技術特征：

技術總結
本發(fā)明提供一種半導體裝置及半導體裝置的制造方法，該半導體裝置包括第一多晶硅和第二多晶硅作為電阻元件，所述第一多晶硅和第二多晶硅包含諸如硼等的同種雜質并且具有不同的寬度。第一多晶硅包含濃度為CX的雜質。第二多晶硅的寬度大于第一多晶硅的寬度，并且包含低于濃度CX的濃度CY的同種雜質。第一多晶硅的電阻溫度系數(TCR)的符號在濃度CX處改變。第二多晶硅的電阻溫度系數(TCR)的符號在濃度CY處改變。本發(fā)明能夠抑制半導體裝置的運行導致的電阻元件電阻值的變化和電阻元件電阻值變化導致的半導體裝置的性能變差。

技術研發(fā)人員：江間泰示;三沢信裕;粂野一幸;安田真
受保護的技術使用者：三重富士通半導體股份有限公司
技術研發(fā)日：2017.01.25
技術公布日：2017.08.29