1.一種石墨烯改性導(dǎo)電銀漿，其特征在于，其主要由銀納米線、石墨烯材料、粘結(jié)劑和溶劑組成；所述石墨烯材料包括石墨烯、石墨烯納米片、生物質(zhì)石墨烯或氧化石墨烯的任意一種或至少兩種的組合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電銀漿，其特征在于，所述石墨烯材料為生物質(zhì)石墨烯；
優(yōu)選地，所述粘結(jié)劑包括樹(shù)脂類粘結(jié)劑，所述樹(shù)脂類粘結(jié)劑為環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、氯乙烯樹(shù)脂、醇酸樹(shù)脂、有機(jī)硅樹(shù)脂或纖維素類樹(shù)脂中的一種或至少兩種的組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電銀漿，其特征在于，所述銀納米線的含量為80～120重量份，石墨烯材料的含量為80～120重量份；
優(yōu)選地，所述銀納米線的含量為80～100重量份，石墨烯材料的含量為100～120重量份。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電銀漿，其特征在于，所述粘結(jié)劑的含量為180～220重量份，優(yōu)選180～200重量份。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電銀漿，其特征在于，所述溶劑包括去離子水、乙酸丁酯、磷酸三乙酯、乙醇、正丁醇、丁酮、異佛爾酮、甲苯或二甲苯中的一種或至少兩種的組合；
優(yōu)選地，所述導(dǎo)電銀漿中溶劑的含量為220～250重量份。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電銀漿，其特征在于，所述導(dǎo)電銀漿還包括纖維素；
優(yōu)選地，所述纖維素為羥乙基纖維素、羥丙基甲基纖維素、羧甲基纖維素、醋酸丁酸纖維素、乙基纖維素或乙基羥乙基纖維素中的一種或至少兩種的組合，進(jìn)一步優(yōu)選醋酸丁酸纖維素和/或乙基纖維素；
優(yōu)選地，所述導(dǎo)電銀漿中纖維素的含量為8～12重量份，優(yōu)選8～10重量份；
優(yōu)選地，所述導(dǎo)電銀漿還包括熱塑性樹(shù)脂；
優(yōu)選地，所述熱塑性樹(shù)脂為聚乙烯醇縮丁醛；
優(yōu)選地，所述導(dǎo)電銀漿中熱塑性樹(shù)脂的含量為8～12重量份，優(yōu)選10～12重量份；
優(yōu)選地，所述導(dǎo)電銀漿還包括助劑、固化劑或促進(jìn)劑中的任意一種或至少兩種的組合；
優(yōu)選地，所述助劑包括消泡劑、流平劑、抗氧化劑、防沉劑或分散劑的任意一種或至少兩種的組合；
優(yōu)選地，所述導(dǎo)電銀漿中助劑的含量為3～7重量份；
優(yōu)選地，所述固化劑為酸酐類固化劑，所述酸酐類固化劑包括六甲基苯酐、二甲酸酐、納迪克酸酐、順丁烯二酸酐及其加成物中的任意一種或至少兩種的組合；
優(yōu)選地，所述導(dǎo)電銀漿中固化劑的含量為8～12重量份；
優(yōu)選地，所述促進(jìn)劑包括咪唑類促進(jìn)劑，優(yōu)選2-甲基咪唑、1-芐基-2-乙基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑或1-氰乙基取代咪唑中的任意一種或至少兩種的組合；
優(yōu)選地，所述導(dǎo)電銀漿中促進(jìn)劑的含量為1～6重量份。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電銀漿，其特征在于，所述導(dǎo)電銀漿的方塊電阻為20～50mΩ·cm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電銀漿的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
(1)將銀納米線、石墨烯材料與一部分溶劑混合，研磨，得到混合物a；
(2)將粘結(jié)劑以及剩余溶劑混合均勻，得到混合物b；
(3)將步驟(1)制得的混合物a和步驟(2)制得的混合物b混合均勻，然后研磨，得到所述石墨烯改性導(dǎo)電銀漿；
優(yōu)選地，步驟(1)中還加入纖維素；
優(yōu)選地，步驟(2)中還需要加入熱塑性樹(shù)脂、助劑、固化劑和促進(jìn)劑的任意一種或至少兩種的組合。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述石墨烯材料為氧化石墨烯時(shí)，則在使用前對(duì)氧化石墨烯進(jìn)行還原操作，或者對(duì)所述混合物a、混合物b或者步驟(3)研磨后的混合物進(jìn)行還原操作；
優(yōu)選地，所述還原操作為利用還原劑進(jìn)行還原；
優(yōu)選地，所述還原劑為維生素C和/或水合肼。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述溶劑的用量為90～110份；
優(yōu)選地，步驟(1)和步驟(3)所述研磨為研磨至顆粒粒度在10微米以下。