技術總結
本發(fā)明涉及微電子技術領域，一種P型碳化硅歐姆接觸的制作方法，包括以下步驟：(1)使用標準RCA清洗碳化硅片，并用氮氣吹干；(2)采用干法刻蝕在碳化硅外延層表面進行刻蝕；(3)在刻蝕后的碳化硅片上依次淀積金屬Ti、Ge、Al、Pt；(4)將碳化硅進行兩步快速退火。本發(fā)明使用的Pt金屬有抗氧化和方便金屬鍵合的作用，Ge金屬可以降低退火溫度，采用兩步快速熱退火可以得到較平滑的歐姆接觸，有效的降低了比接觸電阻，消除鋁基接觸的不利因素。

技術研發(fā)人員：許龍來;鐘志親;余鵬;王文昊;張國俊;戴麗萍;王姝婭;王志明;宋文平;夏萬順
受保護的技術使用者：電子科技大學
文檔號碼：201710020991
技術研發(fā)日：2017.01.11
技術公布日：2017.05.17