本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及P型碳化硅歐姆接觸的制作方法。

背景技術(shù)：

目前，相比于硅，碳化硅具有優(yōu)異的物理特性：禁帶寬、臨界擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速度高、抗輻照，因此適合制作高溫、高頻、高功率和抗輻照電子器件。然而限制器件制造的一個(gè)關(guān)鍵因素就是低電阻歐姆接觸的制備，較高的比接觸電阻會(huì)導(dǎo)致開關(guān)速率減慢和功耗增加。

和相對成熟的n型碳化硅歐姆接觸(Ni基金屬制備的N型碳化硅歐姆接觸已經(jīng)被普遍應(yīng)用和比接觸電阻值低于10^-5Ωcm²量級)相比，獲得高質(zhì)量的P型碳化硅歐姆接觸依舊是個(gè)挑戰(zhàn)。目前已經(jīng)進(jìn)行了大量的工作，來尋找一個(gè)相對于P型碳化硅的低電阻且可靠的接觸。傳統(tǒng)的Ti-Al歐姆接觸，退火溫度需高達(dá)1000℃，所花費(fèi)的成本較高。而且由于Al的低熔點(diǎn)和易氧化性，使其應(yīng)用在商業(yè)高溫和大功率器件下是不可靠的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明為了解決低電阻歐姆接觸制造的可靠性和降低成本，而提出一種P型碳化硅歐姆接觸制備的方法。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

一種P型碳化硅歐姆接觸的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步驟：使用標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗碳化硅片；將清洗后的碳化硅片用干法刻蝕的方法進(jìn)行刻蝕；在刻蝕后的碳化硅片上依次淀積金屬Ti、Ge、Al、Pt；將淀積后的碳化硅進(jìn)行兩步快速退火。

進(jìn)一步的，所述步驟中使用標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗碳化硅包括以下四步：

第一步，用清洗液A在70-90℃下清洗碳化硅8-12min，所述清洗液A中去離子水、氨水和雙氧水以5:1:1的比例配制；第二步，利用清洗液B在常溫下清洗碳化硅10-20s，所述清洗液B中去離子水與氫氟酸以50:1的比例配制；第三步，利用清洗液C在70-90℃下清洗碳化硅8-12min，所述清洗液C中去離子水、鹽酸和雙氧水以6:1:1的比例配制；第四步，用去離子水清洗數(shù)遍碳化硅后吹干。

進(jìn)一步的，所述步驟中干法刻蝕是利用SF₆/O₂通過電感耦合等離子體磁增強(qiáng)刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕機(jī)或電感耦合等離子體刻蝕機(jī)來進(jìn)行刻蝕。

進(jìn)一步的，所述步驟中淀積金屬Ti、Ge、Al、Pt的厚度分別為10-30nm、10-30nm、160-200nm和60-100nm。

進(jìn)一步的，所述步驟中的兩步快速退火包括：第一步，將刻蝕完成的碳化硅置于氬氣中以50-70℃/s的速度從常溫升至400-500℃，并維持50-70s，再以相同速度繼續(xù)上升至700-900℃，并維持?jǐn)?shù)100-150s；第二步，將升溫后的碳化硅以平滑的溫度降到常溫。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：

1.淀積金屬前使用干法刻蝕，可以打破Si-C鍵，促進(jìn)碳化硅與金屬原子反應(yīng)。

2.高濃度的Al有助于形成液體合金來促進(jìn)界面反應(yīng)以便形成歐姆接觸，在Al上層淀積金屬Pt可以防止歐姆接觸氧化失效，并且方便引線鍵合，在Al下層淀積金屬Ge可以使退火溫度降低，節(jié)約成本。

3.采用兩步退火可以避免鋁基接觸低熔點(diǎn)和高氧化驅(qū)動(dòng)力的不利因素。

4.采用這種技術(shù)方案，解決了低電阻歐姆接觸制造的可靠性，降低了成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提供的P型碳化硅歐姆接觸制作的流程圖。

圖2為本發(fā)明制作P型碳化硅歐姆接觸制的示意圖

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，并不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的其他所用實(shí)施例，都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

結(jié)合附圖，一種P型碳化硅歐姆接觸的制作方法，一種P型碳化硅歐姆接觸的制作方法，所述制作方法包括以下步驟：(1)使用標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗碳化硅；(2)將清洗后的碳化硅用干法刻蝕的方法進(jìn)行刻蝕；(3)在刻蝕后的碳化硅片上依次淀積金屬Ti、Ge、Al、Pt；(4)將淀積后的碳化硅進(jìn)行兩步快速退火。

所述步驟1中使用標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗碳化硅包括以下四步：第一步，用清洗液A在80℃下清洗碳化硅10分鐘，所述清洗液A中去離子水:氨水：雙氧水的比例為5:1:1；第二步，利用清洗液B在常溫下清洗碳化硅15秒，所述清洗液B中去離子水與氫氟酸的比例為1:50；第三步，利用清洗液C在80℃下清洗碳化硅10分鐘，所述清洗液C中去離子水:鹽酸:雙氧水的比例為6:1:1；第四步，用去離子水清洗數(shù)遍碳化硅后吹干。

所述步驟2中干法刻蝕利用SF₆/O₂通過電感耦合等離子體刻蝕機(jī)來進(jìn)行刻蝕。

所述步驟3中在刻蝕后的碳化硅片上利用電子束蒸發(fā)依次淀積金屬Ti、Ge、Al、Pt，所淀積金屬厚度分別為20nm、20nm、180nm和80nm。

所述步驟4中的兩步快速退火包括：第一步，將刻蝕完成的碳化硅置于氬氣中以60℃/s的速度從常溫升至400℃，并維持60s，再以相同速度繼續(xù)上升至800℃，并維持100s；第二步，將升溫后的碳化硅以平滑的溫度降到常溫。

淀積金屬前使用干法刻蝕，可以打破Si-C鍵，促進(jìn)碳化硅與金屬原子反應(yīng)，金屬Pt有耐腐蝕和抗氧化性，可以防止歐姆接觸退火以及后續(xù)的工藝的過程中歐姆接觸部分氧化失效，并且方便引線鍵合，金屬Ge可以降低退火的溫度，使成本降低，高濃度的Al有助于形成液體合金來促進(jìn)界面反應(yīng)以便形成歐姆接觸。采用兩步退火可以避免鋁基接觸低熔點(diǎn)和高氧化驅(qū)動(dòng)力的不利因素。