本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)：

液晶顯示面板由于眾多優(yōu)點(diǎn)成為被廣泛應(yīng)用的一種顯示器件。液晶顯示面板主要包括陣列基板、彩膜基板及設(shè)置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶。陣列基板包括襯底基板和設(shè)置在襯底基板上的柵極金屬層、柵極絕緣層、有源層、源漏極層和鈍化層。

其中，柵極金屬層通常包括柵線和公共電極信號(hào)線，在完成鈍化層的制作后，需要在公共電極信號(hào)線上方制作過孔，以連接公共電極信號(hào)線和之后制作在鈍化層上的公共電極。

在現(xiàn)有的制作過程中，為了提高生產(chǎn)效率，在制作過孔時(shí)通常通過一步刻蝕將鈍化層和柵極絕緣層刻透。由于柵線和公共電極信號(hào)線之間的間距很小，而過孔的直徑大于該間距，例如，該間距通常只有6μm，而過孔的直徑約為9μm，這就使得在制作過程中，如果過孔設(shè)計(jì)的位置出現(xiàn)輕微的偏移或是過孔直徑稍大，就可能使得柵線上方的柵極絕緣層被完全刻透，從而使柵線與過孔連通。在這種情況下，ITO膜層作為公共電極沉積后，柵線和公共電極信號(hào)線都將通過過孔與(ITO)公共電極連接，從而出現(xiàn)柵線與公共電極信號(hào)線短接的情況，導(dǎo)致陣列基板顯示異常。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決在制作用于連接公共電極信號(hào)線和公共電極的過孔時(shí)，可能出現(xiàn)柵線與公共電極信號(hào)線短接的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法和陣列基板。所述技術(shù)方案如下：

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法，所述制造方法包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上制作柵極金屬層，所述柵極金屬層包括柵線和公共電極信號(hào)線，所述柵線和公共電極信號(hào)線間隔設(shè)置；

在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護(hù)圖形；

在所述鈍化層和所述柵極絕緣層上開設(shè)用于連接所述公共電極信號(hào)線的過孔；

其中，所述保護(hù)圖形在所述襯底基板上的正投影和所述過孔在所述襯底基板上的正投影部分重疊，所述保護(hù)圖形在所述襯底基板上的正投影和所述柵線在所述襯底基板上的正投影部分重疊。

進(jìn)一步地，所述保護(hù)圖形與所述有源層同層設(shè)置，或者，所述保護(hù)圖形與所述源漏極層同層設(shè)置，或者，所述保護(hù)圖形設(shè)置在所述鈍化層上，或者，所述保護(hù)圖形設(shè)置在所述柵極金屬層上。

優(yōu)選地，當(dāng)所述保護(hù)圖形與所述有源層同層設(shè)置時(shí)，在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護(hù)圖形，包括：

在所述柵極金屬層上形成所述柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成有源層材料；

刻蝕所述有源層材料，以形成所述有源層和所述保護(hù)圖形；

在所述有源層和所述保護(hù)圖形上依次形成所述源漏極層和所述鈍化層。

優(yōu)選地，當(dāng)所述保護(hù)圖形與所述源漏極層同層設(shè)置時(shí)，所述在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護(hù)圖形，包括：

在所述柵極金屬層上依次形成所述柵極絕緣層、所述有源層；

在所述有源層上形成源漏極層材料；

刻蝕所述源漏極層材料，以形成所述源漏極層和所述保護(hù)圖形；

在所述源漏極層和所述保護(hù)圖形上形成所述鈍化層。

可選地，當(dāng)所述保護(hù)圖形設(shè)置在所述鈍化層上時(shí)，所述在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護(hù)圖形，包括：

依次在所述柵極金屬層上形成所述柵極絕緣層、所述有源層、所述源漏極層和所述鈍化層；

刻蝕所述鈍化層，以在所述鈍化層上形成所述保護(hù)圖形。

優(yōu)選地，當(dāng)所述保護(hù)圖形設(shè)置在所述鈍化層上時(shí)，所述在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護(hù)圖形，包括：

依次在所述柵極金屬層上形成所述柵極絕緣層、所述有源層、所述源漏極層和所述鈍化層；

在所述鈍化層上形成一層保護(hù)材料；

去除部分所述保護(hù)材料，以形成所述保護(hù)圖形。

可選地，所述保護(hù)材料為金屬、非晶硅、氮化硅、樹脂、光刻膠中的一種。

可選地，當(dāng)所述保護(hù)圖形設(shè)置在所述柵極金屬層上時(shí)，所述在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護(hù)圖形，包括：

在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層；

刻蝕所述柵極絕緣層，以在所述柵極絕緣層上形成所述保護(hù)圖形；

在具有所述保護(hù)圖形的所述柵極絕緣層上依次形成所述有源層、所述源漏極層和所述鈍化層。

可選地，當(dāng)所述保護(hù)圖形設(shè)置在所述柵極金屬層上時(shí)，在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護(hù)圖形包括：

在所述柵極金屬層上形成一層保護(hù)材料；

去除部分所述保護(hù)材料，以形成所述保護(hù)圖形；

在所述保護(hù)圖形和所述柵極金屬層上依次形成所述柵極絕緣層、所述有源層、所述源漏極層和所述鈍化層。

進(jìn)一步地，所述保護(hù)材料為氮化硅、樹脂、光刻膠中的一種。

優(yōu)選地，所述保護(hù)圖形在所述襯底基板的正投影為圓形或多邊形。

優(yōu)選地，所述保護(hù)圖形的厚度為所述柵極絕緣層厚度的一半。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，所述陣列基板采用前述的任一種制造方法制成。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：通過在柵線上方形成保護(hù)圖形，并且使得保護(hù)圖形在襯底基板上的正投影和過孔在襯底基板上的正投影部分重疊，且保護(hù)圖形在所述襯底基板上的正投影和柵線在襯底基板上的正投影部分重疊，從而在形成過孔的過程中，需要刻透柵線上方的鈍化層、保護(hù)圖形和柵極絕緣層才會(huì)使柵線露出，而公共電極信號(hào)線上方?jīng)]有設(shè)置保護(hù)圖形，在形成過孔的過程中，只需要刻透公共電極信號(hào)線上方的鈍化層和柵極絕緣層就會(huì)將公共電極信號(hào)線露出，因此在形成過孔的過程中可以保證在公共電極信號(hào)線露出時(shí)，柵線不露出，從而可以避免柵線與公共電極信號(hào)線出現(xiàn)短接。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制造方法的流程圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖；

圖2a是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有柵極金屬層的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有柵極絕緣層的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2c是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有有源層材料的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2d是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有源層和保護(hù)圖形后的襯底基板的俯視圖；

圖2e是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有有源層的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2f是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有有源層的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2g是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有鈍化層的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2h是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有鈍化層的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2i是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有過孔的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2j是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有ITO的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖；

圖3a是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有鈍化層的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3b是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有鈍化層的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖；

圖4a是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有鈍化層的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4b是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有保護(hù)圖形的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖；

圖5a是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有鈍化層的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5b是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有保護(hù)圖形的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖；

圖6a是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有柵極絕緣層的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6b是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有鈍化層的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖；

圖7a是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有柵極金屬層的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7b是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有保護(hù)材料的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7c是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有保護(hù)圖形的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7d是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有鈍化層的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7e是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有ITO的襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制造方法的流程圖，如圖1所示，該制造方法包括：

S11：提供一襯底基板。

S12：在襯底基板上制作柵極金屬層。

其中，柵極金屬層包括柵線和公共電極信號(hào)線，柵線和公共電極信號(hào)線間隔設(shè)置。其中，間隔設(shè)置指柵線與公共電極信號(hào)線不相交，例如，柵線和公共電極線可以平行間隔設(shè)置。

S13：在柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護(hù)圖形。

S14：在鈍化層和柵極絕緣層上開設(shè)用于連接公共電極信號(hào)線的過孔。

其中，保護(hù)圖形在襯底基板上的正投影和過孔在襯底基板上的正投影部分重疊，保護(hù)圖形在襯底基板上的正投影和柵線在襯底基板上的正投影部分重疊。

通過在柵線上方形成保護(hù)圖形，并且使得保護(hù)圖形在襯底基板上的正投影和過孔在襯底基板上的正投影部分重疊，且保護(hù)圖形在所述襯底基板上的正投影和柵線在襯底基板上的正投影部分重疊，從而在形成過孔的過程中，需要刻透柵線上方的鈍化層、保護(hù)圖形和柵極絕緣層才會(huì)使柵線露出，而公共電極信號(hào)線上方?jīng)]有設(shè)置保護(hù)圖形，在形成過孔的過程中，只需要刻透公共電極信號(hào)線上方的鈍化層和柵極絕緣層就會(huì)將公共電極信號(hào)線露出，因此在形成過孔的過程中可以保證在公共電極信號(hào)線露出時(shí)，柵線不露出，從而可以避免柵線與公共電極信號(hào)線出現(xiàn)短接。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，保護(hù)圖形可以與有源層同層設(shè)置，或者，保護(hù)圖形可以與源漏極層同層設(shè)置，或者，保護(hù)圖形可以設(shè)置在鈍化層上，或者，保護(hù)圖形可以設(shè)置在柵極金屬層上。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖，在圖2所示實(shí)施例中，保護(hù)圖形與有源層同層設(shè)置。如圖2所示，該制造方法包括：

S21：提供一襯底基板。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，襯底基板可以為透明基板，其具體可以是采用玻璃、石英、透明樹脂等具有一定堅(jiān)固性的導(dǎo)光且非金屬材料制成的基板。

可選地，可以預(yù)先對(duì)提供的襯底基板進(jìn)行清理，保證該襯底基板的清潔。

S22：在襯底基板上制作柵極金屬層。

如圖2a所示，可以采用構(gòu)圖工藝在襯底基板110上制成柵極金屬層120。進(jìn)一步地，可以包括以下步驟：在襯底基板110上通過濺射方式形成金屬層，然后通過構(gòu)圖工藝得到柵極金屬層120。其中，金屬層可以為Al(鋁)、Cu(銅)、Mo(鉬)、Cr(鉻)、Ti(鈦)等，或者采用多種不同的金屬重疊而成。上述構(gòu)圖工藝可以是光刻工藝。

具體地，柵極金屬層120可以包括柵線121和公共電極信號(hào)線122，柵線121與公共電極信號(hào)線122不相交，柵線121和公共電極信號(hào)線122的材質(zhì)相同。

S23：在柵極金屬層上形成柵極絕緣層。

如圖2b所示，在柵極金屬層120制作完成后，在制作有柵極金屬層120的襯底基板110上制作一層?xùn)艠O絕緣層130，具體地，可以在制作有柵極金屬層120的襯底基板110上沉積一層?xùn)艠O絕緣層材料以形成柵極絕緣層130。

可選地，柵極絕緣層130可以為氮化硅或氮氧化硅層等絕緣膜層。

S24：在柵極絕緣層上形成有源層材料。

如圖2c，在形成有柵極絕緣層130的襯底基板110上依次生長非晶硅層141和N型摻雜非晶硅層142，以形成有源層材料140。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，非晶硅層141和N型摻雜非晶硅層142的生長可以采用沉積方式實(shí)現(xiàn)，具體可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(英文Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，簡稱PECVD)。

S25：刻蝕有源層材料，以形成有源層和保護(hù)圖形。

圖2d為形成有源層和保護(hù)圖形后的襯底基板的俯視圖，圖中的填充部分170’表示待形成過孔的區(qū)域，圖2e和圖2f分別為圖2d中的B-B和A-A截面圖，其中B-B截面圖顯示了有源層140a處的截面，A-A截面圖顯示了保護(hù)圖形140b的截面。有源層140a和保護(hù)圖形140b同層設(shè)置。如圖2d～2f，通過構(gòu)圖工藝形成了相互獨(dú)立的有源層140a和保護(hù)圖形140b，且有源層140a和保護(hù)圖形140b位于同一層，由相同的材料形成，其中構(gòu)圖工藝可采用光刻工藝實(shí)現(xiàn)，光刻工藝中的刻蝕技術(shù)可以采用干法刻蝕。

S26：在有源層和保護(hù)圖形上依次形成源漏極層和鈍化層。

具體地，在有源層和保護(hù)圖形上形成源漏極層可以采用以下方式：

先在形成有有源層140a的襯底基板110上制作一金屬層，然后通過構(gòu)圖工藝在金屬層上形成源漏極層150，如圖2g所示。其中，源漏極層150包括源極和漏極。

如圖2g和2h(圖2g為有源層140處的截面圖，圖2h為保護(hù)圖形140b處的截面圖)，鈍化層160覆蓋在源漏極層150和保護(hù)圖形140b上。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，在該步驟S26中，可以采用濺射工藝實(shí)現(xiàn)形成上述金屬層，具體可以采用磁控濺射工藝，而構(gòu)圖工藝可以采用光刻工藝。

可選地，金屬層可以為Al、Cu、Mo、Cr、Ti等金屬，或者采用多層金屬重疊設(shè)計(jì)而成。

具體地，在形成鈍化層160時(shí)，可以在形成有源漏極層150的襯底基板110上沉積一層鈍化層材料，以形成鈍化層160。

可選地，鈍化層材料可以是氮化硅或氮氧化硅層。

S27：制作過孔。

如圖2i所示，在鈍化層160和柵極絕緣層130上開設(shè)用于連接公共電極信號(hào)線的過孔170。結(jié)合圖2d，保護(hù)圖形140b在襯底基板110上的正投影和過孔170在襯底基板110上的正投影部分重疊，保護(hù)圖形140b在襯底基板110上的正投影和柵線121在襯底基板110上的正投影部分重疊。從而確保在形成過孔170的過程中保護(hù)圖形140b可以保護(hù)下方的柵線121。

如圖2j，在完成過孔170的制作后可以在鈍化層160上沉積一層氧化銦錫(英文Indium tin oxide，簡稱ITO)層180，形成公共電極，從而完成陣列基板的制作。

通過圖2所示的制造方式制造陣列基板，在制作有源層時(shí)，刻蝕的過程中保留了位于柵線上方的部分有源層材料，從而形成保護(hù)圖形，該保護(hù)圖形與有源層同層設(shè)置，材料與有源層的材料相同，相比現(xiàn)有的工藝技術(shù)沒有增添新的步驟，只是改變了在形成有源層時(shí)的構(gòu)圖工藝中的圖形，易于實(shí)現(xiàn)。

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖，在圖3所示實(shí)施例中，保護(hù)圖形與源漏極層同層設(shè)置。如圖3所示，該制造方法包括：

S31：提供一襯底基板。

具體地，步驟S31可以參照前述的步驟S21，此處不再詳述。

S32：在襯底基板上制作柵極金屬層。

具體地，步驟S32可以參照前述的步驟S22，此處不再詳述。

S33：在柵極金屬層上依次形成柵極絕緣層和有源層。

其中，柵極絕緣層的形成過程可以參照前述的步驟S23，此處不再詳述。

形成有源層時(shí)，可以先在柵極絕緣層上形成有源層材料，具體可以參見前述步驟S24。再通過構(gòu)圖工藝形成有源層，其中構(gòu)圖工藝可采用光刻工藝實(shí)現(xiàn)，光刻工藝中的刻蝕技術(shù)可以采用干法刻蝕技術(shù)。

S34：在有源層上形成源漏極層材料。

具體地，可以通過濺射方式在襯底基板上形成金屬層。金屬層可以為Al、Cu、Mo、Cr、Ti等金屬，或者采用多種不同的金屬重疊而成。

S35：刻蝕源漏極層材料，以形成源漏極層和保護(hù)圖形。

如圖3a和3b(圖3a為源漏極層250a處的截面圖，圖3b為保護(hù)圖形250b處的截面圖)，可以采用構(gòu)圖工藝在襯底基板210上依次形成有包括柵線221和公共電極信號(hào)線222的柵極金屬層、柵極絕緣層230、有源層240。通過構(gòu)圖工藝去除部分源漏極層材料，從而形成同層設(shè)置的源漏極層250a和保護(hù)圖形250b。

S36：在源漏極層和保護(hù)圖形上形成鈍化層。

具體地，可以在形成有源漏極層250a的襯底基板210上沉積一層鈍化層材料，以形成鈍化層260。

可選地，鈍化層材料可以是氮化硅或氮氧化硅層。

S37：制作過孔。

具體地，步驟S37可以參照前述的步驟S27，此處不再詳述，形成有過孔并最終沉積ITO后得到的陣列基板的結(jié)構(gòu)形式可以參見圖2j。

通過圖3所示的制造方式制造陣列基板，在制作源漏極層時(shí)，刻蝕的過程中保留了位于柵線上方的部分源漏極層材料，從而形成保護(hù)圖形，該保護(hù)圖形與源漏極層同層設(shè)置，材料與源漏極層的材料相同，相比現(xiàn)有的工藝技術(shù)沒有增添新的步驟，只是改變了在形成源漏極層時(shí)的構(gòu)圖工藝中的圖形，實(shí)現(xiàn)方式簡單。

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖，在圖4所示實(shí)施例中，保護(hù)圖形設(shè)置在鈍化層上，且保護(hù)圖形與鈍化層為一體結(jié)構(gòu)。如圖4所示，該制造方法包括：

S41：提供一襯底基板。

具體地，步驟S41可以參照前述的步驟S21，此處不再詳述。

S42：在襯底基板上制作柵極金屬層。

具體地，步驟S42可以參照前述的步驟S22，此處不再詳述。

S43：在柵極金屬層上依次形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層和鈍化層。

具體地，柵極絕緣層和有源層的形成過程可以參照前述的步驟S33，源漏極層和鈍化層的形成過程可以參照前述的步驟S26，此處不再詳述。

如圖3a所示，可以采用構(gòu)圖工藝在襯底基板310上依次形成有包括柵線321和公共電極信號(hào)線322的柵極金屬層、柵極絕緣層330。

S44：刻蝕鈍化層，以在鈍化層上形成保護(hù)圖形。

如圖4b所示，可以采用構(gòu)圖工藝去除部分的鈍化層材料，從而在鈍化層360上形成保護(hù)圖形361。

需要說明的是，為了確保在形成保護(hù)圖形361后，鈍化層360有足夠的厚度，在步驟S43中，沉積的鈍化層材料的厚度應(yīng)大于步驟S26中形成鈍化層360時(shí)候沉積的鈍化層材料的厚度。

S45：制作過孔。

具體地，步驟S45可以參照前述的步驟S27，此處不再詳述，形成有過孔并最終沉積ITO后得到的陣列基板的結(jié)構(gòu)形式可以參見圖2j。

通過圖4所示的制造方式制造陣列基板，在制作鈍化層之后，對(duì)鈍化層進(jìn)行了刻蝕，從而在鈍化層上形成了保護(hù)圖形，該保護(hù)圖形設(shè)置在鈍化層上，且與鈍化層為一體結(jié)構(gòu)，相比現(xiàn)有的工藝技術(shù)，僅僅在完成鈍化層后增加了一道刻蝕工藝，工藝簡單，易于實(shí)現(xiàn)。

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖，在圖5所示實(shí)施例中，保護(hù)圖形設(shè)置在鈍化層上。如圖5所示，該制造方法包括：

S51：提供一襯底基板。

具體地，步驟S51可以參照前述的步驟S21，此處不再詳述。

S52：在襯底基板上制作柵極金屬層。

具體地，步驟S52可以參照前述的步驟S22，此處不再詳述。

S53：依次在柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層和鈍化層。

具體地，步驟S53可以參照前述的步驟S43，此處不再詳述。

如圖5a所示，在襯底基板410上依次形成有包括柵線421和公共電極信號(hào)線422的柵極金屬層、柵極絕緣層430、鈍化層460。

S54：在鈍化層上形成一層保護(hù)材料。

可選地，保護(hù)材料可以為金屬、非晶硅、氮化硅、樹脂、光刻膠中的一種。保護(hù)材料可以根據(jù)需要選擇，以適應(yīng)不同的工藝要求。

根據(jù)保護(hù)材料的不同，選擇合適的方式在鈍化層上形成一層保護(hù)材料。例如，保護(hù)材料為金屬材料時(shí)，可以采用濺射的方式形成一層保護(hù)材料，保護(hù)材料為氮化硅時(shí)，可以采用PECVD的方式形成一層保護(hù)材料，當(dāng)保護(hù)材料為光刻膠或樹脂時(shí)，可以采用涂覆的方式形成一層保護(hù)材料。

S55：去除部分保護(hù)材料，以形成保護(hù)圖形。

如圖5b所示，當(dāng)保護(hù)材料為金屬、非晶硅、氮化硅時(shí)，可以通過構(gòu)圖工藝去除部分保護(hù)材料，從而在鈍化層460上形成保護(hù)圖形490。當(dāng)保護(hù)材料為光刻膠或樹脂時(shí)，則可以通過曝光和顯影的方式去除部分保護(hù)材料而形成保護(hù)圖形490。

S56：制作過孔。

具體地，步驟S56可以參照前述的步驟S27，此處不再詳述，形成有過孔并最終沉積ITO后得到的陣列基板的結(jié)構(gòu)形式可以參見圖2j。

通過圖5所示的制造方式制造陣列基板，在制作鈍化層之后，增加了一道材料的形成工藝和材料的去除工藝，通過去除部分形成的保護(hù)材料，從而在鈍化層上形成了保護(hù)圖形，該保護(hù)圖形的材料與鈍化層的材料可能相同也可能不同，相比現(xiàn)有的工藝技術(shù)，對(duì)完成鈍化層之前的步驟沒有做出改變，方便新工藝技術(shù)與現(xiàn)有工藝技術(shù)的結(jié)合。

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖，在圖6所示實(shí)施例中，保護(hù)圖形設(shè)置在柵極絕緣層上，且與柵極絕緣層為一體結(jié)構(gòu)。如圖6所示，該制造方法包括：

S61：提供一襯底基板。

具體地，步驟S61可以參照前述的步驟S21，此處不再詳述。

S62：在襯底基板上制作柵極金屬層。

具體地，步驟S62可以參照前述的步驟S22，此處不再詳述。

S63：在柵極金屬層上形成柵極絕緣層。

具體地，步驟S63可以參照前述的步驟S23，此處不再詳述。

如圖6a所示，可以采用構(gòu)圖工藝在襯底基板510上依次形成有包括柵線521和公共電極信號(hào)線522的柵極金屬層、柵極絕緣層530。

S64：刻蝕柵極絕緣層，以在柵極絕緣層上形成保護(hù)圖形。

如圖6b所示，可以采用構(gòu)圖工藝去除部分的柵極絕緣層530，從而在柵極絕緣層530上形成保護(hù)圖形531。

需要說明的是，為了確保在形成保護(hù)圖形531后，柵極絕緣層530有足夠的厚度，在步驟S63中，形成的柵極絕緣層530的厚度應(yīng)大于步驟S23中形成的柵極絕緣層的厚度。

S65：在柵極絕緣層上依次形成有源層、源漏極層和鈍化層。

具體地，有源層的形成過程可以參照前述的步驟S33中有源層的形成，源漏極層和鈍化層的形成過程可以參照前述的步驟S26，此處不再詳述，形成鈍化層560后的結(jié)構(gòu)可以參照圖6b。

S66：制作過孔。

具體地，步驟S66可以參照前述的步驟S27，此處不再詳述，形成有過孔并最終沉積ITO后得到的陣列基板的結(jié)構(gòu)形式可以參見圖2j。

通過圖6所示的制造方式制造陣列基板，在制作柵極絕緣層時(shí)，增加了一道刻蝕工藝，對(duì)柵極絕緣層材料進(jìn)行刻蝕，從而形成與柵極絕緣層一體的保護(hù)圖形，對(duì)現(xiàn)有工藝的改變較少，便于實(shí)施。

圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖，如圖7所示，該制造方法包括：

S71：提供一襯底基板。

具體地，步驟S71可以參照前述的步驟S21，此處不再詳述。

S72：在襯底基板上制作柵極金屬層。

具體地，步驟S72可以參照前述的步驟S22，此處不再詳述。

如圖7a所示，可以采用構(gòu)圖工藝襯底基板610上形成有包括柵線621和公共電極信號(hào)線622的柵極金屬層620。

S73：在柵極金屬層上形成一層保護(hù)材料。

可選地，保護(hù)材料可以為絕緣材料，例如可以為氮化硅、樹脂、光刻膠中的一種。保護(hù)材料為絕緣材料，可以避免柵線通過保護(hù)圖形與后續(xù)步驟中形成的公共電極電連接。保護(hù)材料可以根據(jù)需要選擇，以適應(yīng)不同的工藝要求。

如圖7b所示，在形成有柵極金屬層620的襯底基板610上形成有保護(hù)材料690。根據(jù)保護(hù)材料的不同，選擇合適的方式在鈍化層上形成一層保護(hù)材料690。例如，保護(hù)材料690為氮化硅時(shí)，可以采用PECVD的方式形成一層保護(hù)材料，保護(hù)材料690為光刻膠時(shí)，則可以采用光刻膠的涂覆方式形成一層保護(hù)材料。

S74：去除部分保護(hù)材料，以形成保護(hù)圖形。

如圖7c，去除部分保護(hù)材料690，從而形成保護(hù)圖形691。根據(jù)保護(hù)材料690的不同，選擇相應(yīng)的工藝方式去除部分保護(hù)材料690，例如，當(dāng)保護(hù)材料為氮化硅時(shí)，可以采用構(gòu)圖工藝(例如光刻工藝)去除部分保護(hù)材料690，從而在柵極金屬層620上形成保護(hù)圖形691，當(dāng)保護(hù)材料690為光刻膠或樹脂時(shí)，可以通過曝光和顯影的方式去除部分保護(hù)材料690而形成保護(hù)圖形691。

S75：在保護(hù)圖形和柵極金屬層上依次形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層和鈍化層。

具體地，步驟S75可以參照前述的步驟S43，此處不再詳述，形成鈍化層660后的結(jié)構(gòu)可以參照圖7d，由于保護(hù)圖形691形成在緊鄰柵極金屬層的位置，使得在保護(hù)圖形691之后形成的柵極絕緣層630和鈍化層660對(duì)應(yīng)保護(hù)圖形691的位置會(huì)形成一定凸起。

S76：制作過孔。

具體地，步驟S76可以參照前述的步驟S27，此處不再詳述，形成有過孔670并最終沉積ITO680后得到的陣列基板的結(jié)構(gòu)形式可以參見圖7e，由圖7e可知，在本實(shí)施例中，保護(hù)圖形691至少有部分殘留，以隔離過孔670和柵線621。

通過圖7所示的制造方式制造陣列基板，在制作柵極金屬層之后，增加了一道材料的形成工藝和去除工藝，通過去除部分形成的保護(hù)材料，從而在柵極金屬層上形成了保護(hù)圖形。

可選地，保護(hù)圖形在襯底基板的正投影可以為圓形或多邊形。在本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方式中，圓形和多邊形均可以作為保護(hù)圖形的優(yōu)選形狀，圓形和多邊形相比其他異形結(jié)構(gòu)更容易制作，可以降低工藝難度，提高生產(chǎn)效率。

需要說明的是，對(duì)于本發(fā)明的任一實(shí)施方式，保護(hù)圖形的厚度都可以為柵極絕緣層厚度的一半，若保護(hù)圖形厚度過薄，則仍可能出現(xiàn)柵線露出的情況，若保護(hù)圖形過厚，則會(huì)較大的增加陣列基板的厚度。確保保護(hù)圖形有足夠的厚度來防止柵極絕緣層在形成過孔的過程中被刻透而露出柵線，或是避免保護(hù)圖形自身被刻透(如圖7d中保護(hù)圖形緊鄰柵線設(shè)置時(shí))而露出柵線。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板采用圖1～7任一幅圖所示的制造方法制成。

通過在柵線上方形成保護(hù)圖形，并且使得保護(hù)圖形在襯底基板上的正投影和過孔在襯底基板上的正投影部分重疊，且保護(hù)圖形在所述襯底基板上的正投影和柵線在襯底基板上的正投影部分重疊，從而在形成過孔時(shí)會(huì)刻蝕掉至少部分的保護(hù)圖形，在形成過孔的過程中，需要刻透柵線上方的鈍化層、保護(hù)圖形和柵極絕緣層才會(huì)使柵線露出，而公共電極信號(hào)線上方?jīng)]有設(shè)置保護(hù)圖形，在形成過孔的過程中，只需要刻透公共電極信號(hào)線上方的鈍化層和柵極絕緣層就會(huì)將公共電極信號(hào)線露出，因此在形成過孔的過程中可以保證在公共電極信號(hào)線露出時(shí)，柵線不露出，從而可以避免柵線與公共電極信號(hào)線出現(xiàn)短接。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。