技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本揭露內(nèi)容的方法包含提供一半導(dǎo)體基板，其具有第一和第二區(qū)域，分別地?fù)诫s第一和第二摻雜物。第一和第二摻雜物為相反的型式。此方法更進一步地包含磊晶成長第一半導(dǎo)體層，其摻雜第三摻雜物。第一和第三摻雜物為相反的型式。此方法更進一步地包含在第一半導(dǎo)體層上沉積介電硬罩(HM)層；將介電硬罩層上圖案化，以在第一區(qū)域上形成開口；朝半導(dǎo)體基板延伸此開口；在此開口中磊晶成長第二半導(dǎo)體層。第二半導(dǎo)體層摻雜第四摻雜物。第一和第四摻雜物為相同型態(tài)。此方法更進一步地包含移除介電硬罩層；以及執(zhí)行第一化學(xué)機械平坦化制程，以將第一和第二半導(dǎo)體二者皆平坦化。

技術(shù)研發(fā)人員：林國楹;蔡騰群;林柏裕
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.25
技術(shù)公布日：2017.08.04