技術特征：

1.一種垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動日盲紫外光電探測器面陣的制備方法，其特征在于包括如下步驟：1）在透明襯底1上生長一層超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜，作為透明導電窗口層2；2）在透明導電窗口層2上面生長一層日盲帶隙、低載流子濃度的摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜，作為n型層3；3）在n型層3上面生長一層Ni_zMg_1-zO薄膜，作為p型層4；4）利用光刻掩模結(jié)合刻蝕的方法刻蝕掉部分的p型層4和n型層3后，露出部分透明導電窗口層2；5）再結(jié)合光刻掩模和真空鍍膜方法在步驟4）所露出的透明導電窗口層2上制備n型環(huán)形共電極5，在p型層4上制備p型陣列電極6；最終制備獲得垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動日盲紫外光電探測器面陣。

2.如權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動日盲紫外光電探測器面陣的制備方法，其特征在于步驟1）的透明襯底1為氧化鎂、氧化鋁或石英襯底。

3.如權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動日盲紫外光電探測器面陣的制備方法，其特征在于步驟1）生長的超寬帶隙、高載流子濃度的摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜，其摻雜的雜質(zhì)元素為Al、Ga或In，帶隙大于5.0eV，載流子濃度大于1×10¹⁹/cm³；生長摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜的方法為磁控濺射鍍膜方法或脈沖激光沉積鍍膜方法；所述摻雜Zn_xMg_1-xO薄膜中Zn元素組分x大于0小于0.50。

4.如權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動日盲紫外光電探測器面陣的制備方法，其特征在于步驟2）生長的日盲帶隙、低流子濃度的摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜，其摻雜的雜質(zhì)元素為Al、Ga或In，帶隙大于4.3eV小于5.0eV，載流子濃度大于1×10¹⁷/cm³小于5×10¹⁸/cm³；生長摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜的方法為磁控濺射鍍膜方法或脈沖激光沉積鍍膜方法；所述摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜中Zn元素組分y大于0.50小于0.60。

5.如權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動日盲紫外光電探測器面陣的制備方法，其特征在于步驟3）生長的Ni_zMg_1-zO薄膜，其帶隙大于4.3eV小于5.0eV；生長Ni_zMg_1-zO薄膜的方法為磁控濺射鍍膜方法或脈沖激光沉積鍍膜方法；所述Ni_zMg_1-zO薄膜中Ni元素組分z大于0.40小于0.50。

6.如權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動日盲紫外光電探測器面陣的制備方法，其特征在于步驟4）刻蝕掉部分的摻雜Ni_zMg_1-zO薄膜和低載流子濃度的摻雜Zn_yMg_1-yO薄膜的刻蝕方法為化學腐蝕、離子束刻蝕或等離子體刻蝕。

7.如權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動日盲紫外光電探測器面陣的制備方法，其特征在于步驟5）中的真空鍍膜方法為磁控濺射鍍膜方法、電子束蒸發(fā)鍍膜方法或熱蒸發(fā)鍍膜方法。

8.權(quán)利要求1-7任一所述的制備方法制得的垂直結(jié)構(gòu)ZnMgO自驅(qū)動日盲紫外光電探測器面陣。