此通過(guò)整流元件柵極g1與源區(qū)域的電壓差進(jìn)行導(dǎo)通動(dòng)作，結(jié)果，從漏區(qū)域向源區(qū)域被施加正向偏置電壓，從漏區(qū)域通過(guò)源區(qū)域向存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g可施加減少相當(dāng)于閾值電壓的破壞字電壓。此時(shí)，存儲(chǔ)器電容44因存儲(chǔ)器柵極g的破壞字電壓和位線(xiàn)bl的破壞位電壓之間的關(guān)系進(jìn)行導(dǎo)通動(dòng)作而形成溝道，可向溝道誘導(dǎo)位線(xiàn)bl的電位。

因此，存儲(chǔ)器電容44中在存儲(chǔ)器柵極g與溝道之間可產(chǎn)生破壞位電壓與破壞字電壓引起的電壓差。因此，寫(xiě)入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲(chǔ)器42中，存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g下部的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6被絕緣破壞，存儲(chǔ)器柵極g和擴(kuò)散區(qū)域以低阻抗處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而可成為向存儲(chǔ)器電容44寫(xiě)入數(shù)據(jù)的狀態(tài)。

另外，向位線(xiàn)bl被施加3v的非破壞位電壓的同時(shí)向字線(xiàn)wl被施加0v的非破壞字電壓的不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲(chǔ)器42中，例如當(dāng)存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6已被絕緣破壞時(shí)，位線(xiàn)bl的3v的非破壞位電壓可通過(guò)存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g被施加至整流元件43的源區(qū)域。此時(shí)，反熔絲存儲(chǔ)器42中，由于字線(xiàn)wl上被施加有0v的非破壞字電壓，因此整流元件43的整流元件柵極g1和漏區(qū)域成為0v，所述整流元件43成為截止?fàn)顟B(tài)(非導(dǎo)通狀態(tài))(第二阻斷結(jié)構(gòu))。

并且，存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g與整流元件43的源區(qū)域之間的布線(xiàn)的電位沒(méi)有從外部供給，因此在穩(wěn)定狀態(tài)下可以考慮為與阱電位相同的0v。因此，當(dāng)與存儲(chǔ)器電容44連接的位線(xiàn)bl上被施加高電壓的非破壞位電壓(在此為3v)時(shí)，例如即使存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6被絕緣破壞，由于字線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇字線(xiàn))wl上被施加有0v的非破壞字電壓，因此存儲(chǔ)器電容44上不形成溝道，從而存儲(chǔ)器電容44能夠阻斷從位線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇位線(xiàn))bl施加到字線(xiàn)wl的電壓。

因此，該反熔絲存儲(chǔ)器42中，例如在非常靠近與施加非破壞位電壓(3v)的位線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇位線(xiàn))bl連接的擴(kuò)散區(qū)域5a的位置產(chǎn)生存儲(chǔ)器柵絕緣膜6的絕緣破壞，從而即使寫(xiě)入非選擇位線(xiàn)bl的電位沒(méi)有被存儲(chǔ)器電容44的溝道阻斷，從寫(xiě)入非選擇位線(xiàn)bl向存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g施加非破壞位電壓，由于與所述存儲(chǔ)器柵極g連接的整流元件43處于截止?fàn)顟B(tài)(非導(dǎo)通狀態(tài))，因此通過(guò)所述整流元件43能夠可靠地阻斷從存儲(chǔ)器柵極g施加到字線(xiàn)wl的電壓。如上所述，反熔絲存儲(chǔ)器42中，可通過(guò)存儲(chǔ)器電容44的溝道截止動(dòng)作(第一阻斷機(jī)構(gòu))和整流元件43的截止動(dòng)作(第二阻斷機(jī)構(gòu))阻斷從位線(xiàn)bl施加的3v的非破壞位電壓，從而能夠可靠地防止所述非破壞位電壓傳遞到字線(xiàn)wl上。

順便說(shuō)一下，從字線(xiàn)wl被施加5v的破壞字電壓、且從位線(xiàn)bl被施加3v的非破壞位電壓的不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲(chǔ)器42中，雖然從整流元件43向存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g被施加下降閾值電壓的破壞字電壓，由于存儲(chǔ)器柵極g與溝道和擴(kuò)散區(qū)域的電壓差小，因此即使存儲(chǔ)器電容44中存儲(chǔ)器柵絕緣膜6沒(méi)有被絕緣破壞，所述存儲(chǔ)器柵絕緣膜6也不會(huì)被絕緣破壞而照樣保持絕緣狀態(tài)，從而能夠保持不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的狀態(tài)。

并且，即使具有這種結(jié)構(gòu)的反熔絲存儲(chǔ)器42以矩陣狀配置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，可通過(guò)上述的“(1-3)數(shù)據(jù)的讀取動(dòng)作”讀取期望的反熔絲存儲(chǔ)器42的數(shù)據(jù)，因此在此省略對(duì)其的說(shuō)明。

(6-3)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的作用及效果

以上的結(jié)構(gòu)中，即使在不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲(chǔ)器42，與圖2中的上述的反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b一樣，在與存儲(chǔ)器電容44連接的位線(xiàn)bl上被施加高電壓的非破壞位電壓時(shí)，例如即使存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6被絕緣破壞，也會(huì)通過(guò)使整流元件43的溝道處于截止?fàn)顟B(tài)(非導(dǎo)通狀態(tài))，阻斷從存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g施加到字線(xiàn)wl的非破壞位電壓。

因此，即使反熔絲存儲(chǔ)器42，與圖2中的上述的反熔絲存儲(chǔ)器2a、2b一樣，不使用如現(xiàn)有的控制電路，而是設(shè)置通過(guò)存儲(chǔ)器柵極g和字線(xiàn)wl的電壓值而將從存儲(chǔ)器柵極g施加到字線(xiàn)wl的電壓以截止動(dòng)作來(lái)阻斷的晶體管結(jié)構(gòu)的整流元件43，因此不需要選擇性地執(zhí)行向存儲(chǔ)器電容44施加各電壓的開(kāi)關(guān)晶體管或者用于執(zhí)行開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通和截止動(dòng)作的開(kāi)關(guān)控制電路，從而相應(yīng)地實(shí)現(xiàn)小型化。

并且，即使這樣的反熔絲存儲(chǔ)器42，也可以設(shè)置(ⅰ)通過(guò)向字線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇字線(xiàn))施加0v的非破壞字電壓來(lái)在存儲(chǔ)器電容44不形成溝道的第一阻斷結(jié)構(gòu)和(ⅱ)通過(guò)使整流元件43處于截止?fàn)顟B(tài)來(lái)阻斷非破壞位電壓的第二阻斷結(jié)構(gòu)的雙重阻斷結(jié)構(gòu)，由此，能夠執(zhí)行正常的數(shù)據(jù)寫(xiě)入動(dòng)作，從而也能夠可靠地防止讀取數(shù)據(jù)時(shí)的錯(cuò)誤動(dòng)作。

(7)關(guān)于四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器和一個(gè)位線(xiàn)連接器的情況

(7-1)關(guān)于平面布置結(jié)構(gòu)

接著對(duì)上述的反熔絲存儲(chǔ)器42以矩陣狀配置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的平面布置結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。與圖9b對(duì)應(yīng)的部分使用相同的附圖標(biāo)記的圖10示出例如總共16個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e1、2e2、2e3、2e4、2e5、2e6、2e7、2e8、2e9、2e10、2e11、2e12、2e13、2e14、2e15、2e16以四行四列的方式配置時(shí)的平面布置結(jié)構(gòu)。在這種情況下，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41中，反熔絲存儲(chǔ)器2e1、2e2、2e3、2e4、2e5、2e6、2e7、2e8、2e9、2e10、2e11、2e12、2e13、2e14、2e15、2e16均具有相同的結(jié)構(gòu)，與上述的圖9a和圖9b一樣，分別具有整流元件43和存儲(chǔ)器電容44。并且，字線(xiàn)連接器wc51、wc52、wc53、wc54也均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此下面關(guān)注例如字線(xiàn)連接器wc52而進(jìn)行說(shuō)明。

在這種情況下，豎立設(shè)置字線(xiàn)連接器wc52的活性區(qū)域46b由彼此相鄰的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e3、2e4、2e7、2e8共用。實(shí)際上，在豎立設(shè)置字線(xiàn)連接器wc52的活性區(qū)域46b，形成有由在列方向上相鄰的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e3、2e4共用的整流元件柵極g1和由同樣地在列方向上相鄰的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e7、2e8共用的整流元件柵極g1。字線(xiàn)連接器wc52跨過(guò)所述兩個(gè)整流元件柵極g1和活性區(qū)域46b而形成。因此，字線(xiàn)連接器wc52可對(duì)所述反熔絲存儲(chǔ)器2e3、2e4、2e7、2e8的各整流元件柵極g1和所述反熔絲存儲(chǔ)器2e3、2e4、2e7、2e8的整流元件43的各漏區(qū)域一律施加來(lái)自位線(xiàn)的位電壓。

并且，在豎立設(shè)置字線(xiàn)連接器wc52的活性區(qū)域46b中，在各反熔絲存儲(chǔ)器2e3、2e4、2e7、2e8的整流元件43的源區(qū)域分別通過(guò)連接器c1連接有各反熔絲存儲(chǔ)器2e3、2e4、2e7、2e8的存儲(chǔ)器柵極g。

接著，下面對(duì)位線(xiàn)連接器bc51、bc52、bc53、bc54、bc55、bc56、bc57、bc58、bc59進(jìn)行說(shuō)明。在該實(shí)施方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41中總共9個(gè)位線(xiàn)連接器bc51、bc52、bc53、bc54、bc55、bc56、bc57、bc58、bc59以三行三列的方式配置。各位線(xiàn)連接器bc51、bc52、bc53、bc54、bc55、bc56、bc57、bc58、bc59分別配置在不同的活性區(qū)域46a，分別向?qū)?yīng)的活性區(qū)域46a施加來(lái)自位線(xiàn)(未示出)的規(guī)定的位電壓。

其中，在所述9個(gè)位線(xiàn)連接器bc51、bc52、bc53、bc54、bc55、bc56、bc57、bc58、bc59中，配置在中央?yún)^(qū)域的位線(xiàn)連接器bc55所配置的活性區(qū)域46a，設(shè)置有與不同的活性區(qū)域46b連接且彼此相鄰的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e6、2e7、2e10、2e11。因此，配置在中央?yún)^(qū)域的位線(xiàn)連接器bc55在彼此相鄰的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e6、2e7、2e10、2e11被共用，能夠向所述四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e6、2e7、2e10、2e11一律施加來(lái)自位線(xiàn)的規(guī)定的電壓。

在這種情況下，在豎立設(shè)置中央的位線(xiàn)連接器bc55的活性區(qū)域46a，以所述位線(xiàn)連接器bc55為中心左右對(duì)稱(chēng)地配置反熔絲存儲(chǔ)器2e6、2e7和反熔絲存儲(chǔ)器2e10、2e11。具體而言，在豎立設(shè)置位線(xiàn)連接器bc55的活性區(qū)域46a的一邊側(cè)，列方向上相鄰的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e6、2e7的各存儲(chǔ)器柵極g相對(duì)配置，并形成有所述反熔絲存儲(chǔ)器2e6、2e7的各存儲(chǔ)器柵絕緣膜6。并且，在該活性區(qū)域46a的另一邊側(cè)，同樣地列方向上相鄰的其他反熔絲存儲(chǔ)器2e10、2e11的各存儲(chǔ)器柵極g相對(duì)配置，并形成有所述反熔絲存儲(chǔ)器2e10、2e11的各存儲(chǔ)器柵絕緣膜6。

順便說(shuō)一下，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41的平面布置中配置在邊角部的四個(gè)位線(xiàn)連接器bc51、bc53、bc57、bc59分別僅與對(duì)應(yīng)的一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e1、2e4、2e13、2e16連接。這樣，配置在所述邊角部的各位線(xiàn)連接器bc51、bc53、bc57、bc59中，能夠僅對(duì)分別對(duì)應(yīng)的一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e1、2e4、2e13、2e16施加位電壓。

并且，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41的平面布置中，排列在末端的位線(xiàn)連接器bc51、bc52、bc53、bc54、bc56、bc57、bc58、bc59中，配置在邊角部以外的位線(xiàn)連接器bc52僅與兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e2、2e3連接。并且，配置在邊角部以外的其他位線(xiàn)連接器bc54、bc56、bc58也分別僅與對(duì)應(yīng)的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e5，2e9、2e8，2e12、2e14，2e15連接。如上所述，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41中，配置在邊角部以外的其他位線(xiàn)連接器bc52、bc54、bc56、bc58中，共用的反熔絲存儲(chǔ)器數(shù)量為兩個(gè)，而配置在中央?yún)^(qū)域的位線(xiàn)連接器bc55中，共用的反熔絲存儲(chǔ)器數(shù)量為四個(gè)，因此與每個(gè)位線(xiàn)連接器上設(shè)置一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。

以上的結(jié)構(gòu)中，圖10所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41的反熔絲存儲(chǔ)器2e1、2e2、2e3、2e4、2e5、2e6、2e7、2e8、2e9、2e10、2e11、2e12、2e13、2e14、2e15、2e16中，與上述的“(6-3)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的作用及效果”一樣，不使用如現(xiàn)有的控制電路，而是設(shè)置通過(guò)存儲(chǔ)器柵極g和字線(xiàn)wl的電壓值而以截止動(dòng)作來(lái)阻斷從存儲(chǔ)器柵極g施加到字線(xiàn)wl的電壓的晶體管結(jié)構(gòu)的整流元件43，因此不需要選擇性地執(zhí)行向存儲(chǔ)器電容44的各電壓施加的開(kāi)關(guān)晶體管或者用于執(zhí)行開(kāi)關(guān)晶體管導(dǎo)通和截止動(dòng)作的開(kāi)關(guān)控制電路，從而相應(yīng)地實(shí)現(xiàn)小型化。

并且，例如，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41的反熔絲存儲(chǔ)器2e4中，與上述的“(6-3)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的作用及效果”一樣，可以設(shè)置(ⅰ)通過(guò)向字線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇字線(xiàn))施加0v的非破壞字電壓來(lái)在存儲(chǔ)器電容44不形成溝道的第一阻斷結(jié)構(gòu)和(ⅱ)通過(guò)使整流元件43成為截止?fàn)顟B(tài)來(lái)阻斷非破壞位電壓的第二阻斷結(jié)構(gòu)的雙重阻斷結(jié)構(gòu)，由此，能夠執(zhí)行正常的數(shù)據(jù)寫(xiě)入動(dòng)作，從而也能夠可靠地防止讀取數(shù)據(jù)時(shí)的錯(cuò)誤動(dòng)作。

并且，圖10所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41中，彼此相鄰的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e6、2e7、2e10、2e11共用一個(gè)位線(xiàn)連接器bc55，同時(shí)例如彼此相鄰的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e3、2e4、2e7、2e8共用一個(gè)字線(xiàn)連接器wc52，因此與每個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器上分別單獨(dú)設(shè)置位線(xiàn)連接器和字線(xiàn)連接器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)整體裝置的小型化。

(7-2)關(guān)于位線(xiàn)和字線(xiàn)的平面布置結(jié)構(gòu)

接著，下面對(duì)圖10所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41的位線(xiàn)和字線(xiàn)的平面布置進(jìn)行說(shuō)明。如與圖10對(duì)應(yīng)的部分使用相同的附圖標(biāo)記的圖11所示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41中，第一列的位線(xiàn)連接器bc51、bc52、bc53中，第一行的位線(xiàn)連接器bc51和第三行的位線(xiàn)連接器bc53與第一列的位線(xiàn)bl1c連接，所述位線(xiàn)連接器bc51、bc53之間的第二行的位線(xiàn)連接器bc52與另一第二列的位線(xiàn)bl2c連接。因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41中，通過(guò)例如第一列的位線(xiàn)bl1c，可分別向整流元件43的活性區(qū)域46b不同的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2a1、2a4一律施加規(guī)定的位電壓，并且，通過(guò)第二列的位線(xiàn)bl2c，可分別向整流元件43的活性區(qū)域46b不同的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e2、2e3施加與第一列的位線(xiàn)bl1c不同的規(guī)定的位電壓。

并且，第二列的位線(xiàn)連接器bc54、bc55、bc56中，第一行的位線(xiàn)連接器bc54和第三行的位線(xiàn)連接器bc56與第三列的位線(xiàn)bl3c連接，所述位線(xiàn)連接器bc54、bc56之間的第二行的位線(xiàn)連接器bc55與另一第四列的位線(xiàn)bl4c連接。因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41中，通過(guò)例如第三列的位線(xiàn)bl3c，可分別向整流元件43的活性區(qū)域46b不同的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e5、2e9、2e8、2e12一律施加規(guī)定的位電壓，并且，通過(guò)第四列的位線(xiàn)bl4c，可分別向整流元件43的活性區(qū)域46b不同的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e6、2e7、2e10、2e11施加與第三列的位線(xiàn)bl3c不同的規(guī)定的位電壓。

并且，第三列的位線(xiàn)連接器bc57、bc58、bc59中，第一行的位線(xiàn)連接器bc57和第三行的位線(xiàn)連接器bc59與第五列的位線(xiàn)bl5c連接，所述位線(xiàn)連接器bc57、bc59之間的第二行的位線(xiàn)連接器bc58與另一第六列的位線(xiàn)bl6c連接。因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41中，通過(guò)例如第五列的位線(xiàn)bl5c，可分別向整流元件43的活性區(qū)域46b不同的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e13、2e16一律施加規(guī)定的位電壓，并且，通過(guò)第六列的位線(xiàn)bl6c，可分別向整流元件43的活性區(qū)域46b不同的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e14、2e15施加與第五列的位線(xiàn)bl5c不同的規(guī)定的位電壓。

除了這樣的結(jié)構(gòu)以外，在字線(xiàn)連接器wc51、wc52、wc53、wc54上連接有各不同的字線(xiàn)wl1c、wl2c、wl3c、wl4c連接，通過(guò)各字線(xiàn)wl1c、wl2c、wl3c、wl4c，可向各字線(xiàn)連接器wc51、wc52、wc53、wc54施加不同的字電壓。在該實(shí)施方式中，例如，第一行的字線(xiàn)wl1c與第一行第一列的字線(xiàn)連接器wc51連接，可向共用所述字線(xiàn)連接器wc51的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e1、2e2、2e5、2e6一律施加規(guī)定的字電壓。并且，同樣地，其他字線(xiàn)wl2c、wl3c、wl4c也可通過(guò)對(duì)應(yīng)的字線(xiàn)連接器wc53、wc52、wc54分別向四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e9，2e10，2e13，2e14、2e3，2e4，2e7，2e8、2e11，2e12，2e15，2e16一律施加規(guī)定的字電壓。

在此，關(guān)注例如與位于中央?yún)^(qū)域的一個(gè)位線(xiàn)連接器bc55連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e6、2e7、2e10、2e11，在與所述位線(xiàn)連接器bc55連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e6、2e7、2e10、2e11上連接有能夠獨(dú)立地電性控制的字線(xiàn)wl1c、wl2c、wl3c、wl4c連接，可通過(guò)各字線(xiàn)wl1c、wl2c、wl3c、wl4c分別施加不同的字電壓。并且，關(guān)注例如與一個(gè)字線(xiàn)連接器wc52連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e3、2e4、2e7、2e8，在與所述字線(xiàn)連接器wc52連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e3、2e4、2e7、2e8上連接有能夠獨(dú)立地電性控制的位線(xiàn)bl1c、bl2c、bl3c、bl4c連接，可通過(guò)各位線(xiàn)bl1c、bl2c、bl3c、bl4c分別施加不同的位電壓。

并且，在這種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41中，通過(guò)適當(dāng)?shù)乜刂剖┘拥轿痪€(xiàn)bl1c、bl2c、bl3c、bl4c、bl5c、bl6c和字線(xiàn)wl1c、wl2c、wl3c、wl4c的電壓，由此通過(guò)上述的“(6-2)數(shù)據(jù)的寫(xiě)入動(dòng)作”，能夠僅向例如規(guī)定位置的反熔絲存儲(chǔ)器2e1寫(xiě)入數(shù)據(jù)的同時(shí)，通過(guò)上述的“(1-3)數(shù)據(jù)的讀取動(dòng)作”，能夠僅讀取例如規(guī)定位置的反熔絲存儲(chǔ)器2e1的數(shù)據(jù)。

順便說(shuō)一下，圖11的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41具有16個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器，因此具有例如字線(xiàn)wl1c僅與一個(gè)字線(xiàn)連接器wc51連接的結(jié)構(gòu)。但是，當(dāng)反熔絲存儲(chǔ)器的數(shù)量進(jìn)一步增加時(shí)，具有例如第一列的字線(xiàn)wl1c和第二列的字線(xiàn)wl2c將構(gòu)成為與沿行方向排列的多個(gè)字線(xiàn)連接器依次交叉連接的結(jié)構(gòu)。例如，與第一行第一列的字線(xiàn)連接器wc51連接的一個(gè)字線(xiàn)wl1c與第一行第三列的字線(xiàn)連接器或者第一行第五列的字線(xiàn)連接器等連接，另外，與第一行第二列的字線(xiàn)連接器wc53連接的另一字線(xiàn)wl2c與第一行第四列的字線(xiàn)連接器或者第一行第六列的字線(xiàn)連接器等連接。

(8)關(guān)于其他實(shí)施方式的位線(xiàn)和字線(xiàn)的平面布置結(jié)構(gòu)

圖11中，作為一例示出了如下的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41：總共16個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e1、2e2、2e3、2e4、2e5、2e6、2e7、2e8、2e9、2e10、2e11、2e12、2e13、2e14、2e15、2e16以四行四列的方式配置，與所述反熔絲存儲(chǔ)器2e1、2e2、2e3、2e4、2e5、2e6、2e7、2e8、2e9、2e10、2e11、2e12、2e13、2e14、2e15、2e16的配置位置匹配地配置位線(xiàn)bl1c、bl2c、bl3c、bl4c、bl5c、bl6c和字線(xiàn)wl1c、wl2c、wl3c、wl4c。

在此，圖11所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41中，位線(xiàn)連接器bc51、bc52、bc53的列設(shè)置在一端側(cè)，位線(xiàn)連接器bc57、bc58、bc59的列設(shè)置在另一端側(cè)。在這種情況下，位于一端側(cè)的第一行第一列的位線(xiàn)連接器bc51和同樣地位于一端側(cè)的第三行第一列的位線(xiàn)連接器bc53分別僅與一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e1(2e4)連接，并且，同樣地位于一端側(cè)的第二行第一列的位線(xiàn)連接器bc52與兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e2、2e3連接。

因此，與一端側(cè)的位線(xiàn)連接器bc51、bc53連接的第一列的位線(xiàn)bl1c通過(guò)各位線(xiàn)連接器bc51、bc53僅與總共兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e1、2e4連接。并且，同樣地與一端側(cè)的位線(xiàn)連接器bc52連接的第二列的位線(xiàn)bl2c也通過(guò)位線(xiàn)連接器bc52僅與兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e2、2e3連接。

并且，同樣地位于另一端側(cè)的位線(xiàn)連接器bc57、bc58、bc59的列中，位線(xiàn)連接器bc57(bc59)與一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e13(2e16)連接，其余的位線(xiàn)連接器bc58與兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e14、2e15連接。因此，與另一端側(cè)的位線(xiàn)連接器bc57、bc59連接的第五列的位線(xiàn)bl5c通過(guò)各位線(xiàn)連接器bc57、bc59僅與總共兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e13、2e16連接，并且，同樣地與另一端側(cè)的位線(xiàn)連接器bc58連接的第六列的位線(xiàn)bl6c也通過(guò)位線(xiàn)連接器bc58僅與兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e14、2e15連接。因此，相對(duì)于配置在末端的位線(xiàn)連接器bc51、bc52、bc53(bc57、bc58、bc59)的列而設(shè)置的位線(xiàn)bl1c、bl2c(bl5c、bl6c)所連接的反熔絲存儲(chǔ)器數(shù)量為兩個(gè)。

另一方面，在配置在中央?yún)^(qū)域的位線(xiàn)bl3c上通過(guò)位線(xiàn)連接器bc54、bc56與總共四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e5、2e9、2e8、2e12連接，同樣地在配置在中央?yún)^(qū)域的位線(xiàn)bl4c上通過(guò)位線(xiàn)連接器bc55與四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e6、2e7、2e10、2e11連接。因此，圖11所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41中，為了有效地進(jìn)行基于行地址和列地址的控制，優(yōu)選地，例如通過(guò)使第一列的位線(xiàn)bl1c和第五列的位線(xiàn)bl5c短路，使得用相同的位電壓動(dòng)作的反熔絲存儲(chǔ)器的數(shù)量做成四個(gè)，并且通過(guò)使第二列的位線(xiàn)bl2c和第六列的位線(xiàn)bl6c也短路，使得用相同的位電壓動(dòng)作的反熔絲存儲(chǔ)器的數(shù)量做成四個(gè)，從而使得與中央?yún)^(qū)域的位線(xiàn)bl3c、bl4c連接的反熔絲存儲(chǔ)器的數(shù)量(在此為四個(gè))一致。

即，優(yōu)選地，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41中，分別通過(guò)各位線(xiàn)連接器bc51、bc53與第一列的位線(xiàn)bl1c連接的總共兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e1、2e4和分別通過(guò)位線(xiàn)連接器bc57、bc59與第五列的位線(xiàn)bl5c連接的總共兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e13、2e16的合計(jì)四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e1、2e4、2e13、2e16通過(guò)第一列的位線(xiàn)bl1c和第五列的位線(xiàn)bl5c兩根位線(xiàn)來(lái)動(dòng)作。

同樣地，優(yōu)選的是，通過(guò)位線(xiàn)連接器bc52與第二列的位線(xiàn)bl2c連接的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e2、2e3和通過(guò)位線(xiàn)連接器bc58與第六列的位線(xiàn)bl6c連接的總共兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e14、2e15的合計(jì)四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e2、2e3、2e14、2e15通過(guò)第二列的位線(xiàn)bl2c和第六列的位線(xiàn)bl6c兩個(gè)位線(xiàn)來(lái)動(dòng)作。

在此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41中，例如當(dāng)通過(guò)第一列的位線(xiàn)bl1c和第五列的位線(xiàn)bl5c兩根位線(xiàn)向反熔絲存儲(chǔ)器2e1、2e4、2e13、2e16一律施加規(guī)定的位電壓時(shí)，與將四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2e5、2e9、2e8、2e12(2e6、2e7、2e10、2e11)通過(guò)一根結(jié)構(gòu)動(dòng)作的第三列的位線(xiàn)bl3c或第四列的位線(xiàn)bl4c的容量不同。因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41中，進(jìn)行讀取數(shù)據(jù)的動(dòng)作時(shí)，例如可能會(huì)產(chǎn)生讀取速度下降等問(wèn)題。

因此，為了解決這樣的問(wèn)題，如與圖11對(duì)應(yīng)的部分使用相同的附圖標(biāo)記的圖12所示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41a中，在一端側(cè)配置字線(xiàn)連接器wc51a、wc52a的列的同時(shí)，在另一端側(cè)配置字線(xiàn)連接器wc55a、wc56a的列，并且，在一端側(cè)的字線(xiàn)連接器wc51a、wc52a的列與中央的字線(xiàn)連接器wc53a、wc54a的列之間，設(shè)置一個(gè)位線(xiàn)連接器bc51a、bc52a、bc53a的列，在另一端側(cè)的字線(xiàn)連接器wc55a、wc56a的列與中央的字線(xiàn)連接器wc53a、wc54a的列之間設(shè)置另一位線(xiàn)連接器bc54a、bc55a、bc56a的列。

并且，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41a中，位于一端側(cè)的字線(xiàn)連接器wc51a、wc52a的列與中央的字線(xiàn)連接器wc53a、wc54a的列之間的一個(gè)位線(xiàn)連接器bc51a、bc52a、bc53a的列中，第一行的位線(xiàn)連接器bc51a和第三行的位線(xiàn)連接器bc53a可與第一列的位線(xiàn)bl1d連接，第二行的位線(xiàn)連接器bc52a可與第二列的位線(xiàn)bl2d連接。

因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41a中，與第一行的位線(xiàn)連接器bc51a連接的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f1、2f5和與第三行的位線(xiàn)連接器bc53a連接的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f4、2f8的合計(jì)四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f1、2f5、2f4、2f8可以與第一列的一個(gè)位線(xiàn)bl1d連接，因此，可通過(guò)一根結(jié)構(gòu)的位線(xiàn)bl1d使四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f1、2f5、2f4、2f8動(dòng)作。

并且，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41a中，與第二行的位線(xiàn)連接器bc52a連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f2、2f3、2f6、2f7可以與第二列的一個(gè)位線(xiàn)bl2d連接，因此，可通過(guò)一根結(jié)構(gòu)的位線(xiàn)bl2d使四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f2、2f3、2f6、2f7動(dòng)作。

同樣地，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41a中，位于另一端側(cè)的字線(xiàn)連接器wc55a、wc56a的列與中央的字線(xiàn)連接器wc53a、wc54a的列之間的另一位線(xiàn)連接器bc54a、bc55a、bc56a的列中，第一行的位線(xiàn)連接器bc54a和第三行的位線(xiàn)連接器bc56a可與第三列的位線(xiàn)bl3d連接，第二行的位線(xiàn)連接器bc55a可與第四列的位線(xiàn)bl4d連接。

因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41a中，與第一行的位線(xiàn)連接器bc54a連接的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f9、2f13和與第三行的位線(xiàn)連接器bc56a連接的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f12、2f16的合計(jì)四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f9、2f13、2f12、2f16可以與第三列的一個(gè)位線(xiàn)bl3d連接，因此，可通過(guò)一根結(jié)構(gòu)的位線(xiàn)bl3d使四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f9、2f13、2f12、2f16動(dòng)作。

并且，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41a中，與第二行的位線(xiàn)連接器bc55a連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f10、2f11、2f14、2f15可以與第四列的一個(gè)位線(xiàn)bl4d連接，因此，可通過(guò)一根結(jié)構(gòu)的位線(xiàn)bl4d使四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f10、2f11、2f14、2f15動(dòng)作。

因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41a與圖11所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41不同，不需要位線(xiàn)之間的連接，可以將位線(xiàn)bl1d、bl2d、bl3d、bl4d制成一個(gè)結(jié)構(gòu)，并設(shè)定為相同的容量，因此在進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取動(dòng)作時(shí)，能夠防止例如讀取數(shù)據(jù)的下降等問(wèn)題。

并且，在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41a中，第一行的字線(xiàn)連接器wc51a、wc53a、wc55a的行中，第一列的字線(xiàn)連接器wc51a和第三列的字線(xiàn)連接器wc55a可與同一個(gè)字線(xiàn)wl1d連接，第二列的字線(xiàn)連接器wc53a可與不同于所述字線(xiàn)wl1d的另一字線(xiàn)wl2d連接。并且，第二行的字線(xiàn)連接器wc52a、wc54a、wc56a的行中，第一列的字線(xiàn)連接器wc52a和第三列的字線(xiàn)連接器wc56a可與同一個(gè)字線(xiàn)wl3d連接，第二列的字線(xiàn)連接器wc54a可與不同于所述字線(xiàn)wl53b的另一字線(xiàn)wl4d連接。

并且，在上述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41a中，能夠?qū)崿F(xiàn)例如第二行第一列的位線(xiàn)連接器bc52a或第二行第二列的位線(xiàn)連接器bc55a分別與四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f2、2f3、2f6、2f7(2f10、2f11、2f14、2f15)連接的結(jié)構(gòu)，從而如上述的實(shí)施方式一樣能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。并且，在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41a中，能夠?qū)崿F(xiàn)例如第一行第二列的字線(xiàn)連接器wc53a或第二行第二列的字線(xiàn)連接器wc54a分別與四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f5、2f6、2f9、2f10(2f7、2f8、2f11、2f12)連接的結(jié)構(gòu)，從而如上述的實(shí)施方式一樣能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。

順便說(shuō)一下，即使在這種情況下，關(guān)注例如與位于中央?yún)^(qū)域的一個(gè)位線(xiàn)連接器bc52a連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f2、2f3、2f6、2f7，在與所述位線(xiàn)連接器bc52a連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f2、2f3、2f6、2f7中連接有能夠獨(dú)立地電性控制的字線(xiàn)wl1d、wl2d、wl3d、wl4d，可通過(guò)各字線(xiàn)wl1d、wl2d、wl3d、wl4d分別施加不同的字電壓。并且，關(guān)注例如與一個(gè)字線(xiàn)連接器wc53a連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f5、2f6、2f9、2f10，在與所述字線(xiàn)連接器bc53a連接的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f5、2f6、2f9、2f10與連接有能夠獨(dú)立地電性控制的位線(xiàn)bl1d、bl2d、bl3d、bl4d連接，可通過(guò)各位線(xiàn)bl1d、bl2d、bl3d、bl4d分別施加不同的位電壓。

并且，在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41a中，通過(guò)適當(dāng)?shù)乜刂剖┘拥轿痪€(xiàn)bl1d、bl2d、bl3d、bl4d和字線(xiàn)wl1d、wl2d、wl3d、wl4d的電壓，通過(guò)上述的“(6-2)數(shù)據(jù)的寫(xiě)入動(dòng)作”，能夠僅向例如規(guī)定位置的反熔絲存儲(chǔ)器2f1寫(xiě)入數(shù)據(jù)的同時(shí)，通過(guò)上述的“(1-3)數(shù)據(jù)的讀取動(dòng)作”，能夠僅讀取例如規(guī)定位置的反熔絲存儲(chǔ)器2f1的數(shù)據(jù)。

通過(guò)以上的結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41a中，配置在末端的一方向(在此為行方向)上排列的各位線(xiàn)連接器bc51a、bc54a(bc53a、bc56a)分別與兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f1，2f5、2f9，2f13(2f4，2f8、2f12，2f16)連接，并且，配置在末端的另一方向(在此為列方向)上排列的各字線(xiàn)連接器wc51a、wc52a(wc55a、wc56a)分別與兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f1，2f2、2f3，2f4(2f13，2f14、2f15，2f16)連接。并且，在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41a中，配置在中央?yún)^(qū)域的其余的位線(xiàn)連接器bc52a(bc55a)與四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f2、2f3、2f6、2f7(2f10、2f11、2f14、2f15)連接，并且，配置在中央?yún)^(qū)域的字線(xiàn)連接器wc53a(wc54a)與四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2f5、2f6、2f9、2f10(2f7、2f8、2f11、2f12)連接。

因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41a中，由于將位線(xiàn)連接器bc51a～bc56a和字線(xiàn)連接器wc51a～wc56a能夠由兩個(gè)以上的反熔絲存儲(chǔ)器共用，因此能夠相應(yīng)地實(shí)現(xiàn)整體裝置的小型化，并且，可以使例如與一根位線(xiàn)bl1d連接的反熔絲存儲(chǔ)器數(shù)量相同(在此為四個(gè))，并設(shè)定為相同的容量，因此在進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取動(dòng)作時(shí)，能夠防止讀取速度的下降等問(wèn)題。

順便說(shuō)一下，圖12所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41a中，對(duì)具有16個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器的情況進(jìn)行說(shuō)明，但是當(dāng)反熔絲存儲(chǔ)器的數(shù)量進(jìn)一步增加時(shí)，例如具有第一列的字線(xiàn)wl1d和第二列的字線(xiàn)wl2d相對(duì)于沿行方向排列的多個(gè)字線(xiàn)連接器依次交叉連接的結(jié)構(gòu)。例如，與第一行第一列的字線(xiàn)連接器wc51a連接的一個(gè)字線(xiàn)wl1d除了與第一行第三列的字線(xiàn)連接器wc55a連接之外還可以與第一行第五列的字線(xiàn)連接器等連接，另外，與第一行第二列的字線(xiàn)連接器wc53a連接的另一字線(xiàn)wl2d除了與第一行第四列的字線(xiàn)連接器連接之外還可以與第一行第六列的字線(xiàn)連接器等連接。

并且，圖12所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41a中，當(dāng)反熔絲存儲(chǔ)器的數(shù)量增加到16個(gè)以上時(shí)，位線(xiàn)連接器bc51a、bc54a、…(bc53a、bc56a、…)在兩末端沿行方向排列，從一側(cè)的末端朝向列方向，位線(xiàn)連接器行和字線(xiàn)連接器行依次交叉配置，并且，當(dāng)一行上排列的位線(xiàn)連接器的數(shù)量為n個(gè)時(shí)，一行上排列的字線(xiàn)連接器的數(shù)量為n+1個(gè)。并且，示出具有16個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置41a的圖12中，一行上排列的位線(xiàn)連接器的數(shù)量為兩個(gè)，一行上排列的字線(xiàn)連接器的數(shù)量為3個(gè)。

順便說(shuō)一下，上述的實(shí)施方式中，如圖10所示，對(duì)例如反熔絲存儲(chǔ)器2e4中整流元件43的活性區(qū)域46b和存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g分離，從活性區(qū)域46b到存儲(chǔ)器柵極g形成連接器c1，所述活性區(qū)域46b和存儲(chǔ)器柵極g通過(guò)連接器c1電連接。但本發(fā)明并不限定于此，還可以形成為，如圖13所示，在整流元件的活性區(qū)域46b上形成存儲(chǔ)器柵極ga，從所述活性區(qū)域46b到存儲(chǔ)器柵極ga形成連接器c1。

并且，還可以形成為，如圖15所示，整流元件43的活性區(qū)域46b和存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g分離，在活性區(qū)域46b的整流元件43的源區(qū)域設(shè)置連接器c2，在存儲(chǔ)器柵極g設(shè)置另一連接器c3，所述連接器c2、c3通過(guò)布線(xiàn)54連接。

(9)關(guān)于兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器、沿列方向排列的多個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)位線(xiàn)連接器的情況

與圖10對(duì)應(yīng)的部分使用相同的附圖標(biāo)記的圖14示出，例如總共16個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2g1、2g2、2g3、2g4、2g5、2g6、2g7、2g8、2g9、2g10、2g11、2g12、2g13、2g14、2g15、2g16以四行四列的方式配置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置51的平面布置結(jié)構(gòu)。在這種情況下，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置51中，反熔絲存儲(chǔ)器2g1、2g2、2g3、2g4、2g5、2g6、2g7、2g8、2g9、2g10、2g11、2g12、2g13、2g14、2g15、2g16均具有相同的結(jié)構(gòu)，如上述的圖9a和圖9b一樣，分別具有整流元件43和存儲(chǔ)器電容44。并且，字線(xiàn)連接器w61、wc62、wc63、wc64、wc65、wc66、wc67、wc68也均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此下面關(guān)注例如字線(xiàn)連接器wc62而進(jìn)行說(shuō)明。

在這種情況下，豎立設(shè)置字線(xiàn)連接器wc62的整流元件43的活性區(qū)域55a形成為矩形狀，由行方向上相鄰的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2g2、2g6共用。實(shí)際上，在豎立設(shè)置字線(xiàn)連接器wc62的整流元件43的活性區(qū)域55a，形成有反熔絲存儲(chǔ)器2g2的整流元件柵極g2和與所述反熔絲存儲(chǔ)器2g2行方向上相鄰的另一反熔絲存儲(chǔ)器2g6的整流元件柵極g2。

在此，關(guān)注例如反熔絲存儲(chǔ)器2g2，從位于活性區(qū)域55a的整流元件43的漏區(qū)域到整流元件柵極g2豎立設(shè)置有字線(xiàn)連接器wc62，通過(guò)字線(xiàn)連接器wc62向所述漏區(qū)域和整流元件柵極g2一律施加規(guī)定的字電壓。并且，在反熔絲存儲(chǔ)器2g2中，從位于活性區(qū)域55a的整流元件43的源區(qū)域到存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極ga豎立設(shè)置有連接器c1，通過(guò)所述連接器c1整流元件43的源區(qū)域和存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極ga電連接。

并且，該字線(xiàn)連接器wc62，從與反熔絲存儲(chǔ)器2g2行方向上相鄰的另一反熔絲存儲(chǔ)器2g6的整流元件43的漏區(qū)域到整流元件柵極g2豎立設(shè)置有該字線(xiàn)連接器wc62。因此字線(xiàn)連接器wc62對(duì)所述兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2g2、2g6一律施加來(lái)自字線(xiàn)的規(guī)定的字電壓。

順便說(shuō)一下，所述兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2g2、2g6的各存儲(chǔ)器柵極ga以從活性區(qū)域55a遠(yuǎn)離的方式分別沿行方向延伸，前端部分分別配置在不同的活性區(qū)域55b。并且，在各存儲(chǔ)器柵極ga和活性區(qū)域55b相對(duì)的各區(qū)域上形成有各反熔絲存儲(chǔ)器2g2、2g6的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6。

接著，下面對(duì)位線(xiàn)連接器bc61、bc62、bc63、bc64進(jìn)行說(shuō)明。在該實(shí)施方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置51中總共配置有四個(gè)位線(xiàn)連接器bc61、bc62、bc63、bc64。各位線(xiàn)連接器bc61、bc62、bc63、bc64分別配置在不同的活性區(qū)域55b，分別向?qū)?yīng)的活性區(qū)域55b施加來(lái)自位線(xiàn)(未示出)的規(guī)定的位電壓。

在這種情況下，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置51中，在配置第一列的位線(xiàn)連接器bc61的活性區(qū)域55b與配置第二列的位線(xiàn)連接器bc62的活性區(qū)域55b之間，形成有以矩陣狀配置的8個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2g1、2g2、2g3、2g4、2g5、2g6、2g7、2g8。在配置第一列的位線(xiàn)連接器bc61的活性區(qū)域55b，形成有沿列方向排列的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)2g1、2g2、2g3、2g4，另外，在配置第二列的位線(xiàn)連接器bc62的活性區(qū)域55b，形成有沿列方向上配置的反熔絲存儲(chǔ)器2g5、2g6、2g7、2g8。

并且，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置51中，配置第二列的位線(xiàn)連接器bc62的活性區(qū)域55b和配置第三列的位線(xiàn)連接器bc63的活性區(qū)域55b并行配置，并且，如上所述，在第三列的位線(xiàn)連接器bc63的活性區(qū)域55b與第四列的位線(xiàn)連接器bc64的活性區(qū)域55b之間，也可以矩陣狀配置8個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2g9、2g10、2g11、2g12、2g13、2g14、2g15、2g16。

并且，在該實(shí)施方式中，所述四個(gè)位線(xiàn)連接器bc61、bc62、bc63、bc64均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此，下面關(guān)注位線(xiàn)連接器bc62而進(jìn)行說(shuō)明。在這種情況下，配置位線(xiàn)連接器bc62的活性區(qū)域55b具有沿列方向排列的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2g5、2g6、2g7、2g8向列方向延伸的長(zhǎng)方形形狀，并設(shè)置有所述沿列方向排列的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2g5、2g6、2g7、2g8的各存儲(chǔ)器柵極ga。因此，所述位線(xiàn)連接器bc62分別與不同的字線(xiàn)連接器wc61、wc62、wc63、wc64連接，且通過(guò)活性區(qū)域55b向沿列方向排列的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2g5、2g6、2g7、2g8一律施加來(lái)自位線(xiàn)的規(guī)定的位電壓。

以上的結(jié)構(gòu)中，圖14所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置51的反熔絲存儲(chǔ)器2g1、2g2、2g3、2g4、2g5、2g6、2g7、2g8、2g9、2g10、2g11、2g12、2g13、2g14、2g15、2g16中，與上述的“(6-3)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的作用及效果”一樣，不使用如現(xiàn)有的控制電路，可通過(guò)施加到存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極ga和字線(xiàn)的電壓值，通過(guò)整流元件43阻斷從存儲(chǔ)器柵極ga施加到字線(xiàn)的電壓，因此不需要如現(xiàn)有的選擇性地執(zhí)行向存儲(chǔ)器電容施加電壓的開(kāi)關(guān)晶體管或者用于執(zhí)行開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通和截止動(dòng)作的開(kāi)關(guān)控制電路，從而相應(yīng)地實(shí)現(xiàn)小型化。

并且，例如，本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置51的反熔絲存儲(chǔ)器2g6中，與上述的“(6-3)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的作用及效果”一樣，可以設(shè)置(ⅰ)通過(guò)向字線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇字線(xiàn))施加0v的非破壞字電壓來(lái)在存儲(chǔ)器電容44不形成溝道的第一阻斷結(jié)構(gòu)和(ⅱ)通過(guò)使整流元件43成為截止?fàn)顟B(tài)來(lái)阻斷非破壞位電壓的第二阻斷結(jié)構(gòu)的雙重阻斷結(jié)構(gòu)，由此，能夠執(zhí)行正常的數(shù)據(jù)寫(xiě)入動(dòng)作，從而也能夠可靠地防止讀取數(shù)據(jù)時(shí)的錯(cuò)誤動(dòng)作。

并且，圖14所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置51中，沿列方向排列的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2g5、2g6、2g7、2g8共用一個(gè)位線(xiàn)連接器bc62，同時(shí)例如行方向上相鄰的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2g2、2g6共用一個(gè)字線(xiàn)連接器wc62，因此與每個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器上分別單獨(dú)設(shè)置位線(xiàn)連接器和字線(xiàn)連接器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)整體裝置的小型化。

并且，上述的實(shí)施方式中，如圖14所示，對(duì)整流元件43的活性區(qū)域55a和存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極ga重疊，從所述活性區(qū)域55a的整流元件43的源區(qū)域到存儲(chǔ)器柵極ga形成連接器c1的情況進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于此，還可以形成為，如圖15所示，整流元件43的活性區(qū)域55a和存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g分離，在活性區(qū)域55a的整流元件43的源區(qū)域設(shè)置連接器c2，在存儲(chǔ)器柵極g上也形成另一連接器c3，所述連接器c2、c3通過(guò)布線(xiàn)54連接。

順便說(shuō)一下，在上述的圖9b中，其結(jié)構(gòu)為，活性區(qū)域46a和存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g以分離的方式配置，所述活性區(qū)域46b和存儲(chǔ)器柵極g通過(guò)一個(gè)連接器c1連接，但是這種連接結(jié)構(gòu)也可以在圖14所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置51中使用。在這種情況下，其結(jié)構(gòu)為，例如使反熔絲存儲(chǔ)器2g6的活性區(qū)域55a和存儲(chǔ)器柵極ga以分離的方式配置，通過(guò)一個(gè)連接器c1連接所述活性區(qū)域55a和存儲(chǔ)器柵極ga。

(10)關(guān)于沿行方向排列的多個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器、兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)位線(xiàn)連接器的情況

與圖10對(duì)應(yīng)的部分使用相同的附圖標(biāo)記的圖16示出例如總共16個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h1、2h2、2h3、2h4、2h5、2h6、2h7、2h8、2h9、2h10、2h11、2h12、2h13、2h14、2h15、2h16以四行四列的方式配置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置61的平面布置結(jié)構(gòu)。在這種情況下，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置61中，反熔絲存儲(chǔ)器2h1、2h2、2h3、2h4、2h5、2h6、2h7、2h8、2h9、2h10、2h11、2h12、2h13、2h14、2h15、2h16均具有相同的結(jié)構(gòu)，如上述的圖9a和圖9b一樣，分別具有整流元件43和存儲(chǔ)器電容44。并且，字線(xiàn)連接器wc71、wc72、wc73、wc74也均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此下面關(guān)注例如字線(xiàn)連接器wc72而進(jìn)行說(shuō)明。

在這種情況下，字線(xiàn)連接器wc72配置在具有沿行反向延伸的長(zhǎng)度方向的活性區(qū)域63，由沿所述活性區(qū)域63延伸且行方向上配置的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h2、2h6、2h10、2h14共用。實(shí)際上，在豎立設(shè)置字線(xiàn)連接器wc72的活性區(qū)域63，形成有沿行方向排列的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h2、2h6、2h10、2h14的各整流元件43的漏區(qū)域和源區(qū)域，并且形成有由所述四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h2、2h6、2h10、2h14共用的整流元件柵極g3。

在這種情況下，整流元件柵極g3被配置為具有以與沿行方向延伸的活性區(qū)域63的長(zhǎng)度方向并行的方式沿行方向延伸的長(zhǎng)度方向，并將活性區(qū)域63上下分割。因此，在活性區(qū)域63以整流元件柵極g3為界，在與存儲(chǔ)器電容44近的一側(cè)區(qū)域可形成源極，在另一側(cè)區(qū)域可形成漏區(qū)域。在活性區(qū)域55a，從整流元件43的漏區(qū)域到整流元件柵極g3豎立設(shè)置有字線(xiàn)連接器wc72，并通過(guò)字線(xiàn)連接器wc72，對(duì)所述漏區(qū)域和整流元件柵極g3施加規(guī)定的字電壓。

并且，在這種情況下，豎立設(shè)置字線(xiàn)連接器wc72的整流元件柵極g3和活性區(qū)域63的漏區(qū)域，由沿活性區(qū)域63配置四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h2、2h6、2h10、2h14共用，因此，通過(guò)字線(xiàn)連接器wc72，可對(duì)所述四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h2、2h6、2h10、2h14一律施加來(lái)自字線(xiàn)的規(guī)定的字電壓。

在此，關(guān)注例如反熔絲存儲(chǔ)器2h2，從位于活性區(qū)域63的整流元件43的源區(qū)域到存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極ga豎立設(shè)置有連接器c1，并通過(guò)所述連接器c1，整流元件43的源區(qū)域和存儲(chǔ)器柵極ga電連接。并且，所述反熔絲存儲(chǔ)器2h2、2h3的各存儲(chǔ)器柵極ga同樣地配置在活性區(qū)域62，在于所述活性區(qū)域62相對(duì)的各區(qū)域形成反熔絲存儲(chǔ)器2h2、2h3的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6。

順便說(shuō)一下，在該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置61中，豎立設(shè)置所述第二行的字線(xiàn)連接器wc72的活性區(qū)域63和豎立設(shè)置第三行的字線(xiàn)連接器wc73的活性區(qū)域63以并行的方式配置，在所述并行的兩個(gè)活性區(qū)域63之間，配置8個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h2、2h3、2h6、2h7、2h10、2h11、2h14、2h15。

并且，在該實(shí)施方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置61中，豎立配置所述第二行的字線(xiàn)連接器wc72的活性區(qū)域63的整流元件43的漏區(qū)域和豎立設(shè)置第一行的字線(xiàn)連接器wc71的活性區(qū)域63的整流元件43的漏區(qū)域以并行的方式相鄰。豎立設(shè)置該第一行的字線(xiàn)連接器wc71的活性區(qū)域63的整流元件43的源區(qū)域通過(guò)連接器c1與沿行方向排列的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h1、2h5、2h9、2h13的存儲(chǔ)器柵極ga連接。并且，豎立配置第三行的字線(xiàn)連接器wc73的活性區(qū)域63的整流元件43的漏區(qū)域和豎立設(shè)置第四行的字線(xiàn)連接器wc74的活性區(qū)域63的整流元件43的漏區(qū)域以并行的方式相鄰。豎立設(shè)置該第四行的字線(xiàn)連接器wc74的活性區(qū)域63的整流元件43的源區(qū)域通過(guò)連接器c1與沿行方向排列的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h4、2h8、2h12、2h16的存儲(chǔ)器柵極ga連接。

接著，下面對(duì)位線(xiàn)連接器bc71、bc72、bc73、bc74、bc75、bc76、bc77、bc78、bc79、bc80、bc81、bc82進(jìn)行說(shuō)明。在該實(shí)施方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置61中總共12個(gè)位線(xiàn)連接器bc71、bc72、bc73、bc74、bc75、bc76、bc77、bc78、bc79、bc70、bc81、bc82以三行四列的方式配置。所述位線(xiàn)連接器bc71、bc72、bc73、bc74、bc75、bc76、bc77、bc78、bc79、bc70、bc81、bc82分別配置在不同的活性區(qū)域62，分別向?qū)?yīng)的活性區(qū)域62施加來(lái)自位線(xiàn)(未示出)的規(guī)定的位電壓。

在此，配置在中央?yún)^(qū)域的沿行方向排列的位線(xiàn)連接器bc75、bc76、bc77、bc78均具有相同的結(jié)構(gòu)，因此，下面關(guān)注例如其中的位線(xiàn)連接器bc75而進(jìn)行說(shuō)明。在這種情況下，配置位線(xiàn)連接器bc75的活性區(qū)域62設(shè)置有與不同的字線(xiàn)連接器wc72、wc73連接且沿列方向排列的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h2、2h3。因此，位線(xiàn)連接器bc75由所述兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h2、2h3共用，向所述兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h2、2h3一律施加來(lái)自位線(xiàn)的規(guī)定的電壓。

實(shí)際上，在豎立設(shè)置所述位線(xiàn)連接器bc75的活性區(qū)域62，以所述位線(xiàn)連接器bc75為中心，反熔絲存儲(chǔ)器2h2和反熔絲存儲(chǔ)器2h3以上下對(duì)稱(chēng)的方式配置。具體而言，在豎立設(shè)置位線(xiàn)連接器bc75的活性區(qū)域62的一邊側(cè)，相對(duì)配置有一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h2的存儲(chǔ)器柵極ga，并形成有所述反熔絲存儲(chǔ)器2h2的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6。并且，在所述活性區(qū)域62的另一邊側(cè)，也同樣地相對(duì)配置有另一反熔絲存儲(chǔ)器2h3的存儲(chǔ)器柵極ga，并形成有所述反熔絲存儲(chǔ)器2h3的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6。

順便說(shuō)一下，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置61的平面布置中，在末端沿行方向配置的四個(gè)位線(xiàn)連接器bc71、bc72、bc73、bc74(bc79、bc80、bc81、bc82)僅連接有分別對(duì)應(yīng)的一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h1、2h5、2h9、2h13(2h4、2h8、2h12、2h16)連接。因此在所述末端沿行方向配置的各位線(xiàn)連接器bc71、bc72、bc73、bc74(bc79、bc80、bc81、bc82)中，可僅對(duì)分別對(duì)應(yīng)的一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h1、2h5、2h9、2h13(2h4、2h8、2h12、2h16)施加位電壓。

如上所述，在末端的位線(xiàn)連接器bc71、bc72、bc73、bc74、bc79、bc80、bc81、bc82中，可分別僅向一個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h1、2h5、2h9、2h13、2h4、2h8、2h12、2h16施加規(guī)定的位電壓，但是配置在中央?yún)^(qū)域的各位線(xiàn)連接器bc75、bc76、bc77、bc78中，可向分別對(duì)應(yīng)的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h2，2h3、2h6，2h7、2h10，2h11、2h14，2h15一律施加規(guī)定的位電壓，因此四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h2，2h3、2h6，2h7、2h10，2h11、2h14，2h15共用一個(gè)位線(xiàn)連接器bc75、bc76、bc77、bc78，從而能夠相應(yīng)地實(shí)現(xiàn)整體裝置的小型化。

以上的結(jié)構(gòu)中，圖16所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置61的反熔絲存儲(chǔ)器2h1、2h2、2h3、2h4、2h5、2h6、2h7、2h8、2h9、2h10、2h11、2h12、2h13、2h14、2h15、2h16中，與上述的“(6-3)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的作用及效果”一樣，不使用如現(xiàn)有的控制電路，可通過(guò)施加到存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極ga和字線(xiàn)的電壓值，通過(guò)整流元件43阻斷從存儲(chǔ)器柵極ga施加到字線(xiàn)的電壓，因此不需要如現(xiàn)有的選擇性地執(zhí)行向存儲(chǔ)器電容施加電壓的開(kāi)關(guān)晶體管或者用于執(zhí)行開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通和截止動(dòng)作的開(kāi)關(guān)控制電路，從而可相應(yīng)地實(shí)現(xiàn)小型化。

并且，例如，本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置61的反熔絲存儲(chǔ)器2h2中，與上述的“(6-3)基于上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的作用及效果”一樣，可以設(shè)置(ⅰ)通過(guò)向字線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇字線(xiàn))施加0v的非破壞字電壓來(lái)在存儲(chǔ)器電容44不形成溝道的第一阻斷結(jié)構(gòu)和(ⅱ)通過(guò)使整流元件43成為截止?fàn)顟B(tài)來(lái)阻斷非破壞位電壓的第二阻斷結(jié)構(gòu)的雙重阻斷結(jié)構(gòu)，由此，能夠執(zhí)行正常的數(shù)據(jù)寫(xiě)入動(dòng)作，從而也能夠可靠地防止讀取數(shù)據(jù)時(shí)的錯(cuò)誤動(dòng)作。

并且，圖16所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置61中，例如沿一方向(在此為行方向)排列的四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h2、2h6、2h10、2h14共用一個(gè)字線(xiàn)連接器wc72，同時(shí)例如彼此相鄰的兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器2h2、2h3共用一個(gè)位線(xiàn)連接器bc75，因此與每個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器上分別單獨(dú)設(shè)置位線(xiàn)連接器和字線(xiàn)連接器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)整體裝置的小型化。

順便說(shuō)一下，即使圖16所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置61，其結(jié)構(gòu)還可以為，例如反熔絲存儲(chǔ)器2h2中，整流元件43的活性區(qū)域63和存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極ga分離，將設(shè)置在活性區(qū)域63的一個(gè)連接器和設(shè)置在存儲(chǔ)器柵極ga的另一連接器通過(guò)布線(xiàn)連接。并且，其結(jié)構(gòu)還可以為，如圖9b所示的結(jié)構(gòu)一樣，整流元件43的活性區(qū)域63和存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極ga分離，將所述活性區(qū)域63和存儲(chǔ)器柵極ga通過(guò)一個(gè)連接器c1連接。

(11)其他實(shí)施方式

(11-1)具有由p型mos晶體管構(gòu)成的整流元件的反熔絲存儲(chǔ)器

上述的“(6)具有由n型mos(metal-oxide-semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管構(gòu)成的整流元件的反熔絲存儲(chǔ)器”中，對(duì)設(shè)置由n型mos晶體管構(gòu)成的整流元件43的反熔絲存儲(chǔ)器42進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于此，如與圖8的對(duì)應(yīng)部分使用相同附圖標(biāo)記的圖17所示，也可以適用設(shè)置由p型mos晶體管構(gòu)成的整流元件73的反熔絲存儲(chǔ)器72。在這種情況下，反熔絲存儲(chǔ)器72包括整流元件73和存儲(chǔ)器電容44，所述整流元件73具有p型mos晶體管的半導(dǎo)體接合結(jié)構(gòu)，所述存儲(chǔ)器電容44包括通過(guò)位線(xiàn)bl和存儲(chǔ)器柵極g之間的電壓差而被絕緣破壞的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6。

在這種情況下，存儲(chǔ)器電容44中，一端的擴(kuò)散區(qū)域與位線(xiàn)bl連接，存儲(chǔ)器柵極g與整流元件73連接。整流元件73具有整流元件柵極g1和漏區(qū)域與存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g連接的同時(shí)，阱與阱控制端子連接，以及源區(qū)域與字線(xiàn)wl連接的結(jié)構(gòu)。由此，整流元件73只要沒(méi)有從字線(xiàn)wl被施加導(dǎo)通電壓就進(jìn)行截止動(dòng)作，從而能夠阻斷從存儲(chǔ)器柵極g施加到字線(xiàn)wl的電壓。

在此，即使包括這種mos晶體管結(jié)構(gòu)的整流元件73的反熔絲存儲(chǔ)器72，由于通過(guò)如圖9a所示的截面結(jié)構(gòu)來(lái)形成，整流元件73的整流元件柵極g1和存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g可形成在相同的布線(xiàn)層上，并且可使整流元件柵極g1的膜厚度和存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g的膜厚度相同。因此，即使反熔絲存儲(chǔ)器72，也能夠?qū)崿F(xiàn)整體的薄型化。

在這種反熔絲存儲(chǔ)器72中，進(jìn)行數(shù)據(jù)寫(xiě)入動(dòng)作時(shí)，可對(duì)字線(xiàn)wl施加5v的破壞字電壓，對(duì)位線(xiàn)bl施加0v的破壞位電壓。并且，對(duì)形成有整流元件73的阱，可從阱控制端子施加與破壞字電壓相同的5v電壓。假設(shè)整流元件73的源區(qū)域的電位為0v程度時(shí)，整流元件73進(jìn)行導(dǎo)通動(dòng)作，若將其閾值電壓設(shè)成-0.7v，則源區(qū)域可被充電至4.3v。

因此，存儲(chǔ)器電容44中，從整流元件73向存儲(chǔ)器柵極g施加5v的破壞字電壓，此時(shí)，位線(xiàn)因0v而進(jìn)行導(dǎo)通動(dòng)作，溝道電位也成為0v。結(jié)果，存儲(chǔ)器電容44中，存儲(chǔ)器柵極g與溝道和擴(kuò)散區(qū)域之間因破壞位電壓和破壞字電壓而產(chǎn)生大的電壓差。因此，寫(xiě)入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲(chǔ)器72中，可在存儲(chǔ)器電容44中存儲(chǔ)器柵極g下部的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6被絕緣破壞，存儲(chǔ)器柵極g與擴(kuò)散區(qū)域以低阻抗而成為導(dǎo)通狀態(tài)，從而成為存儲(chǔ)器電容44中寫(xiě)入數(shù)據(jù)的狀態(tài)。

并且，與上述的“(6-2)數(shù)據(jù)的寫(xiě)入動(dòng)作”一樣，對(duì)位線(xiàn)bl被施加3v的非破壞位電壓的同時(shí)，對(duì)字線(xiàn)wl被施加0v的非破壞字電壓的不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲(chǔ)器72中，例如當(dāng)存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6已被絕緣破壞時(shí)，位線(xiàn)bl的3v的非破壞位電壓通過(guò)存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g被施加至整流元件73的源區(qū)域。但是，在這種情況下，由于整流元件73進(jìn)行截止動(dòng)作，因此反熔絲存儲(chǔ)器72中，可防止位線(xiàn)bl的3v的非破壞位電壓被施加到字線(xiàn)wl，因此字線(xiàn)wl的電位不會(huì)發(fā)生變化。

順便說(shuō)一下，在向字線(xiàn)wl施加5v的破壞字電壓、且向位線(xiàn)bl被施加3v的非破壞位電壓的不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲(chǔ)器72中，存儲(chǔ)器電容44中存儲(chǔ)器柵極g與擴(kuò)散區(qū)域的電壓差變小，因此即使存儲(chǔ)器電容44中存儲(chǔ)器柵絕緣膜6沒(méi)有被絕緣破壞時(shí)，所述存儲(chǔ)器柵絕緣膜6也不會(huì)被絕緣破壞而照樣保持絕緣狀態(tài)，從而能夠保持不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的狀態(tài)。

并且，即使具有這種結(jié)構(gòu)的反熔絲存儲(chǔ)器72以矩陣狀配置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，可通過(guò)上述的“(1-3)數(shù)據(jù)的讀取動(dòng)作”讀取期望的反熔絲存儲(chǔ)器72的數(shù)據(jù)，因此在此省略對(duì)其的說(shuō)明。

以上的結(jié)構(gòu)中，即使不寫(xiě)入數(shù)據(jù)的反熔絲存儲(chǔ)器72，如上所述，當(dāng)與存儲(chǔ)器電容44連接的位線(xiàn)bl上被施加有高電壓的非破壞位電壓時(shí)，例如即使存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵絕緣膜6已被絕緣破壞，通過(guò)使整流元件73的溝道處于截止?fàn)顟B(tài)(非導(dǎo)通狀態(tài))，能夠阻斷從存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g施加到字線(xiàn)wl的非破壞位電壓。

因此，即使反熔絲存儲(chǔ)器72，如上所述，也不使用如現(xiàn)有的控制電路，而是設(shè)置用于通過(guò)存儲(chǔ)器柵極g和字線(xiàn)wl的電壓值而將從存儲(chǔ)器柵極g施加到字線(xiàn)wl的電壓通過(guò)截止動(dòng)作來(lái)阻斷的晶體管結(jié)構(gòu)的整流元件73，因此不需要選擇性地執(zhí)行向存儲(chǔ)器電容44施加的各電壓的開(kāi)關(guān)晶體管或者用于執(zhí)行開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通和截止動(dòng)作的開(kāi)關(guān)控制電路，從而能夠相應(yīng)地實(shí)現(xiàn)小型化。

并且，即使這樣的反熔絲存儲(chǔ)器72，可以設(shè)置(ⅰ)通過(guò)向字線(xiàn)(寫(xiě)入非選擇字線(xiàn))施加0v的非破壞字電壓來(lái)在存儲(chǔ)器電容44不形成溝道的第一阻斷結(jié)構(gòu)和(ⅱ)通過(guò)使整流元件73處于截止?fàn)顟B(tài)來(lái)阻斷非破壞位電壓的第二阻斷結(jié)構(gòu)的雙重阻斷結(jié)構(gòu)，由此，能夠執(zhí)行正常的數(shù)據(jù)寫(xiě)入動(dòng)作，從而也能夠可靠地防止讀取數(shù)據(jù)時(shí)的錯(cuò)誤動(dòng)作。

并且，即使這種反熔絲存儲(chǔ)器72，也能夠?qū)崿F(xiàn)與上述的“(7)關(guān)于四個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器和一個(gè)位線(xiàn)連接器的情況”、“(8)關(guān)于其他實(shí)施方式的位線(xiàn)和字線(xiàn)的平面布置結(jié)構(gòu)”、“(9)關(guān)于兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器、沿列方向排列的多個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)位線(xiàn)連接器的情況”、“(10)關(guān)于沿行方向排列的多個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)字線(xiàn)連接器、兩個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器共用一個(gè)位線(xiàn)連接器的情況”相同的結(jié)構(gòu)，與各實(shí)施方式一樣，能夠多個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器72共用一個(gè)位線(xiàn)連接器和一個(gè)字線(xiàn)連接器，因此與每個(gè)反熔絲存儲(chǔ)器上分別單獨(dú)設(shè)置位線(xiàn)連接器和字線(xiàn)連接器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)整體裝置的小型化。

(11-2)包括晶體管結(jié)構(gòu)的整流元件的反熔絲存儲(chǔ)器的其他實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)

并且，上述的實(shí)施方式中，如圖9a和圖9b所示，對(duì)從作為整流元件43的漏區(qū)域的擴(kuò)散區(qū)域5c到整流元件柵極g1豎立設(shè)置有一個(gè)字線(xiàn)連接器wc的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于此，如與圖9a對(duì)應(yīng)的部分使用相同的附圖標(biāo)記的圖18a、與圖9b對(duì)應(yīng)的部分使用相同的附圖標(biāo)記的圖18b(圖18a示出圖18b的c-c’部分的側(cè)截面結(jié)構(gòu))所示，還可以形成為，設(shè)置連接字線(xiàn)wl和作為整流元件43的漏區(qū)域的擴(kuò)散區(qū)域5c的字線(xiàn)連接器wca1，并且將所述字線(xiàn)連接器wca1與整流元件柵極g1通過(guò)另外的字線(xiàn)連接器wca2和布線(xiàn)83連接。

并且，上述的實(shí)施方式中，如圖9a和圖9b所示，對(duì)從作為整流元件43的源區(qū)域的擴(kuò)散區(qū)域5b到存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g豎立設(shè)置一個(gè)連接器c1的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于此，如圖18a和圖18b所示，還可以形成為，在作為整流元件43的源區(qū)域的擴(kuò)散區(qū)域5b設(shè)置支柱狀的連接器c1a，另外，在存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極g上設(shè)置另外的連接器c1b，并將所述兩個(gè)連接器c1a、c1b通過(guò)布線(xiàn)84連接。并且，即使具有如圖18a和圖18b所示的結(jié)構(gòu)的反熔絲存儲(chǔ)器82，也能夠得到與上述的實(shí)施方式相同的效果。

(11-3)其他

并且，本發(fā)明并不限定于本實(shí)施方式，在本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變形，例如，對(duì)于上述的各實(shí)施方式中示出的反熔絲存儲(chǔ)器，也可以進(jìn)行適當(dāng)?shù)慕M合。并且，作為其他的實(shí)施方式，可以將圖9所示的具有n型晶體管的整流元件43的反熔絲存儲(chǔ)器42、圖17所示的具有p型晶體管的整流元件73的反熔絲存儲(chǔ)器72、圖9a和圖18a的側(cè)截面結(jié)構(gòu)等適當(dāng)?shù)亟M合。并且，個(gè)實(shí)施方式中，作為一方向可以適用行方向或者列方向，此時(shí)，另一方向?yàn)榕c一方向呈直角的列方向或者行方向。

并且，只要整流元件43的活性區(qū)域(源區(qū)域)和存儲(chǔ)器電容44的存儲(chǔ)器柵極電連接，就可以適用各種結(jié)構(gòu)，例如，對(duì)如圖9b、圖13、圖15所示的整流元件43的活性區(qū)域(源區(qū)域)46b、55a和存儲(chǔ)器柵極ga、g的連接結(jié)構(gòu)，可以適當(dāng)組合上述的各實(shí)施方式來(lái)使用。

并且，各實(shí)施方式中，反熔絲存儲(chǔ)器的數(shù)量可以為多種數(shù)量，在這種情況下，根據(jù)反熔絲存儲(chǔ)器的數(shù)量，將會(huì)增減位線(xiàn)連接器和字線(xiàn)連接器的數(shù)量、位線(xiàn)和字線(xiàn)的數(shù)量。并且，據(jù)此在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，也會(huì)增減配置在中央?yún)^(qū)域的位線(xiàn)連接器和字線(xiàn)連接器的數(shù)量。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

1、1a、21、31、41、41a、51、61：半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

2a、2b、2c、2d、2a1…2a16、2b1…2b16、2c1…2c16、2d1…2d16、2e1…2e16、2f1…2f16、2g1…2g16、2h1…2h16、42、72、82：反熔絲存儲(chǔ)器

3、43：整流元件

4、44：存儲(chǔ)器電容

g、ga：存儲(chǔ)器柵極

6：存儲(chǔ)器柵絕緣膜

s2：阱

bc、bc11…bc19、bc1a…bc6a、bc21…bc24、bc31…bc42、bc51…bc59、bc51a…bc56a、bc61…bc64、bc71…bc82：位線(xiàn)連接器

wc、wc11…wc14、wc1a…wc6a、wc21…wc28、wc31…wc34、wc51…wc54、wc51a…wc56a、wc61…wc68、wc71…wc74：字線(xiàn)連接器

wla、wlb、wl1a…wl4a、wl1b…wl4b、wl1c…wl4c、wl1d…wl4d：字線(xiàn)

bla、blb、bl1a…bl6a、bl1b…bl4b、bl1c…bl6c、bl1d…bl4d：位線(xiàn)