技術(shù)特征：

1.一種納米復(fù)合多層相變薄膜，其特征在于，該相變薄膜為Ge₅₀Te₅₀相變材料和Ge₈Sb₉₂相變材料呈周期性復(fù)合得到納米復(fù)合多層相變薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米復(fù)合多層相變薄膜，其特征在于，所述的相變薄膜的結(jié)構(gòu)通式為[Ge₅₀Te₅₀(a)/Ge₈Sb₉₂(b)]_x，總厚度為32～80nm，其中，a為每層相變薄膜中Ge₅₀Te₅₀材料的厚度，為4～8nm，b為每層相變薄膜中Ge₈Sb₉₂材料的厚度，為4～8nm，x為相變薄膜結(jié)構(gòu)的周期數(shù)，x為4或5。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米復(fù)合多層相變薄膜，其特征在于，所述的相變薄膜采用磁控濺射方法生長于SiO₂/Si(100)基片上。

4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的納米復(fù)合多層相變薄膜的制備方法，其特征在于，該方法采用以下步驟：

(1)將SiO₂/Si(100)基片依次置于乙醇、丙酮、去離子水中，超聲清洗15～30min，然后用高純N₂吹干，待用；

(2)安裝好濺射靶材，先后開啟機(jī)械泵和分子泵抽真空；

(3)設(shè)定濺射氣體流量、腔內(nèi)濺射氣壓、靶材的濺射功率；

(4)采用室溫磁控濺射方法制備[Ge₅₀Te₅₀(a)/Ge₈Sb₉₂(b)]_x納米復(fù)合多層相變薄膜：

(4-1)將基片旋轉(zhuǎn)到Ge₈Sb₉₂靶位，開啟Ge₈Sb₉₂的射頻濺射電源，開始濺射Ge₈Sb₉₂薄膜，Ge₈Sb₉₂薄膜濺射完成后，關(guān)閉Ge₈Sb₉₂的交流濺射電源。

(4-2)將基片旋轉(zhuǎn)到Ge₅₀Te₅₀靶位，開啟Ge₅₀Te₅₀的射頻濺射電源，開始濺射Ge₅₀Te₅₀薄膜，Ge₅₀Te₅₀薄膜濺射完成后，關(guān)閉Ge₅₀Te₅₀的交流濺射電源。

(4-3)重復(fù)上述(4-1)、(4-2)兩步，直到完成納米相變薄膜設(shè)定的周期數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種納米復(fù)合多層相變薄膜的制備方法，其特征在于，步驟(4-1)濺射Ge₈Sb₉₂時(shí)，采用的本底真空度為2×10^-4Pa，濺射氣體為體積百分比均達(dá)到99.999％的高純Ar氣，濺射氣體的流量為30～50SCCM，濺射氣壓為0.2～0.5Pa，濺射功率為15～30W，濺射速度為1.5～6.5s/nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種納米復(fù)合多層相變薄膜的制備方法，其特征在于，步驟(4-2)中濺射Ge₅₀Te₅₀時(shí)，采用的本底真空度為2x10^-4Pa，濺射氣體為體積百分比均達(dá)到99.999％的高純Ar氣，濺射氣體的流量為30～50SCCM，濺射氣壓為0.2～0.5Pa，濺射功率為15～30W，濺射速度為1.2～3.5s/nm。

7.一種如權(quán)利要求1所述的納米復(fù)合多層相變薄膜的應(yīng)用，其特征在于，該相變薄膜應(yīng)用于相變存儲(chǔ)器。