1.一種復(fù)合電極材料，其特征在于，包括依次設(shè)置的碳基薄膜、多孔金屬層和電化學(xué)活性物質(zhì)層，其中，所述電化學(xué)活性物質(zhì)層在所述多孔金屬層表面原位生長(zhǎng)形成。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合電極材料，其特征在于，所述碳基薄膜為石墨薄膜、石墨烯薄膜中的至少一種；和/或
所述多孔金屬層中的金屬材料為銅、鎳、鐵、鋁、鋅中的至少一種；和/或
所述電化學(xué)活性物質(zhì)層由電化學(xué)活性物質(zhì)制成，所述電化學(xué)活性物質(zhì)為金屬氧化物、金屬氫氧化物、金屬硫化物中的至少一種，其中，所述金屬氧化物包括單金屬氧化物、雙金屬氧化物、多元金屬氧化物；所述金屬氫氧化物包括單金屬氫氧化物、雙金屬氫氧化物、多元金屬氫氧化物；所述金屬硫化物包括單金屬硫化物、雙金屬硫化物、多元金屬硫化物。
3.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合電極材料，其特征在于，所述單金屬氧化物包括Co3O4、MnO2、NiO、CuO；所述單金屬氫氧化物包括Cu(OH)2、Co(OH)2、Ni(OH)2、NiMn-LDH；所述雙金屬氧化物包括NiMn2O4、MnCo2O4、CuCo2O4、NiMnO3、NiCo2O4；所述金屬硫化物包括CoNi2S4、NiCo2S4。
4.一種復(fù)合電極材料的制備方法，包括以下步驟：
提供碳基薄膜，采用電鍍法在所述碳基薄膜一表面沉積多孔金屬，制備多孔金屬層；
在所述多孔金屬層表面原位生長(zhǎng)電化學(xué)活性物質(zhì)，制備電化學(xué)活性物質(zhì)層。
5.如權(quán)利要求4所述的復(fù)合電極材料的制備方法，其特征在于，制備多孔金屬層的步驟中，所述采用電鍍法在所述碳基薄膜一表面沉積多孔金屬的方法為：
在基礎(chǔ)鍍液中，以所述碳基薄膜為工作電極，以鉑片電極為對(duì)電極，進(jìn)行電鍍處理，其中，所述基礎(chǔ)鍍液包括氯化銨和金屬氯化鹽；所述電鍍處理的電流密度為1-3A/cm2，電鍍時(shí)間為40-100s。
6.如權(quán)利要求4或5所述的復(fù)合電極材料的制備方法，其特征在于，制備電化學(xué)活性物質(zhì)層的步驟中，所述電化學(xué)活性物質(zhì)為金屬氫氧化物，在所述多孔金屬層表面原位生長(zhǎng)金屬氫氧化物薄膜的方法為：
配置含金屬氯酸鹽、氯化銨和氫氧化鈉的混合溶液，置于水熱釜中，將沉積有多孔金屬層的所述碳基薄膜置于水熱釜中，在50-60℃條件下保溫14-16h；清洗干燥處理。
7.如權(quán)利要求4或5所述的復(fù)合電極材料的制備方法，其特征在于，制備電化學(xué)活性物質(zhì)層的步驟中，所述電化學(xué)活性物質(zhì)為金屬氧化物，在所述多孔金屬層表面原位生長(zhǎng)金屬氧化物薄膜的方法為：
配置含金屬氯酸鹽、氯化銨和氫氧化鈉的混合溶液，置于水熱釜中，將沉積有多孔金屬層的所述碳基薄膜置于水熱釜中，在50-60℃條件下保溫14-16h；經(jīng)清洗干燥后，在380-420℃條件下退火1.5-2h。
8.如權(quán)利要求4或5所述的復(fù)合電極材料的制備方法，其特征在于，制備電化學(xué)活性物質(zhì)層的步驟中，所述電化學(xué)活性物質(zhì)為雙金屬氫氧化物，在所述多孔金屬層表面原位生長(zhǎng)雙金屬氫氧化物薄膜的方法為：
配置含金屬硝酸鹽、金屬乙酸鹽和烏洛托品的混合溶液，置于水熱釜中，將沉積有多孔金屬層的所述碳基薄膜置于水熱釜中，在75-85℃條件下保溫13-15h；清洗干燥處理，其中，所述金屬硝酸鹽和所述金屬乙酸鹽的金屬元素不同。
9.如權(quán)利要求4或5所述的復(fù)合電極材料的制備方法，其特征在于，制備電化學(xué)活性物質(zhì)層的步驟中，所述電化學(xué)活性物質(zhì)為雙金屬氧化物，在所述多孔金屬層表面原位生長(zhǎng)雙金屬氧化物薄膜的方法為：
配置分別含有不同金屬元素的兩種金屬硫酸鹽的混合溶液，置于水熱釜中，將沉積有多孔金屬層的所述碳基薄膜置于水熱釜中，在330-360℃條件下保溫13-16h；清洗干燥處理。
10.如權(quán)利要求4或5所述的復(fù)合電極材料的制備方法，其特征在于，制備電化學(xué)活性物質(zhì)層的步驟中，所述電化學(xué)活性物質(zhì)為雙金屬硫化物，在所述多孔金屬層表面原位生長(zhǎng)雙金屬硫化物薄膜的方法為：
提供硫脲、分別含有不同金屬元素的兩種金屬氯酸鹽的混合粉體，溶于去離子水中，配置混合溶液；以沉積有多孔金屬層的所述碳基薄膜為工作電極，以鉑片電極為對(duì)電極，以飽和甘汞電極為參比電極，利用循環(huán)伏安法沉積雙金屬硫化物薄膜；清洗干燥處理，
其中，所述循環(huán)伏安法的參數(shù)設(shè)定如下：電壓-1.2～0.2V，循環(huán)速度4.5-5.2mV/s，循環(huán)掃描4-15圈。