本揭露內(nèi)容涉及鰭式場效晶體管的制造方法和結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體集成電路(ic)產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)了指數(shù)級的成長。ic材料和設(shè)計(jì)上的技術(shù)進(jìn)展已造就出一代又一代的ic，且電路一代比一代更小且更復(fù)雜。元件尺寸微縮的制程，由于其提高生產(chǎn)效率和降低了相關(guān)的成本而提供了優(yōu)勢。如此的尺寸上的微縮，也提高了ic加工和制造上的復(fù)雜度，而這些尺寸上的進(jìn)展要能實(shí)現(xiàn)，需要ic制程上也有類似的進(jìn)展。

舉例而言，多柵極裝置經(jīng)努力，藉由增加?xùn)艠O通道的耦合、減少開路狀態(tài)電流、減少短通道效應(yīng)(sce)，以改善柵極控制。多柵極裝置中的一種型式為鰭式場效晶體管(finfets)－為具有鰭狀半導(dǎo)體通道(鰭狀物)且柵極在鰭狀物的兩側(cè)或三側(cè)的晶體管。

形成鰭狀物的典型方法，包括鰭狀物置換法和應(yīng)變松馳緩沖(srb)法。兩種方式都有缺點(diǎn)。典型的鰭狀物置換法，其形成介電質(zhì)溝槽在基板上，且半導(dǎo)體鰭狀物以磊晶(外延)生長于基板上和介電質(zhì)溝槽中。在半導(dǎo)體鰭狀物與周圍介電材料之間的交界面通常存在著缺陷。典型的應(yīng)變松馳緩沖(srb)法方式，其在完整的晶圓上形成厚的磊晶生長膜層(如：大于1微米)，并且蝕刻磊晶的膜層以形成半導(dǎo)體鰭狀物。藉由減少介于磊晶膜層的上部和基板之間的晶格錯(cuò)配，以提供良好的磊晶層。然而，厚的磊晶膜在整個(gè)基板上，除了增加材料的成本，也會導(dǎo)致嚴(yán)重的剖面圖形缺陷。

因此，對于形成鰭狀物來說，新且改良的方式是令人期待的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本揭露內(nèi)容的一態(tài)樣針對的是形成半導(dǎo)體裝置的方法。這方法包括提供半導(dǎo)體基板，其中半導(dǎo)體基板具有第一區(qū)域，和鄰接于第一區(qū)域的第二區(qū)域，第一區(qū)域和第二區(qū)域分別地?fù)诫s第一和第二摻雜物，且第一和第二摻雜物為相反型態(tài)。這方法，更進(jìn)一步地包含在基板上，磊晶成長第一半導(dǎo)體層，其摻雜第三摻雜物，且第三摻雜物和第一摻雜物為相反型態(tài)。這方個(gè)更進(jìn)一步地包含在第一半導(dǎo)體層上沉積介電硬罩(hm)層；形成圖案在介電硬罩層，以形成位在第一區(qū)域上的開口；并且朝基板延伸開口。這方法更進(jìn)一步地包含，在開口中磊晶成長第二半導(dǎo)體層，其摻雜第四摻雜物，且第一和第四摻雜物為相同型態(tài)；而且第二半導(dǎo)體層的表面，高于第二區(qū)域正上方的第一半導(dǎo)體層的表面，低于高于第二區(qū)域正上方的介電硬罩層的表面。這方法更進(jìn)一步地包含移除介電硬罩層；以及執(zhí)行第一化學(xué)機(jī)械平坦化制程以將第一和第二半導(dǎo)體層二者皆平坦化。

本揭露內(nèi)容的另一態(tài)樣為針對形成半導(dǎo)體裝置的方法。這方法包含形成半導(dǎo)體基板，其中半導(dǎo)體基板包含第一區(qū)域，以及鄰接于第一區(qū)域的第二區(qū)域；第一和第二區(qū)域分別地?fù)诫s第一和第二摻雜物，且第一和第二摻雜物為相反型態(tài)。這方法更進(jìn)一步地包含在基板上沉積介電硬罩(hm)層；在介電硬罩層上形成圖案，以形成暴露第二區(qū)域的第一開口；并且經(jīng)由第一開口，在第二區(qū)域形成凹陷。這方法更進(jìn)一步地包含在基板上且在第一開口中，磊晶成長第一半導(dǎo)體層，其中第一半導(dǎo)體層摻雜第三摻雜物，第一和第三摻雜物為相反型態(tài)，而且其中，第一半導(dǎo)體層的上表面，高于位在第一區(qū)域正上方的介電硬罩層的上表面。這方法更進(jìn)一步地，包含對第一半導(dǎo)體層執(zhí)行第一化學(xué)機(jī)械平坦化制程，其中第一化學(xué)機(jī)械平坦化制程停止于第一硬罩層上。這方法更進(jìn)一步地包含，在第一區(qū)域之上且在第一半導(dǎo)體層之上，沉積第二介電硬罩層；在第二介電硬罩層形成圖案，以在第一區(qū)域上形成第二開口；且朝半導(dǎo)體基板延伸第二開口，因而部分地移除第一區(qū)域。這方法更進(jìn)一步地包含，在第二開口中，磊晶成長第二半導(dǎo)體層，其中將第四摻雜物摻雜入第二半導(dǎo)層，且第一和第四摻雜物為同型，而且第二半導(dǎo)體層的表面，高于位在第一區(qū)域正上方的第二半導(dǎo)體層的表面，低于位在第二區(qū)域正上方的介電硬罩層的表面。這方法更進(jìn)一步地包括執(zhí)行第二化學(xué)機(jī)械平坦化制程移除第二介電硬罩層，以暴露第一和第二半導(dǎo)體層；并且執(zhí)行第三化學(xué)機(jī)械制程，以將第一和第二半導(dǎo)體層二者皆平坦化。

本揭露內(nèi)容的又另一態(tài)樣為針對半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置包含具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的半導(dǎo)體基板，其中第一和第二區(qū)域分別地?fù)诫s第一和第二摻雜物。半導(dǎo)體裝置更進(jìn)一步地包含突出于第一區(qū)域的第一鰭狀物；突出于第二區(qū)域的第二鰭狀物；以及介于相鄰第一及第二鰭狀物的隔離結(jié)構(gòu)。每一個(gè)第二鰭狀物包含位在第一區(qū)域的一部分上的第一半導(dǎo)體層；且更進(jìn)一步地包含位在第一半導(dǎo)體層上的二半導(dǎo)體層。第一半導(dǎo)體層以第三摻雜物摻雜，其與第二摻雜物為同型。第二半導(dǎo)體層以第四摻雜物摻雜，其與第一摻雜物為同型。

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。

附圖說明

本揭露內(nèi)容的各個(gè)方面，可由以下詳細(xì)的描述及伴隨的附圖而有最佳的理解。要強(qiáng)調(diào)的是，按照在業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)做法，各個(gè)特征并不是按比例繪制。事實(shí)上，為了討論上的清楚性，可能任意地增加或減少各個(gè)特征的尺寸。

圖1a和圖1b，為根據(jù)本揭露內(nèi)容的各方面，半導(dǎo)體裝置的形成方法的流程圖。

圖2a、2b、2c、2d、2e、2f、2g、2h、2i、2j、2k、2l、2m、2n、2o、2p、2q、2r，為根據(jù)實(shí)施方式和圖1a及1b的方法，在各個(gè)制造階段中，半導(dǎo)體裝置的一部分的剖面圖。

圖3a、3b、3c為根據(jù)本揭露內(nèi)容的各方面，另一個(gè)形成半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖。

圖4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4h、4i、4j、4k、4l、4m、4n、4o、4p、4q、4r，為根據(jù)實(shí)施方式和圖3a及3b的方法，在各個(gè)制造階段中，半導(dǎo)體裝置的一部分的剖面圖。

其中，附圖標(biāo)記

10：方法

12、14、14a、16、18、18a、20、20a、22、22a、24、26、28、30：操作

100：裝置

102：基板

104：介電層

106：阻擋圖案

107：開口

108：離子布植制程

110：第一區(qū)域

112：介電層

114：阻擋圖案

115：開口

116：離子布植制程

118：第二區(qū)域

120：半導(dǎo)體層

120’：半導(dǎo)體層

122：化學(xué)機(jī)械平坦化制程

124：介電硬罩層

126：阻擋圖案

127：開口

128：半導(dǎo)體層

130、132：化學(xué)機(jī)械平坦化制程

134：氧化物襯墊層

136：氮化硅襯墊層

137：溝槽

140、142：鰭狀物

50：方法

52、54、56、58、60：操作

200：裝置

202：介電硬罩層

204：阻擋圖案

205：開口

206：化學(xué)機(jī)械平坦化制程

208：介電硬罩層

209：開口

210：阻擋圖案

h1、h120、h124、h128、h202、h208：厚度

s110、s118、s120、s124、s128、s202：表面

具體實(shí)施方式

為了實(shí)施所申請標(biāo)的種種不同特征，以下揭露內(nèi)容提供許多不同的實(shí)施方式及實(shí)施例。為了簡化本揭露內(nèi)容，以下描述元件和其配置的特定的實(shí)施例。當(dāng)然這些僅是實(shí)施例，目的不在于限制。例如，在描述中提及形成第一特征高于或位在第二特征上方，之后可能有實(shí)施方式，其中的第一特征和第二特征以直接接觸的方式形成，也可能有實(shí)施方式，其中有額外的特征形成于第一和第二特征之間，因而第一和第二特征可能不是直接接觸。此外，本揭露內(nèi)容在各個(gè)實(shí)施例中，可能重復(fù)標(biāo)號和/或字母。這樣的重復(fù)，是為了簡化和清楚起見，并不表示在所討論的各個(gè)實(shí)施方式和/或配置中，彼此之間有關(guān)系存在。

此外，為了簡化描述以在所繪示的圖式中，形容一個(gè)元件或特征與另一個(gè)元件或特征的關(guān)系，空間上相對性的用語，如「下面」、「下」、「低于」、「上面」、「高于」等類似的用語，可能在此使用。除了在圖式中所繪示的方位以外，空間上相對性的用語目的在于，包含正在使用或操作中的裝置的不同的方位。這些設(shè)施可能有其他的方位(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位)，并且在此使用的空間相對描述用語可據(jù)此相應(yīng)地解釋。

本揭露內(nèi)容大致上涉及半導(dǎo)體裝置制造的方法，特別是對于鰭式場效晶體管，形成半導(dǎo)體鰭狀物的方法。根據(jù)本揭露內(nèi)容的實(shí)施方式，半導(dǎo)體鰭狀物包含一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體層面。這一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體層面為以磊晶生長而成的薄層，因此，相對于應(yīng)變松馳緩沖(srb)方式，減少了材料的成本。其中一些半導(dǎo)體層面為局部性的成長，而不是在整個(gè)晶圓上成長，預(yù)防了剖面圖形缺失。更進(jìn)一步地，這一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體層面沒有具有介面層的側(cè)壁介面，減少了介面的缺陷，而改善磊晶膜的品質(zhì)。本揭露內(nèi)容的實(shí)施方式可容易地整合至現(xiàn)有的制造流程，特別是互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)裝置的制造。一個(gè)具有通常技藝的人士可體認(rèn)到，其他半導(dǎo)體制造的流程和裝置，可從本揭露內(nèi)容中受益。

圖1a和1b，為根據(jù)本揭露內(nèi)容的各方面，顯示方法10的流程，其用以形成半導(dǎo)體裝置100。圖3a、3b、3c，為根據(jù)本揭露內(nèi)容的各方面，顯示方法50的流程，其用以形容半導(dǎo)體裝置200。方法50可被視為方法10的一個(gè)實(shí)施方式，之后會詳細(xì)討論。方法10和方法50僅是實(shí)施例，目的并不在于以本揭露內(nèi)容去限制在權(quán)利要求范圍中所明確列舉的事項(xiàng)。可在方法10和方法50之前、之中、之后，進(jìn)行額外的操作，而且所描述的一些操作可被置換、刪減；或是這些操作，在這些方法的額外的實(shí)施方式中可被重新定位。如下的方法10的描述，結(jié)合了圖2a至2r，其顯示了半導(dǎo)體裝置100的一部分，在制造的各中間階段的剖面視圖。如下的方法50的描述，結(jié)合了圖4a至4r，其顯示了半導(dǎo)體裝置200的一部分，在制造的各中間階段的剖面視圖。

之后將顯示，半導(dǎo)體裝置100和200，在很多方面是類似的。半導(dǎo)體裝置100和200二者皆可被納入至一集成電路，例如：微處理器，記憶裝置，和/或其他集成電路，其可包括被動(dòng)元件，例如電阻、電容、感應(yīng)器，和主動(dòng)元件，例如p-型場效晶體管(pfet)、n-型場效晶體管(nfet)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(mosfet)、互補(bǔ)式屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)晶體管、雙極性晶體管、高電壓晶體管、高頻率晶體管、多柵極場效晶體管，其包含鰭式場效晶體管，和這些裝置的組合。

參看圖1a，在操作12，方法10提供(或被提供)裝置100的前趨物，前趨物包含基板102，其具有第一區(qū)域110和第二區(qū)域118(圖2f)。第一區(qū)域110和第二區(qū)域118以相反類型的摻雜物摻雜。在實(shí)施方式中，基板102可能是半導(dǎo)體基板，例如硅基板?；?02可能包括其他半導(dǎo)體，例如鍺；復(fù)合半導(dǎo)體例如：半導(dǎo)體如碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦，和/或銻化銦；合金半導(dǎo)體，例如磷砷化鎵、砷化銦鋁、砷化鋁鎵、砷化銦鎵、磷化銦鎵、和/或砷磷化鎵銦，或這些化合物的組合。進(jìn)一步地，基板102可選擇性地包含磊晶層，其被施以應(yīng)力以增強(qiáng)性能，包括絕緣層覆硅結(jié)構(gòu)，和/或其他合適的增益結(jié)構(gòu)。

在一實(shí)施方式中，第一區(qū)域110和第二區(qū)域118，為鄰接并且可能互相重疊。例如，在基板102中，第一區(qū)域110和第二區(qū)域118可設(shè)置成p-n接面。在另一實(shí)施方式中，第一區(qū)域110和第二區(qū)域118沒有鄰接。第一區(qū)域110以第一型摻雜物摻雜，第二區(qū)域以第二型摻雜物摻雜。在一實(shí)施方式中，第一型摻雜物是p-型摻雜物，例如硼、銦、另一種適宜的p型摻雜物、或其組合；而第二型摻雜物是n-型摻雜物，例如磷、砷、另一個(gè)合適的n-型摻雜物、或其組合。在另一個(gè)實(shí)施方式中，第一型摻雜物是n-型摻雜物，而第二型摻雜物是p-型摻雜物。

在圖2f中所顯示的裝置100可能以許多種制程形成。圖2a至2e繪示了一個(gè)實(shí)施例的制程。參看圖2a，沉積介電層104于基板102上，此時(shí)基板102尚未摻雜第一和第二摻雜物。經(jīng)由光刻制程，阻擋(或光阻)圖案106形成在介電層104上。在一實(shí)施方式中，介電層104為底部抗反射涂覆(barc)層，且能以化學(xué)氣相沉積(cvd)、電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pecvd)、物理氣相沉積(pvd)、或其他合適的技術(shù)。在一實(shí)施例中，光刻制程可包括旋轉(zhuǎn)涂布阻擋層于介電層104之上，將阻擋層曝光形成圖案，執(zhí)行曝光后的烘烤制程，而將阻擋層形成阻擋圖案106。阻擋圖案106提供一個(gè)或多個(gè)開口107，其暴露介電層104。

參看圖2b，蝕刻介電層104，經(jīng)由開口107以暴露基板中的第一區(qū)域110。蝕刻介電層104可用干蝕刻制程、濕蝕刻制程、或其他合適的蝕刻技術(shù)。例如，執(zhí)行干蝕刻的制程可用含氧的氣體、含氟的氣體(如：四氟化碳(cf4)、六氟化硫(sf6)、二氟甲烷(ch2f2)、三氟甲烷(chf3)、和/或六氟乙烷(c2f6))、含氯的氣體(如：氯氣(cl2)、三氯甲烷(chcl3)、四氯化碳(ccl4)、和/或三氯化硼(bcl3))、含溴的氣體(如：溴化氫(hbr)和/或三溴甲烷(chbr3))、含碘的氣體、或其他合適的氣體和/或電漿、和或這些物質(zhì)的組合。例如，濕蝕刻的制程可包括蝕刻進(jìn)行于稀釋的氫氟酸(dhf)、氫氧化鉀(koh)溶液、氨、含氫氟酸(hf)的溶劑、硝酸(hno3)、和/或乙酸(ch3cooh)；或其他合適的濕蝕刻劑。

仍參看圖2b，在第一區(qū)域110暴露于開口107中之后，方法10執(zhí)行離子布植制程108，將第一型摻雜物摻雜至第一區(qū)域110。

參看圖2c，移除阻擋圖案106和介電層104，例如分別可由光阻剝離制程和蝕刻制程來做移除。方法10可選擇性地執(zhí)行退火制程以活化在第一區(qū)域110中的第一摻雜物。

參看圖2d，另一個(gè)介電層112沉積在基板102上，而且另一個(gè)阻擋圖案114形成在介電層112上。介電層112和阻擋圖案114的材質(zhì)和形成，可能分別類似于介電層104和阻擋圖案106的材質(zhì)和形成。阻擋圖案114提供一個(gè)或多個(gè)開口115，其暴露介電層112。

參看圖2e，經(jīng)由開口115蝕刻介電層112，而暴露基板102中的第二區(qū)域118。隨后，方法10執(zhí)行另一個(gè)離子布植制程116，將第二摻雜物摻雜至第二區(qū)域118。參看圖2f，移除阻擋層114和介電層112。在一實(shí)施方式中，方法10執(zhí)行退火制程以活化第一區(qū)域110和第二區(qū)域118的摻雜物。

在操作14，方法10(圖1a)沉積半導(dǎo)體層120(圖2g)于基板120上。參看圖2g，在現(xiàn)有實(shí)施方式中，利用磊晶生長制程，半導(dǎo)體層120沉積于基板102的全表面(如：整個(gè)晶圓)上。磊晶生長制程可能是原子束磊晶(mbe)制程、化學(xué)氣相沉積制程，例如金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(mocvd)制程、或低壓化學(xué)氣相沉積(lpcvd)制程、和/或其他合適的磊晶生長制程。更進(jìn)一步地，半導(dǎo)體層120成長至厚度h120，其范圍從50納米(nm)至200納米，這厚度相當(dāng)上薄于在典型應(yīng)變松馳緩沖(srb)方式中的磊晶層，其厚度通常多于1微米(μm)。在應(yīng)變松馳緩沖方式中，厚的磊晶層一般上常見其帶有剖面圖案缺陷，而薄的半導(dǎo)體層120不受此缺陷的影響。

更進(jìn)一步地，半導(dǎo)體層120原位地或異位地(相對于磊晶生長制程)摻雜以第三摻雜物，其中第一和第三摻雜物為相反型態(tài)(如：第二和第三摻雜物為相同型態(tài))。在一實(shí)施方式中，第三摻雜物是n-型摻雜物，例如磷、砷、其他合適的n-型摻雜物、或是其組合；半導(dǎo)體層120包含硅、磷化硅、磷化碳硅、鍺、或iii族v族例如磷化銦、砷化鎵、砷化鋁、砷化銦、砷化銦鋁、砷化鎵銦。在另一實(shí)施方式中，第三摻雜物是p-型摻雜物，例如硼、銦、另一種合適的p-型摻雜物，或其組合；且半導(dǎo)體層120包含硅、硅鍺、鍺、或iii族v族半導(dǎo)體如銻化銦、銻化鎵、銦銻化鎵。

在操作16中，方法10(圖1a)，對半導(dǎo)體層(120)執(zhí)行化學(xué)機(jī)械平坦化(cmp)制程122，以將半導(dǎo)體層120的上表面平坦化(圖2h)。在一實(shí)施方式中，操作16是選擇性的，只執(zhí)行于當(dāng)半導(dǎo)體層120的表面粗糙度的平均值的平方根rq大于一閥值時(shí)，例如0.5納米。在替換性的實(shí)施方式中，對于操作16，可用不同的閥值或是不同的閥值測量。在一實(shí)施方式中，化學(xué)機(jī)械平坦化制程122使用適合研磨半導(dǎo)層120的軟性研磨墊和漿料。在更進(jìn)一步的實(shí)施方式中，藉由光學(xué)測量工具整合至化學(xué)機(jī)械平坦化工具，執(zhí)行化學(xué)機(jī)械平坦化且做封閉式回路控制，因而一旦所期待的半導(dǎo)體層120的表面粗糙度達(dá)成時(shí)，化學(xué)機(jī)械平坦化制程會及時(shí)停止。在一替換性的實(shí)施方式中，使用計(jì)時(shí)器模式控制化學(xué)機(jī)械平坦化，以達(dá)成理想的半導(dǎo)體層120的表面粗糙度。

在操作18，方法10(圖1a)沉積介電硬罩(hm)層124在第一半導(dǎo)體層120上(圖2i)。在本實(shí)施方式中，介電硬罩層124沉積成一個(gè)薄的硬罩層，其厚度h124范圍從5納米至50納米。在實(shí)施方式中，介電硬罩層124可包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮化碳硅、氮氧化碳硅、或其他合適的介電材料。介電硬罩層124的形成可使用熱氧化、化學(xué)氣相沉積、電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pecvd)、物理氣相沉積、原子層沉積(ald)，或其他合適的技術(shù)。在本實(shí)施方式中，介電硬罩層124沉積在第一半導(dǎo)體層120的全表面上。

在操作20，方法10(圖1a)在介電硬罩層124形成圖案，以在第一區(qū)域110上方形成開口127(圖2j和2k)。參看圖2j，阻擋圖案126形成在介電硬罩層124上且提供了開口127。阻擋圖案126的圖案化制程類似于阻擋圖案106的圖案化制程(圖2a)。參看圖2k，經(jīng)由開口127蝕刻介電硬罩層124，以暴露半導(dǎo)體層120。之后移除阻擋圖案126，例如藉由光阻剝離制程。蝕刻介電硬罩層124可用干蝕制程、濕蝕刻制程、原子層蝕刻制程、或其他合適的技術(shù)。

在操作22，方法10(圖1a)朝基板102延伸了開口127。參看圖2l，開口127的延伸是經(jīng)由蝕刻下方的材料層，包括半導(dǎo)體層120和第一區(qū)域110。在一實(shí)施方式中，經(jīng)由開口127，局部地蝕刻半導(dǎo)體層120。在第一區(qū)域110上的半導(dǎo)體層120剩下的部分可以利用以做裝置性能的精細(xì)調(diào)整，例如減少裝置漏電，和平衡介于n-型和p-型金屬氧化物(mos)裝置間的回路特征。在另一個(gè)實(shí)施方式中，經(jīng)由開口127，完整地移除在第一區(qū)域110之上的半導(dǎo)體層120的部分。在又另一個(gè)實(shí)施方式中，不僅是在第一區(qū)域110之上的半導(dǎo)體層120的部分完整地被移除，且經(jīng)由開口127，第一區(qū)域110也部分地被移除。在實(shí)施方式中，在第一區(qū)域110上方的半導(dǎo)體層120的剩余部分，具有厚度h1，其范圍從0納米至大約50納米。在一實(shí)施方式中，蝕刻半導(dǎo)體層120和選擇性地蝕刻第一區(qū)域110，為利用干蝕刻制程。利用計(jì)時(shí)器模式以控制蝕刻，達(dá)到所期望的h1厚度，或是假如h1是0納米，達(dá)到所期望的第一區(qū)域110的厚度。在蝕刻制程中，介電硬罩層124保護(hù)位在第二區(qū)域118之上的半導(dǎo)體層120。在本揭露內(nèi)容，開口127也稱為半導(dǎo)體溝槽127，因?yàn)樵谒牡撞亢蛡?cè)壁被半導(dǎo)體材料所圍繞(開口127的上部是鄰接于介電硬罩層124，但這部分不明顯，將在之后討論)。

在操作24，方法10(圖1b)沉積第二半導(dǎo)體層128在開口127中(圖2m)，其與半導(dǎo)體層120或是第一區(qū)域110形成介面(見以上操作22的討論)。參看圖2m，半導(dǎo)體層128的表面s128，高于在第二區(qū)域118之上的半導(dǎo)體層120的表面s120，且低于第二區(qū)域118之上的介電硬罩層124的表面s124。更進(jìn)一步地，一小部分的半導(dǎo)體128可能沉積在介電硬罩層124之上。

半導(dǎo)體層128以第四摻雜物摻雜，其中第一和第四摻雜物為相同型態(tài)(如：都是n-型摻雜物或都是p-型摻雜物)。在一實(shí)施方式中，沉積半導(dǎo)體層128，使用磊晶成長制程，其可能是原子束磊晶(mbe)制程、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(mocvd)制程、低壓化學(xué)氣相沉積(lpcvd)制程、或其他合適的磊晶成長制程。半導(dǎo)體層128原位或異位地以第四摻雜物摻雜。沉積半導(dǎo)體層128至厚度h128，其范圍從30納米至150納米。要注意的是，半導(dǎo)體層128直接與半導(dǎo)體材料(半導(dǎo)體層120，或是第一區(qū)域110)形成介面。因此，相較于由典型的鰭狀物置換方式的磊晶層，半導(dǎo)體層128的介面缺陷較少。之后將會顯示，在后續(xù)的化學(xué)機(jī)械平坦化制程中，將會移除介于半導(dǎo)層128和介電硬罩層124之間的小介面部分。

在一實(shí)施方式中，第四摻雜物為n-型摻雜物，例如磷、砷、另一個(gè)合適的n-型摻雜物、或其組合；半導(dǎo)體層128包含硅、磷化硅、磷化碳硅，鍺、或iii族v族半導(dǎo)體如磷化銦、砷化鎵、砷化鋁、砷化銦、砷化鋁銦、砷化鎵銦。在另一實(shí)施方式中，第四摻雜物為p-型摻雜物，例如硼、銦、另一個(gè)合適的p-型摻雜物、或其組合；半導(dǎo)體層128包括硅、硅鍺、鍺、或iii族v族半導(dǎo)體如銻化銦、銻化鎵、銻化鎵銦。

在操作26，方法10(圖1b)移除介電硬罩層124。在一實(shí)施方式中，操作26執(zhí)行化學(xué)機(jī)械平坦化制程130以移除介電硬罩層124，在其中，化學(xué)機(jī)械平坦化制程130停止于半導(dǎo)體層120和128(圖2n)。在本實(shí)施方式中，調(diào)整化學(xué)機(jī)械平坦化制程130，使移除介電硬罩層124快于移除半導(dǎo)體層120和128，如：介電硬罩層124的移除率高于半導(dǎo)體層120和128的移除率。例如：調(diào)整化學(xué)機(jī)械平坦化制程130，使其移除介電硬罩層124的速率為移除導(dǎo)體層120和128的速率的10倍。半導(dǎo)體層120和128的移除速率大約相等。這是為了確保在移除介電硬罩層124時(shí)，第二半導(dǎo)體層128不會遭受太多膜層損失，雖然還是有一些膜層損失。

在實(shí)施方式中，前述的化學(xué)機(jī)械平坦化制程，要調(diào)整移除的速率上的選擇性，可由選擇適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)機(jī)械平坦化耗材，例如化學(xué)機(jī)械平坦化研磨墊、化學(xué)機(jī)械平坦化漿料、化學(xué)機(jī)械平坦化調(diào)節(jié)劑。例如，可根據(jù)要移除的材料，選擇化學(xué)機(jī)械平坦化研磨墊(如：孔狀和/或溝狀)的結(jié)構(gòu)和它的材料特性(如：硬度)。例如，典型的化學(xué)機(jī)械平坦化漿料包括磨料，ph調(diào)節(jié)劑，和一種或多種添加劑，如氧化劑、配位劑、腐蝕抑制劑、分散劑?？筛鶕?jù)要移除的材料，調(diào)整化學(xué)機(jī)械平坦化漿料的各個(gè)不同成分。在本實(shí)施方式中，化學(xué)機(jī)機(jī)研磨制程130使用硬式化學(xué)機(jī)械平坦化研磨墊，和選擇性移除介電硬罩層124材料的化學(xué)機(jī)械平坦化漿料。在更進(jìn)一步的實(shí)施方式中，化學(xué)機(jī)械平坦化制程使用馬達(dá)轉(zhuǎn)矩端點(diǎn)檢測模式，以檢測半導(dǎo)體層120是否暴露。這確?；瘜W(xué)機(jī)械平坦化制程及時(shí)地停止在半導(dǎo)體層128和120的上表面。在本實(shí)施方式中，當(dāng)化學(xué)機(jī)械平坦化制程130停止時(shí)，半導(dǎo)體層128的表面s128(現(xiàn)在的上表面)仍然高于半導(dǎo)體層120的表面s120。在另一實(shí)施方式中，操作26可用蝕刻制程取代化學(xué)機(jī)械平坦化制程，移除介電硬罩層124，其中，蝕刻制程對于介電硬罩層124是選擇性的。

在操作28，方法10(圖1b)執(zhí)行化學(xué)機(jī)械平坦化制程132，以將半導(dǎo)體層120和128的上表面平坦化(圖2o)。參看圖2o，化學(xué)機(jī)械平坦化制程132同時(shí)研磨半導(dǎo)體層120和128。在本實(shí)施方式中，調(diào)整化學(xué)機(jī)械平坦化制程132，以使移除半導(dǎo)體層128，稍微地快于半導(dǎo)體層120；因?yàn)楫?dāng)化學(xué)機(jī)械平坦化制程開始時(shí)，上表面s128稍微高于上表面s120。例如：可調(diào)整化學(xué)機(jī)械平坦化制程132，使得移除半導(dǎo)體層128的速率是移除半導(dǎo)體層120的1至5倍。調(diào)整半導(dǎo)體層120和128之間化學(xué)機(jī)械平坦化方面的選擇性，可選擇適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)機(jī)械平坦化耗材，例如前述的化學(xué)機(jī)械平坦化研磨墊、化學(xué)機(jī)械平坦化漿料、化學(xué)機(jī)械平坦化調(diào)節(jié)劑。在各個(gè)不同的實(shí)施方式中，對于化學(xué)機(jī)械平坦化制程132，半導(dǎo)體層120和128中的材料是類似的，化學(xué)機(jī)械平坦化制程132可有效地同時(shí)將這兩個(gè)半導(dǎo)體層平坦化。在本實(shí)施方式中，化學(xué)機(jī)械平坦化制程132使用軟式的化學(xué)機(jī)械平坦化研磨墊，和調(diào)整化機(jī)械研磨漿料以研磨半導(dǎo)體層120和128。在更進(jìn)一步的實(shí)施方式中，使用計(jì)時(shí)器模式，以控制化學(xué)機(jī)械平坦化制程132的持續(xù)時(shí)間。當(dāng)化學(xué)機(jī)械平坦化制程132停止時(shí)，半導(dǎo)體層128的上表面s128，和半導(dǎo)體層120的上表面s120，相當(dāng)程度上是共平面的。要注意的是，在本實(shí)施方式中，藉由化學(xué)機(jī)械平坦化制程130和132，移除了半導(dǎo)體層128和介電硬罩層124之間交界的那一部分(圖2m)。半導(dǎo)體層128的剩余部分制成半導(dǎo)體溝槽127，因而，相較于在典型鰭狀物置換方式中的磊晶層，減少了介面缺陷。

在操作30，方法10(圖1b)進(jìn)行至更進(jìn)一步的步驟以形成最終裝置100。在本實(shí)施方式中，裝置100為鰭式場效晶體管裝置。進(jìn)一步地，本實(shí)施方式中，操作30包含利用半導(dǎo)體層120、128，和第一區(qū)域110、第二區(qū)域118，形成鰭狀物。一個(gè)實(shí)施例的鰭狀物形成制程繪示在圖2p至2r，且之后將簡短討論。

參看圖2p，在半導(dǎo)體層120和128之上，沉積氧化物襯墊層134和氮化硅襯墊層136，以做為毯覆層。之后，將層面136、134、128、120、118、110圖案化(經(jīng)由光刻和蝕刻制程)，以在基板102上提供鰭狀物140和142。鰭狀物140和142以溝槽137分隔。沉積氧化物襯墊層134和氮化硅襯墊層136，可使用化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、或其他合適的制程。蝕刻各個(gè)不同的層面可用濕蝕刻、干蝕刻、原子層蝕刻、或其他合適的蝕刻技術(shù)。

參看圖2q，在鰭狀物140和142之上，沉積隔離層138，且填滿溝槽137。隔離層138包含介電的材料，例如氧化硅，其在電性上將鰭狀物140和142分隔。形成隔離層138可用化學(xué)氣相沉積、電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pecvd)、物理氣相沉積、流動(dòng)式化學(xué)氣相沉積、熱氧化、或其他技術(shù)。執(zhí)行化學(xué)機(jī)械平坦化將隔離層138平坦化，且停止于氮化硅襯墊層136。之后，藉由一個(gè)或多個(gè)選擇性蝕刻制程，移除氮化硅襯墊層136和氧化物襯墊層134，以暴露半導(dǎo)體層120和128。

參照圖2r，逆向蝕刻隔離層138，以使得半導(dǎo)體層120和128的一部分位在隔離層138的上表面之上。如圖2r所示，鰭狀物140突出于第一區(qū)域110，鰭狀物142突出于第二區(qū)域118。每一個(gè)鰭狀物142，包含了位在第二區(qū)域118之上的半導(dǎo)體層120的一部分。每一個(gè)鰭狀物140，包含了位在第一區(qū)域110之上的半導(dǎo)體層120的一部分120’，且包含了一部分的半導(dǎo)體層128。如前所述，在各個(gè)實(shí)施方式中，為了精細(xì)地調(diào)整裝置100的性能，120’的厚度從0納米至50納米。更進(jìn)一步地，基板區(qū)域110和118，以及半導(dǎo)體層120和128，各自摻雜以第一、第二、第三、第四摻雜物。第一和第四摻雜物為相同型態(tài)，其相對于第二和第三摻雜物的型式。在一實(shí)施方式中，第一和第四摻雜物為n-型摻雜物，而第二和第三摻雜物為p-型摻雜物。在另一實(shí)施方式中，第一和第四摻雜物為p-型摻雜物，而第二和第三摻雜物為n-型摻雜物。如前述討論的，所提供的半導(dǎo)體鰭狀物140和142具有高品質(zhì)的磊晶膜。與使用典型鰭狀物置換方式沉積而成的磊晶層相比，半導(dǎo)體鰭狀物140和142未遭受常見于那些磊晶層中的介面缺陷。

圖3a至3c顯示了形成半導(dǎo)體裝置200的方法50的流程圖。方法50為方法10的實(shí)施方式，且半導(dǎo)體裝置200為半導(dǎo)體裝置100的實(shí)施方式。為了簡化起見，省略或節(jié)略許多方法50和裝置200的細(xì)節(jié)，這些可由參看前述的方法10和裝置100得知。

參看圖3a，在操作12，如圖4a所示，方法50提供裝置200的前趨物，其包括具有第一區(qū)域110和第二區(qū)域118的基板102。第一區(qū)域110和第二區(qū)域118各自以第一和第二摻雜物摻雜。形成圖4a的裝置200，可用如前所討論且繪示于圖2a至2f的制程。

在操作52，方法50(圖3a)沉積介電硬罩層202在基板102上(如：在第一區(qū)域110和第二區(qū)域118之上)。參看圖4b，在本實(shí)施方式中，沉積介電硬罩層202至厚度h202，范圍從5納米至50納米。在各個(gè)不同的實(shí)施方式中，介電硬罩層202可包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮化碳硅、氮氧化碳硅、或其他合適的介電材料。形成介電硬罩層202可使用熱氧化、化學(xué)氣相沉積、電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積、或其他合適的技術(shù)。在本實(shí)施方式中，沉積介電硬罩層202在基板102的全表面上。

在操作54，方法50(圖3a)在介電硬罩層202上形成圖案，以提供開口205，其暴露第二區(qū)域118(圖4c和4d)。這牽涉到一個(gè)或多個(gè)光刻或蝕刻制程。例如，光刻制程在裝置200上形成阻擋圖案204，其中，阻擋圖案204在第二區(qū)域118上方提供了開口205(圖4c)。例如，經(jīng)由開口205，蝕刻制程蝕刻介電硬罩層202，因而暴露第二區(qū)域118(圖4d)。光刻制程和蝕刻制程與圖2a至2b、2d至2e、2j至2k所討論的制程相似。

在操作56，方法50(圖3a)經(jīng)由開口205在第二區(qū)域118形成凹陷。參看圖4e，移除部分的第二區(qū)域118，導(dǎo)致凹陷的第二區(qū)域118。在本實(shí)施方式中，操作56使用異向性干蝕刻制程。在一實(shí)施方式中，用計(jì)時(shí)器控制蝕刻的深度。在蝕刻制程中，介電硬罩層202保護(hù)裝置200的其他區(qū)域，包括第一區(qū)域110。在本揭露內(nèi)容中，開口205也稱作半導(dǎo)體溝槽205，因?yàn)樵谒牡撞亢蛡?cè)壁，被半導(dǎo)體材料所環(huán)繞(開口205的上方部分鄰接于介電硬罩層202，但這部分是不顯著的，之后將討論)。

在操作14a，方法50(圖3a)沉積半導(dǎo)體層120于開口205且在凹陷的第二區(qū)域118上方。在一實(shí)施方式中，形成半導(dǎo)體層120的制程類似于圖2g中的半導(dǎo)體層120。因此，操作14a可視為操作14(圖1a)的實(shí)施方式。操作14和14a的一個(gè)不同之處在于，操作14沉積半導(dǎo)體層120在裝置100的全表面上(圖2g)，而操作14a沉積半導(dǎo)體層120在裝置200的所選的局部區(qū)域，例如開口205(圖4f)。在圖4f，沉積半導(dǎo)體層120至厚度h120，范圍從50納米至200納米，并摻雜第三摻雜物，其與第二摻雜物為同型。更進(jìn)一步地，在本實(shí)施方式中，半導(dǎo)體層120的上表面s120高于介電硬罩層202的上表面s202。

在操作58，方法50(圖3a)執(zhí)行化學(xué)機(jī)械平坦化制程206，以將半導(dǎo)體層120的上表面s120平坦化(圖4g)?；瘜W(xué)機(jī)械平坦化制程倍止在介電硬罩層202的上表面s202。因此，上表面s120和s202相當(dāng)程度上是共平面的。在一實(shí)施方式中，調(diào)整化學(xué)機(jī)械平坦化制程206，使移除半導(dǎo)體層120，快于移除介電硬罩層202。例如，半導(dǎo)體層120的化學(xué)機(jī)械平坦化的移除速率至少比介電硬罩層202的化學(xué)機(jī)械平坦化的移除速率快十倍。如前述討論的，調(diào)整化學(xué)機(jī)械平坦化移除速率的選擇性，可藉由選擇適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)機(jī)械平坦化耗品，例如化學(xué)機(jī)械平坦化研磨墊、化學(xué)機(jī)械平坦化漿料、化學(xué)機(jī)械平坦化調(diào)理劑。在本實(shí)施方式中，化學(xué)機(jī)械平坦化制程206使用硬式研磨墊，和選擇用以移除半導(dǎo)體層120材料的化學(xué)機(jī)械平坦化漿料。在更一步的實(shí)施方式中，化學(xué)機(jī)械平坦化制程206使用馬達(dá)轉(zhuǎn)矩端點(diǎn)檢測模式來檢測半導(dǎo)體層120是否相當(dāng)程度上與介電硬罩層202為共平面。

在操作60，方法50(圖3b)移除第一區(qū)域之上的介電硬罩層202(圖4h)。在一實(shí)施方式中，理想的作法是移除介電硬罩層202后，再沉積另一個(gè)介電層(如同在操作18a所討論的)，這是因?yàn)樵诮?jīng)過化學(xué)機(jī)械平坦化制程206后，介電硬罩層可能不具有理想的一致性。移除介電硬罩層202可用濕蝕刻、干蝕刻、原子層蝕刻、或其他適的蝕刻技術(shù)。在一實(shí)施方式中，介電硬罩層202的移除，只限于所選的區(qū)域，例如直接位于第一區(qū)域110上方的區(qū)域。因此，介電硬罩層仍然覆蓋裝置200的其他區(qū)域。在移除介電硬罩層202之后，在第一區(qū)域110和半導(dǎo)體層120之間有一個(gè)位差，例如半導(dǎo)體層120的上表面s120高于第一區(qū)域110的上表面s110。

在操作18a，方法50(圖3b)沉積另一個(gè)介電硬罩層208在第一區(qū)域110和半導(dǎo)體層120上方(圖4i)。介電硬罩層可能包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮化碳硅、氮氧化碳硅、或另一個(gè)合適的介電材料；而且可能用熱氧化沉積、化學(xué)氣相沉積、電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積、或其他合適的技術(shù)。由于介于第一區(qū)域110和半導(dǎo)體層120之間的位差，為了覆蓋這個(gè)位差，介電硬罩層208沉積的厚度會相對上大于介電硬罩層202。在一實(shí)施方式中，沉積介電硬罩層208至厚度h208范圍從20納米至100納米。在更進(jìn)一步的實(shí)施方式中，介電硬罩層208的厚度在相當(dāng)程度上是一致的。如在圖4i所示，介電硬罩層208，沿著「z」字型方向，在第二區(qū)域118高于第一區(qū)域110。操作18a可被視為操作18的實(shí)施方式(圖1a)。

在操作20a，方法50(圖3b)在介電硬罩層208上形成圖案，以在第一區(qū)域110正上方形成開口209(圖4j和4k)。操作20a可被視為操作20的實(shí)施方式(圖1a)。如在圖4j所示，形成阻擋圖案210且其具有開口209。參看圖4k，經(jīng)由開口209，蝕刻介電硬罩層208，因此暴露第一區(qū)域110。

在操作22a，方法50(圖3b)朝基板102延伸開口209。操作22a可視為操作22的實(shí)施方式(圖1a)。參看圖4l，形成凹陷于第一區(qū)域110，導(dǎo)致凹陷的第一區(qū)域110。在各個(gè)不同的實(shí)施方式中，根據(jù)裝置效能的需求，凹陷的第一區(qū)域110之上表面s110可能相等、低于、高于第二區(qū)域118的上表面s118。在本實(shí)施方式中，這兩個(gè)表面s110和s118，相當(dāng)程度上是共平面的。在一實(shí)施方式中，操作22a使用干蝕刻制程和計(jì)時(shí)器模式以達(dá)到理想中的蝕刻深度。在本揭露內(nèi)容中，開口209也稱作半導(dǎo)體溝槽209，因?yàn)樗牡撞亢蛡?cè)壁被半導(dǎo)體材料圍繞(開口209的上部分鄰接于介電硬罩層208，但是這部分不明顯，之后將討論)。

在操作24，方法50(圖3b)，在開口209和凹陷的第一區(qū)域110上方，沉積半導(dǎo)體層128(圖4m)。更進(jìn)一步地，半導(dǎo)體層128摻雜第四摻雜物。這個(gè)操作相當(dāng)程度上與方法10的操作24(圖1b)相等。半導(dǎo)體層128厚度h128，范圍從30納米至150納米。半導(dǎo)體層128的表面s128高于半導(dǎo)體層120的上表面s120，但是低于位在第二區(qū)域118正上方的介電硬罩層208的上表面s208。值得注意的是，半導(dǎo)體120和128二者皆成長于由半導(dǎo)體材料所圍繞的開口。因此，相對于鰭狀物置換方式的磊晶層，相當(dāng)程度地減少了介于半導(dǎo)體層120(或128)和周圍材料之間的缺陷。

在操作26，方法50(圖3c)移除半導(dǎo)體層120之上的介電硬罩層208。在一實(shí)施方式中，操作26執(zhí)行化學(xué)機(jī)械平坦化制程130，以移除介電硬罩層208。參看圖4n，移除介電硬罩層208且暴露半導(dǎo)體層120和128。在另一實(shí)施方式中，操作26使用對于介電硬罩層208具選擇性的蝕刻制程，以移除介電硬罩層208。這個(gè)操作，相當(dāng)程度上等同于方法10的操作26(圖1b)。在本實(shí)施方式中，在完成此操作之后，表面s128(現(xiàn)在為半導(dǎo)體層128的上表面)稍后高于上表面s120。

在操作28，方法50(圖3c)執(zhí)行化學(xué)機(jī)械平坦化制程132以將半導(dǎo)體層120和128平坦化(圖4o)。這個(gè)操作，相當(dāng)程度上是等同于方法10的操作28(圖1b)。因此此操作的結(jié)果，上表面s128在相當(dāng)程度上，變成與上表面s120為共平面。值得注意的是，在本實(shí)施方式中，半導(dǎo)體層120和128的一部分，曾各自與介電硬罩層202(圖4f)和介電硬罩層208(圖4m)形成交界面；藉由化學(xué)機(jī)械平坦化制程130和132，移除所交界的這一部分。半導(dǎo)體層120和128的剩余部分，為分別地從半導(dǎo)體溝槽205和209成長而來；因而，與典型的鰭狀物置換方式形成的磊晶層相比，減少了介面缺陷。

在操作30，方法50(圖3c)進(jìn)行至更進(jìn)一步的步驟，以形成最終裝置200。在本實(shí)施方式中，裝置200為鰭式場效晶體管裝置。進(jìn)一步地，本實(shí)施方式中，操作30包含了利用半導(dǎo)體層120、128，以及第一區(qū)域110、第二區(qū)域118，形成鰭狀物結(jié)構(gòu)。對于裝置200，一個(gè)實(shí)施例性的鰭狀物形成制程，繪示于圖4p、4q、4r，且這個(gè)制程，相當(dāng)程度上分別地等同于繪示于圖2p、2q、2r的鰭狀物形成制程。

如在圖4r中所示，鰭狀物144從第一區(qū)域110突出，鰭狀物142從第二區(qū)域118突出。每一個(gè)鰭狀物142，包含位于第二區(qū)域118上的半導(dǎo)體層120的一部分。每一個(gè)鰭狀物144，包含位于第一區(qū)域110上的半導(dǎo)體層128的一部分。此外，以第一、第二、第三、第四摻雜物，分別地?fù)诫s至基板區(qū)域110、118，和半導(dǎo)體層120、128。第一和第四摻雜物為同型，其與第二和第三摻雜物為相反型態(tài)。在一實(shí)施方式中，第一和第四摻雜物為n-型摻雜物，而第二和第三摻雜物為p-型摻雜物。在另一實(shí)施方式中，第一和第四摻雜物為p-型摻雜物，而第二和第三摻雜物為n-型摻雜物。

雖然目的不在于造成限制，本揭露內(nèi)容的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，提供了許多半導(dǎo)體裝置和形成制程方面的優(yōu)點(diǎn)。例如，本揭露內(nèi)容的實(shí)施方式提供了半導(dǎo)體層的磊晶成長方法、半導(dǎo)體層平坦化的方法、蝕刻半導(dǎo)體層以形成鰭狀物的方法。與典型srb方式中的磊晶層相比，半導(dǎo)體層較薄，因而預(yù)防剖面圖型缺陷。更進(jìn)一步地，形成半導(dǎo)體層于半導(dǎo)體溝槽內(nèi)，而不是在介電質(zhì)溝槽內(nèi)；因而，與典型鰭狀物置換方式相比，減少了介面缺陷。本揭露內(nèi)容的實(shí)施方式，可以輕易地整合至現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造流程。

在一實(shí)施例的觀點(diǎn)中，本揭露內(nèi)容針對的是形成半導(dǎo)體裝置的方法。這方法包括提供半導(dǎo)體基板，其中半導(dǎo)體基板具有第一區(qū)域，和鄰接于第一區(qū)域的第二區(qū)域，第一區(qū)域和第二區(qū)域分別地?fù)诫s第一和第二摻雜物，且第一和第二摻雜物為相反型態(tài)。這方法，更進(jìn)一步地包含在基板上，磊晶成長第一半導(dǎo)體層，其摻雜第三摻雜物，且第三摻雜物和第一摻雜物為相反型態(tài)。這方個(gè)更進(jìn)一步地包含在第一半導(dǎo)體層上沉積介電硬罩(hm)層；形成圖案在介電硬罩層，以形成位在第一區(qū)域上的開口；并且朝基板延伸開口。這方法更進(jìn)一步地包含，在開口中磊晶成長第二半導(dǎo)體層，其摻雜第四摻雜物，且第一和第四摻雜物為相同型態(tài)；而且第二半導(dǎo)體層的表面，高于第二區(qū)域正上方的第一半導(dǎo)體層的表面，低于高于第二區(qū)域正上方的介電硬罩層的表面。這方法更進(jìn)一步地包含移除介電硬罩層；以及執(zhí)行第一化學(xué)機(jī)械平坦化制程以將第一和第二半導(dǎo)體層二者皆平坦化。

在一些實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法，在沉積介電硬罩層的步驟前，更進(jìn)一步包含，執(zhí)行第二化學(xué)機(jī)械平坦化制程于第一半導(dǎo)體層。

在一些實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法，更包含其中第二化學(xué)械械平坦化制程只執(zhí)行于當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體層的表面粗糙度rq大于0.5納米。

在一些實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法，更包含其中延伸開口時(shí)，部分地移除位于開口內(nèi)的第一半導(dǎo)體層。

在一些實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法，更包含延伸開口時(shí)，完全地移除位于開口內(nèi)的第一半導(dǎo)體層。

在一些實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法，更包含延伸開口，完全地移除位于開口內(nèi)的第一半導(dǎo)體層，且部分地移除位于開口內(nèi)的第一區(qū)域。

在一些實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法，更進(jìn)一步地，在磊晶成長第一半導(dǎo)體層前，包含：沉積另一個(gè)介電硬罩層在基板上，將此另一個(gè)介電硬罩層圖案化，以形成另一個(gè)開口，其暴露第二區(qū)域，以及將第二區(qū)域經(jīng)由另一個(gè)開口形成凹陷，且其中此半導(dǎo)體磊晶成長于此另一個(gè)開口內(nèi)。

在一些實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法，更包含其中第一半導(dǎo)體層的一上表面高于位在第一區(qū)域的另一個(gè)介電硬罩層的一上表面。

在一些實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法，更進(jìn)一步地包含，執(zhí)行第二化學(xué)機(jī)械平坦化制程于第一半導(dǎo)體層，其中第二化學(xué)機(jī)械平坦化制程停止于另一個(gè)介電硬罩層。

在一些實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中更包含調(diào)整第二化學(xué)機(jī)械平坦化制程，使移除第一半導(dǎo)層快于移除另一個(gè)介電硬罩層。

在一些實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法，在沉積介罩層之前，更進(jìn)一步地包含，移除位在第一區(qū)域上的另一個(gè)介電硬罩層，其中沉積介電硬罩層使其在第二區(qū)域高于在第一區(qū)域。

在一些實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法，更包含藉由第二化學(xué)機(jī)械平坦化制程，移除介電硬罩層。

在一些實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中更包含調(diào)整第二化學(xué)機(jī)械平坦化制程，使移除介電硬罩層至少為移除第一和第二半導(dǎo)體層的10倍。

在一些實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中更包含調(diào)整第一化學(xué)機(jī)械平坦化制程，使移除第二半導(dǎo)體層的速度為移除第一半導(dǎo)體層的1至5倍。

在另一個(gè)實(shí)施例的觀點(diǎn)中，本揭露內(nèi)容為針對形成半導(dǎo)體裝置的方法。這方法包含形成半導(dǎo)體基板，其中半導(dǎo)體基板包含第一區(qū)域，以及鄰接于第一區(qū)域的第二區(qū)域；第一和第二區(qū)域分別地?fù)诫s第一和第二摻雜物，且第一和第二摻雜物為相反型態(tài)。這方法更進(jìn)一步地包含在基板上沉積介電硬罩(hm)層；在介電硬罩層上形成圖案，以形成暴露第二區(qū)域的第一開口；并且經(jīng)由第一開口，在第二區(qū)域形成凹陷。這方法更進(jìn)一步地包含在基板上且在第一開口中，磊晶成長第一半導(dǎo)體層，其中第一半導(dǎo)體層摻雜第三摻雜物，第一和第三摻雜物為相反型態(tài)，而且其中，第一半導(dǎo)體層的上表面，高于位在第一區(qū)域正上方的介電硬罩層的上表面。這方法更進(jìn)一步地，包含對第一半導(dǎo)體層執(zhí)行第一化學(xué)機(jī)械平坦化制程，其中第一化學(xué)機(jī)械平坦化制程停止于第一硬罩層上。這方法更進(jìn)一步地包含，在第一區(qū)域之上且在第一半導(dǎo)體層之上，沉積第二介電硬罩層；在第二介電硬罩層形成圖案，以在第一區(qū)域上形成第二開口；且朝半導(dǎo)體基板延伸第二開口，因而部分地移除第一區(qū)域。這方法更進(jìn)一步地包含，在第二開口中，磊晶成長第二半導(dǎo)體層，其中將第四摻雜物摻雜入第二半導(dǎo)層，且第一和第四摻雜物為同型，而且第二半導(dǎo)體層的表面，高于位在第一區(qū)域正上方的第二半導(dǎo)體層的表面，低于位在第二區(qū)域正上方的介電硬罩層的表面。這方法更進(jìn)一步地包括執(zhí)行第二化學(xué)機(jī)械平坦化制程移除第二介電硬罩層，以暴露第一和第二半導(dǎo)體層；并且執(zhí)行第三化學(xué)機(jī)械制程，以將第一和第二半導(dǎo)體層二者皆平坦化。

在一些實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中更包含，第一摻雜物和第四摻雜物為p-型摻雜物，第二摻雜物和第三摻雜物為n-型摻雜物。

在一些實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中更包含：調(diào)整第一化學(xué)機(jī)械平坦化制程，使移除第一半導(dǎo)體層的速度快于移除介電硬罩層；調(diào)整第二化學(xué)機(jī)械平坦化制程，使移除第二介電硬罩層快于移除第一和第二半導(dǎo)體層；以及調(diào)整第三化學(xué)機(jī)械平坦化制程，使移除第二半導(dǎo)體層快于移除第一半導(dǎo)體層。

在又另一實(shí)施例的觀點(diǎn)中，本揭露內(nèi)容為針對半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置包含具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的半導(dǎo)體基板，其中第一和第二區(qū)域分別地?fù)诫s第一和第二摻雜物。半導(dǎo)體裝置更進(jìn)一步地包含突出于第一區(qū)域的第一鰭狀物；突出于第二區(qū)域的第二鰭狀物；以及介于相鄰第一及第二鰭狀物的隔離結(jié)構(gòu)。每一個(gè)第二鰭狀物包含位在第一區(qū)域的一部分上的第一半導(dǎo)體層；且更進(jìn)一步地包含位在第一半導(dǎo)體層上的二半導(dǎo)體層。第一半導(dǎo)體層以第三摻雜物摻雜，其與第二摻雜物為同型。第二半導(dǎo)體層以第四摻雜物摻雜，其與第一摻雜物為同型。

在一些實(shí)施方式中，所揭露的半導(dǎo)體裝置其中更包含，第一摻雜物和第四摻雜物為p-型摻雜物；以及第二摻雜物和第三摻雜物為n-型摻雜物。

前述內(nèi)容概述了數(shù)個(gè)實(shí)施方式的種種特征，所以在本領(lǐng)域中具一般技能者可更能理解本揭露內(nèi)容的觀點(diǎn)。那些本領(lǐng)域中具一般技能者應(yīng)該能理解他們可快速地利用本揭露內(nèi)容，作為設(shè)計(jì)或修改其他制程或結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)，以實(shí)現(xiàn)同樣的目的和/或達(dá)成此述實(shí)施方式同樣的優(yōu)點(diǎn)。那些本領(lǐng)域中具一般技能者應(yīng)該也體會出如此均等的建構(gòu)，并不偏離本揭露內(nèi)容的精神和范圍，而且他們可不偏離本揭露內(nèi)容的精神和范圍，進(jìn)行各種改變、取代、替換。

當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。