技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲裝置(1)中，不使用如現(xiàn)有的控制電路，可通過施加到存儲器電容(4)的存儲器柵極(G)和字線的電壓值，通過整流元件(3)阻斷從存儲器柵極(G)施加到字線的電壓，因此不需要如現(xiàn)有的開關(guān)晶體管或者用于使開關(guān)晶體管進(jìn)行導(dǎo)通和截止動作的開關(guān)控制電路，從而相應(yīng)地能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。另外，在半導(dǎo)體存儲裝置(1)中，通過彼此相鄰的四個反熔絲存儲器(2a6，2a7，2a10，2a11)共用一個位線連接器(BC15)，且例如彼此相鄰的四個反熔絲存儲器(2a3，2a4，2a7，2a8)共用一個字線連接器(WC12)，由此與每個反熔絲存儲器上設(shè)置位線連接器和字線連接器的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)整體裝置的小型化。

技術(shù)研發(fā)人員：葛西秀男;谷口泰弘;川嶋泰彥;櫻井良多郎;品川裕;戶谷達(dá)郎;山口貴德;大和田福夫;吉田信司;畑田輝男;野田敏史;加藤貴文;村谷哲也;奧山幸祐
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社佛羅迪亞
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.19
技術(shù)公布日：2017.10.13