本發(fā)明涉及一種日盲紫外光電探測(cè)器面陣及其制備方法，尤其是涉及一種垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動(dòng)日盲紫外光電探測(cè)器面陣及其制備方法。

背景技術(shù)：

大氣層對(duì)200-280 nm紫外波段的太陽(yáng)光具有強(qiáng)烈的吸收，200-280nm波段的光稱(chēng)為日盲紫外光。大氣層對(duì)日盲紫外光的吸收為人造日盲紫外信號(hào)的檢測(cè)提供一種天然的低背景窗口。日盲紫外光電探測(cè)器是指對(duì)200-280nm的日盲光具有特征響應(yīng)，而對(duì)280-800nm的紫外光和可見(jiàn)光不響應(yīng)的紫外探測(cè)器（Rikiya Suzuki, Shinji Nakagomi, and Yoshihiro Kokubuna, Appllied Physics Letters, 2011, 98:131114）。目前，日盲紫外探測(cè)器已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于導(dǎo)彈預(yù)警、高壓線(xiàn)電暈探測(cè)、醫(yī)療診斷、近地保密通訊等領(lǐng)域。

近年來(lái)，ZnMgO合金薄膜被廣泛應(yīng)用于各種類(lèi)型的日盲紫外光電探測(cè)器單元器件的制備，包括金屬-半導(dǎo)體-金屬結(jié)構(gòu)日盲紫外光電探測(cè)器（Z. G. Ju, C. X. Shan, D. Y. Jiang, J. Y. Zhang, B. Yao, D. X. Zhao, D. Z. Shen and X. W. Fan, Applied Physics Letters, 2008, 93:173505）和肖特基二極管結(jié)構(gòu)日盲紫外光電探測(cè)器（H. Endo, M. Sugibuchi, K. Takahashi, S. Goto, K. Hane and Y. Kashiwaba, physica status solidi (c), 2008, 5:3119）。然而，這兩種結(jié)構(gòu)的探測(cè)器，由于電極連接的問(wèn)題，不適用于面陣器件的制備，目前很少有這兩種結(jié)構(gòu)的ZnMgO日盲紫外探測(cè)器面陣器件的報(bào)道。

p-n結(jié)二極管結(jié)構(gòu)探測(cè)器具有垂直結(jié)構(gòu)和自驅(qū)動(dòng)的特性。一方面，垂直結(jié)構(gòu)適用于集成的光電探測(cè)器陣列，這是必要的光電成像技術(shù)；另一方面，自驅(qū)動(dòng)性能光電二極管可以無(wú)需外部電源驅(qū)動(dòng)，具有良好的適應(yīng)性和可持續(xù)性（Hongyu Chen, Kewei Liu, Linfeng Hu, Ahmed A. Al-Ghamdi and Xiaosheng Fang, Materials Today, 2015, 18:493）。因此有望制備出高性能的日盲紫外光電探測(cè)器面陣器件。然而，如何制備穩(wěn)定的p型ZnO基材料仍然是一個(gè)較大的問(wèn)題（J. S. Liu, C. X. Shan, H. Shen, B. H. Li, Z. Z. Zhang, L. Liu, L. G. Zhang, and D. Z. Shen, Applied Physics Letters, 2012, 101: 011106）。

非摻雜的NiMgO三元合金薄膜，由于Ni空位的存在，表現(xiàn)出p型導(dǎo)電特性（Yanmin Guo, Liping Zhua, Jie Jiang, Yaguang Li, Liang Hu, Hongbin Xu, Zhizhen Ye, Thin Solid Films, 2014, 558:311）。因此，近期有研究者制備出n-Zn_0.8Mg_0.2O/p-Ni_0.8Mg_0.2O異質(zhì)pn結(jié)（Yan-Min Guo,Li-Ping Zhu, Wen-Zhe Niu, Xiang-Yu Zhang and Zhi-Zhen Ye, Applied physics A, 2014, 118:239）。通過(guò)適當(dāng)提高Zn_yMg_1-yO和Ni_zMg_1-zO合金薄膜中的Mg組分（1-y）和（1-z），可以增加這兩層薄膜的帶隙寬度，使它們的禁帶寬度達(dá)到日盲波段，就可以制備出n-ZnMgO/p-NiMgO異質(zhì)pn垂直結(jié)構(gòu)的日盲紫外光電探測(cè)器。

此外，眾所周知，ZnMgO三元合金薄膜隨著Mg組分的增加，其載流子濃度快速下降，因此其導(dǎo)電性降低（J.S. Liu, C.X.Shan, S.P.Wang, B.H.Li, Z.Z Zhang and D.Z.Shen, Journal of Crystal Growth, 2012, 347:95）。通過(guò)加入超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜作為透明導(dǎo)電窗口層可以有效提高光生載流子的收集效率，大大增強(qiáng)面陣器件的性能。

因此，利用n-Zn_yMg_1-yO/p-Ni_zMg_1-zO異質(zhì)pn結(jié)的自驅(qū)動(dòng)特性，結(jié)合超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜作為透明導(dǎo)電窗口層，可以制備出性能優(yōu)異的垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動(dòng)日盲紫外光電探測(cè)器面陣器件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于針對(duì)p型ZnMgO材料穩(wěn)定性低，pn結(jié)型ZnMgO日盲紫外光電探測(cè)器制備困難的問(wèn)題，利用p型NiMgO材料代替p型ZnMgO材料，提供一種垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動(dòng)日盲紫外光電探測(cè)器面陣及其制備方法。

本發(fā)明的技術(shù)方案是以超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜作為透明導(dǎo)電窗口層；以日盲帶隙、低載流子濃度的摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜作為n型層；以Ni_zMg_1-zO薄膜作為p型層；制備n型環(huán)形共電極及p型陣列電極，最終制備獲得垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動(dòng)日盲紫外光電探測(cè)器面陣。

本發(fā)明包括以下步驟：

1）在透明襯底1上生長(zhǎng)一層超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜，作為透明導(dǎo)電窗口層2；2）在透明導(dǎo)電窗口層2上面生長(zhǎng)一層日盲帶隙、低載流子濃度的摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜，作為n型層3；3）在n型層3上面生長(zhǎng)一層Ni_zMg_1-zO薄膜，作為p型層4；4）利用光刻掩模結(jié)合刻蝕的方法刻蝕掉部分的p型層4和n型層3后，露出部分透明導(dǎo)電窗口層2；5）再結(jié)合光刻掩模和真空鍍膜方法在步驟4）所露出的透明導(dǎo)電窗口層2上制備n型環(huán)形共電極5，在p型層4上制備p型陣列電極6；最終制備獲得垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動(dòng)日盲紫外光電探測(cè)器面陣。

上述步驟1）的透明襯底1為氧化鎂、氧化鋁或石英襯底。

上述步驟1）生長(zhǎng)的超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜，其摻雜的雜質(zhì)元素為Al、Ga或In，帶隙大于5.0eV，載流子濃度大于1×10¹⁹/cm³；生長(zhǎng)摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜的方法為磁控濺射鍍膜方法或脈沖激光沉積鍍膜方法；所述摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜中Zn元素組分x大于0小于0.50。

上述步驟2）生長(zhǎng)的日盲帶隙、低流子濃度的摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜，其摻雜的雜質(zhì)元素為Al、Ga或In，帶隙大于4.3eV小于5.0eV，載流子濃度大于1×10¹⁷/cm³小于5×10¹⁸/cm³；生長(zhǎng)摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜的方法為磁控濺射鍍膜方法或脈沖激光沉積鍍膜方法；所述摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜中Zn元素組分y大于0.50小于0.60。

上述步驟3）生長(zhǎng)的Ni_zMg_1-zO薄膜，其帶隙大于4.3eV小于5.0eV；生長(zhǎng)Ni_zMg_1-zO薄膜的方法為磁控濺射鍍膜方法或脈沖激光沉積鍍膜方法；所述Ni_zMg_1-zO薄膜中Ni元素組分z大于0.40小于0.50。

上述步驟4）刻蝕掉部分的摻雜Ni_zMg_1-zO薄膜和低載流子濃度的摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜的刻蝕方法為化學(xué)腐蝕、離子束刻蝕或等離子體刻蝕。

上述步驟5）中的真空鍍膜方法為磁控濺射鍍膜方法、電子束蒸發(fā)鍍膜方法或熱蒸發(fā)鍍膜方法。

本發(fā)明上述的制備方法制得垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動(dòng)日盲紫外光電探測(cè)器面陣。

與現(xiàn)有的ZnMgO日盲紫外光電探測(cè)器相比，本發(fā)明具有以下突出的優(yōu)點(diǎn)：

1）本發(fā)明利用p型NiMgO材料代替p型ZnMgO材料，解決了穩(wěn)定的p型ZnMgO材料制備困難的問(wèn)題，制備Zn_yMg_1-yO/Ni_zMg_1-zO異質(zhì)結(jié)構(gòu)pn結(jié)，實(shí)現(xiàn)ZnMgO日盲紫外光電探測(cè)器的自驅(qū)動(dòng)工作。

2）本發(fā)明制備的Zn_yMg_1-yO/Ni_zMg_1-zO異質(zhì)結(jié)構(gòu)pn結(jié)為垂直結(jié)構(gòu)，優(yōu)于傳統(tǒng)的金屬-半導(dǎo)體-金屬的二維平面結(jié)構(gòu)，垂直結(jié)構(gòu)的日盲紫外光電探測(cè)器可實(shí)現(xiàn)共電極和陣列電極的制備，因此可以制備出ZnMgO日盲紫外光電探測(cè)器面陣器件。

3）本發(fā)明利用超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜透明作為導(dǎo)電窗口層，可以有效提高光生載流子的收集效率，大大增強(qiáng)日盲紫外光電探測(cè)器單元和面陣器件的性能。

4）現(xiàn)有的ZnMgO日盲紫外光電探測(cè)器單元器件，只能應(yīng)用于日盲紫外光電信號(hào)強(qiáng)弱的探測(cè)，而無(wú)法實(shí)現(xiàn)日盲紫外光電信號(hào)的成像、追蹤。本發(fā)明制備的ZnMgO日盲紫外光電探測(cè)器面陣器件可以實(shí)現(xiàn)對(duì)日盲紫外光電信號(hào)的成像和追蹤。

附圖說(shuō)明

圖1 為垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動(dòng)日盲紫外光電探測(cè)器面陣示意圖。

圖中的標(biāo)號(hào)為：透明襯底1；超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜作為透明導(dǎo)電窗口層2；日盲帶隙、低載流子濃度的摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜作為n型層3；Ni_zMg_1-zO薄膜作為p型層4；n型環(huán)形共電極5；p型陣列電極6。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例制備垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動(dòng)日盲紫外光電探測(cè)器面陣具體過(guò)程圖。

圖中的標(biāo)號(hào)為：透明襯底1；超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜作為透明導(dǎo)電窗口層2；日盲帶隙、低載流子濃度的摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜作為n型層3； Ni_zMg_1-zO薄膜作為p型層4；n型環(huán)形共電極5；p型陣列電極6。

具體實(shí)施方式

下面通過(guò)具體實(shí)施例闡述，以進(jìn)一步闡明本發(fā)明的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著進(jìn)步。

實(shí)施例1

參見(jiàn)附圖2，利用磁控濺射鍍膜方法在石英襯底1上生長(zhǎng)一層超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜作為透明導(dǎo)電窗口層2，摻雜的雜質(zhì)元素為Al，采用ZnO靶、MgO靶和Al₂O₃靶分別為Zn源、Mg源和Al摻雜源，濺射功率分別為50W、100W和30W，生長(zhǎng)得到的Zn_xMg_1-xO薄膜作為透明導(dǎo)電窗口層2，經(jīng)實(shí)驗(yàn)獲得：式中x值為0.48，帶隙寬度為5.1eV，載流子濃度為2×10¹⁹/cm³（見(jiàn)圖2中的過(guò)程a）；繼續(xù)利用磁控濺射鍍膜方法生長(zhǎng)一層日盲帶隙、低載流子濃度的摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜作為n型層3，摻雜的雜質(zhì)元素為Al，采用ZnO靶、MgO靶和Al₂O₃靶分別為Zn源、Mg源和Al摻雜源，濺射功率分別為55W、100W和20W，生長(zhǎng)得到的Zn_yMg_1-yO薄膜n型層3，經(jīng)實(shí)驗(yàn)獲得：式中y值為0.52，其帶隙寬度為4.6eV，載流子濃度為3×10¹⁷/cm³（見(jiàn)圖2中的過(guò)程b）；進(jìn)而利用磁控濺射鍍膜方法生長(zhǎng)一層Ni_zMg_1-zO薄膜作為p型層4，采用NiO靶和MgO靶分別為Ni源和Mg源，濺射功率分別為100W和110W，生長(zhǎng)得到的Ni_zMg_1-zO薄膜，經(jīng)實(shí)驗(yàn)獲得：式中z值為0.45，其帶隙寬度為4.5eV（見(jiàn)圖2中的過(guò)程c）；在生長(zhǎng)的多層膜上旋涂光刻膠，并利用光刻顯影技術(shù)去除多層膜上需要刻蝕部分的光刻膠，利用化學(xué)腐蝕方法刻蝕掉非光刻膠掩膜部分的摻雜Ni_zMg_1-zO薄膜和低載流子濃度的摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜的n型層3，露出超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜的透明導(dǎo)電窗口層2，用丙酮去除殘留光刻膠（見(jiàn)圖2中的過(guò)程d）；進(jìn)一步在刻蝕后的多層膜上旋涂光刻膠，并利用光刻顯影技術(shù)在露出超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜的透明導(dǎo)電窗口層2上制備環(huán)形共電極的光刻圖形，利用電子束蒸發(fā)鍍膜方法制備n型環(huán)形共電極5，用丙酮去除殘留光刻膠（見(jiàn)圖2中的過(guò)程e）；進(jìn)一步在制備完n型環(huán)形共電極的多層膜上旋涂光刻膠，并利用光刻顯影技術(shù)在Ni_zMg_1-zO薄膜的p型層4上制備陣列電極的光刻圖形，利用電子束蒸發(fā)鍍膜方法制備p型陣列電極6，用丙酮去除殘留光刻膠（見(jiàn)圖2中的過(guò)程f）。最終獲得垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動(dòng)日盲紫外光電探測(cè)器面陣器件如圖1所示，圖1中：透明襯底1；超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜作為透明導(dǎo)電窗口層2；日盲帶隙、低載流子濃度的摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜作為n型層3；Ni_zMg_1-zO薄膜作為p型層4；n型環(huán)形共電極5；p型陣列電極6。

實(shí)施例2

參見(jiàn)附圖2，利用脈沖激光沉積鍍膜方法在氧化鋁襯底1上生長(zhǎng)一層超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜作為透明導(dǎo)電窗口層2，摻雜的雜質(zhì)元素為In，采用ZnO靶、MgO靶和In₂O₃靶分別為Zn源、Mg源和In摻雜源，脈沖激光源的能量密度分別為1.7 J/cm²、2.0J/cm²和0.7J/cm²，生長(zhǎng)得到的Zn_xMg_1-xO薄膜作為透明導(dǎo)電窗口層2，經(jīng)實(shí)驗(yàn)獲得：式中x值為0.45，其帶隙寬度為5.3eV，載流子濃度為1.5×10¹⁹/cm³（見(jiàn)圖2中的過(guò)程a）；繼續(xù)利用脈沖激光沉積鍍膜方法生長(zhǎng)一層日盲帶隙、低載流子濃度的摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜作為n型層3，摻雜的雜質(zhì)元素為In，采用ZnO靶、MgO靶和In₂O₃靶分別為Zn源、Mg源和In摻雜源，脈沖激光源的能量密度分別為1.9J/cm²、2.0J/cm²和0.5J/cm²，生長(zhǎng)得到的Zn_yMg_1-yO薄膜，經(jīng)實(shí)驗(yàn)獲得：式中y值為0.53，其帶隙寬度為4.5eV，載流子濃度為5×10¹⁷/cm³（見(jiàn)圖2中的過(guò)程b）；進(jìn)而利用脈沖激光沉積鍍膜方法生長(zhǎng)一層Ni_zMg_1-zO薄膜作為p型層4，采用NiO靶和MgO靶分別為Ni源和Mg源，脈沖激光源的能量密度分別為1.8J/cm²、2.0J/cm²，生長(zhǎng)得到的Ni_zMg_1-zO薄膜，經(jīng)實(shí)驗(yàn)獲得：式中z值為0.47，其帶隙寬度為4.4eV（見(jiàn)圖2中的過(guò)程c）；在生長(zhǎng)的多層膜上旋涂光刻膠，并利用光刻顯影技術(shù)去除多層膜上需要刻蝕部分的光刻膠，利用離子束刻蝕方法刻蝕掉非光刻膠掩膜部分的Ni_zMg_1-zO薄膜的p型層4和低載流子濃度的摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜的n型層3，露出超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜的透明導(dǎo)電窗口層2，用丙酮去除殘留光刻膠（見(jiàn)圖2中的過(guò)程d）；進(jìn)一步在刻蝕后的多層膜上旋涂光刻膠，并利用光刻顯影技術(shù)在露出超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜透明的導(dǎo)電窗口層2上制備環(huán)形共電極的光刻圖形，利用磁控濺射鍍膜方法制備n型環(huán)形共電極5，用丙酮去除殘留光刻膠（見(jiàn)圖2中的過(guò)程e）；進(jìn)一步在制備完n型環(huán)形共電極的多層膜上旋涂光刻膠，并利用光刻顯影技術(shù)在Ni_zMg_1-zO薄膜的p型層4上制備陣列電極的光刻圖形，利用磁控濺射鍍膜方法制備p型陣列電極6，用丙酮去除殘留光刻膠（見(jiàn)圖2中的過(guò)程f）。最終獲得垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動(dòng)日盲紫外光電探測(cè)器面陣器件。最終獲得垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動(dòng)日盲紫外光電探測(cè)器面陣器件如圖1所示，圖1中：透明襯底1；超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜作為透明導(dǎo)電窗口層2；日盲帶隙、低載流子濃度的摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜作為n型層3；Ni_zMg_1-zO薄膜作為p型層4；n型環(huán)形共電極5；p型陣列電極6。

實(shí)施例3

參見(jiàn)附圖2，利用磁控濺射鍍膜方法在氧化鋁襯底1上生長(zhǎng)一層超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜作為透明導(dǎo)電窗口層2，摻雜的雜質(zhì)元素為Ga，采用ZnO靶、MgO靶和Ga₂O₃靶分別為Zn源、Mg源和Ga摻雜源，濺射功率分別為45W、100W和30W，生長(zhǎng)得到的Zn_xMg_1-xO薄膜作為透明導(dǎo)電窗口層2，經(jīng)實(shí)驗(yàn)獲得：式中x值為0.44，其帶隙寬度為5.4eV，載流子濃度為1.1×10¹⁹/cm³（見(jiàn)圖2中的過(guò)程a）；繼續(xù)利用磁控濺射鍍膜方法生長(zhǎng)一層日盲帶隙、低載流子濃度的摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜作為n型層3，摻雜的雜質(zhì)元素為Ga，采用ZnO靶、MgO靶和Ga₂O₃靶分別為Zn源、Mg源和Al摻雜源，濺射功率分別為52W、100W和20W，生長(zhǎng)得到的Zn_yMg_1-yO薄膜n型層3，經(jīng)實(shí)驗(yàn)獲得：式中y值為0.51，其帶隙寬度為4.7 eV，載流子濃度為1×10¹⁸/cm³（見(jiàn)圖2中的過(guò)程b）；進(jìn)而利用磁控濺射鍍膜方法生長(zhǎng)一層Ni_zMg_1-zO薄膜作為p型層4，采用NiO靶和MgO靶分別為Ni源和Mg源，濺射功率分別為100W和120W，生長(zhǎng)得到的Ni_zMg_1-zO薄膜，經(jīng)實(shí)驗(yàn)獲得：式中z值為0.43，其帶隙寬度為4.7eV（見(jiàn)圖2中的過(guò)程c）；在生長(zhǎng)的多層膜上旋涂光刻膠，并利用光刻顯影技術(shù)去除多層膜上需要刻蝕部分的光刻膠，利用等離子體刻蝕方法刻蝕掉非光刻膠掩膜部分的Ni_zMg_1-zO薄膜的p型層4和低載流子濃度的摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜的n型層3，露出超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜的透明導(dǎo)電窗口層2，用丙酮去除殘留光刻膠（見(jiàn)圖2中的過(guò)程d）；進(jìn)一步在刻蝕后的多層膜上旋涂光刻膠，并利用光刻顯影技術(shù)在露出超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜的透明導(dǎo)電窗口層2上制備環(huán)形共電極的光刻圖形，利用熱蒸發(fā)鍍膜方法制備n型環(huán)形共電極5，用丙酮去除殘留光刻膠（見(jiàn)圖2中的過(guò)程e）；進(jìn)一步在制備完n型環(huán)形共電極的多層膜上旋涂光刻膠，并利用光刻顯影技術(shù)在Ni_zMg_1-zO薄膜p型層4上制備陣列電極的光刻圖形，利用熱蒸發(fā)鍍膜方法制備p型陣列電極6，用丙酮去除殘留光刻膠（見(jiàn)圖2中的過(guò)程f）。最終獲得垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動(dòng)日盲紫外光電探測(cè)器面陣器件。最終獲得垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動(dòng)日盲紫外光電探測(cè)器面陣器件如圖1所示，圖1中：透明襯底1；超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜作為透明導(dǎo)電窗口層2；日盲帶隙、低載流子濃度的摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜作為n型層3；Ni_zMg_1-zO薄膜作為p型層4；n型環(huán)形共電極5；p型陣列電極6。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。