1.一種各向異性氮化鈦陶瓷薄膜，其特征在于：由統(tǒng)一晶格取向的單層氮化鈦納米層片晶粒構(gòu)成，所述層片晶粒的(111)晶面平行于薄膜表面排列堆垛，形成具有織構(gòu)取向的氮化鈦陶瓷薄膜；所述氮化鈦陶瓷薄膜的截面為層狀結(jié)構(gòu)，氮化鈦薄膜的截面厚度為2-20μm，氮化鈦陶瓷晶粒厚度為20-30nm。
2.如權(quán)利要求1所述的一種各向異性氮化鈦陶瓷薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將Ti3AlC2陶瓷粉末置于質(zhì)量濃度為47％的氫氟酸中，在20-60℃條件下腐蝕10-40小時(shí)，得到Ti3C2陶瓷粉末；
(2)將步驟(1)得到的陶瓷粉末清洗至洗滌液PH值為7，進(jìn)行超聲剝離，得到單層的Ti3C2納米片；
(3)將步驟(2)得到的Ti3C2納米片經(jīng)離心處理后得到Ti3C2納米片的懸浮液，真空抽濾后得到Ti3C2陶瓷薄膜前驅(qū)體；
(4)將步驟(3)中得到的Ti3C2陶瓷薄膜前驅(qū)體在40-60℃條件下干燥10-20小時(shí)，得到Ti3C2陶瓷薄膜；
(5)將步驟(4)中得到的Ti3C2陶瓷薄膜置于兩層片狀的模具中間，置于流動(dòng)的氮?dú)夥諊?，?00-1400℃條件下，保溫1-4小時(shí)后得到目標(biāo)產(chǎn)物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種各向異性氮化鈦陶瓷薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中Ti3AlC2陶瓷粉末的粒徑為100-200目。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種各向異性氮化鈦陶瓷薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(5)中的片狀模具為氧化鋁、碳化硅中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種各向異性氮化鈦陶瓷薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(5)中升溫速率為1-30℃/min。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種各向異性氮化鈦陶瓷薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中腐蝕過程中采用油浴加熱方式。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種各向異性氮化鈦陶瓷薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中干燥過程在真空條件下進(jìn)行。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種各向異性氮化鈦陶瓷薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中Ti3C2陶瓷薄膜的厚度為2-20μm。