1.一種陣列基板的制造方法，所述制造方法包括：
提供一襯底基板；
在所述襯底基板上制作柵極金屬層，所述柵極金屬層包括柵線和公共電極信號線，所述柵線和公共電極信號線間隔設(shè)置；
在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形；
在所述鈍化層和所述柵極絕緣層上開設(shè)用于連接所述公共電極信號線的過孔；
其中，所述保護圖形在所述襯底基板上的正投影和所述過孔在所述襯底基板上的正投影部分重疊，所述保護圖形在所述襯底基板上的正投影和所述柵線在所述襯底基板上的正投影部分重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述保護圖形與所述有源層同層設(shè)置，或者，所述保護圖形與所述源漏極層同層設(shè)置，或者，所述保護圖形設(shè)置在所述鈍化層上，或者，所述保護圖形設(shè)置在所述柵極金屬層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，當所述保護圖形與所述有源層同層設(shè)置時，所述在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形，包括：
在所述柵極金屬層上形成所述柵極絕緣層；
在所述柵極絕緣層上形成有源層材料；
刻蝕所述有源層材料，以形成所述有源層和所述保護圖形；
在所述有源層和所述保護圖形上依次形成所述源漏極層和所述鈍化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，當所述保護圖形與所述源漏極層同層設(shè)置時，所述在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形，包括：
在所述柵極金屬層上依次形成所述柵極絕緣層、所述有源層；
在所述有源層上形成源漏極層材料；
刻蝕所述源漏極層材料，以形成所述源漏極層和所述保護圖形；
在所述源漏極層和所述保護圖形上形成所述鈍化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，當所述保護圖形設(shè)置在所述鈍化層上時，所述在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形，包括：
依次在所述柵極金屬層上形成所述柵極絕緣層、所述有源層、所述源漏極層和所述鈍化層；
刻蝕所述鈍化層，以在所述鈍化層上形成所述保護圖形。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，當所述保護圖形設(shè)置在所述鈍化層上時，所述在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形，包括：
依次在所述柵極金屬層上形成所述柵極絕緣層、所述有源層、所述源漏極層和所述鈍化層；
在所述鈍化層上形成一層保護材料；
去除部分所述保護材料，以形成所述保護圖形。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述保護材料為金屬、非晶硅、氮化硅、樹脂、光刻膠中的一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，當所述保護圖形設(shè)置在所述柵極金屬層上時，所述在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形，包括：
在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層；
刻蝕所述柵極絕緣層，以在所述柵極絕緣層上形成所述保護圖形；
在具有所述保護圖形的所述柵極絕緣層上依次形成所述有源層、所述源漏極層和所述鈍化層。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，當所述保護圖形設(shè)置在所述柵極金屬層上時，所述在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形包括：
在所述柵極金屬層上形成一層保護材料；
去除部分所述保護材料，以形成所述保護圖形；
在所述保護圖形和所述柵極金屬層上依次形成所述柵極絕緣層、所述有源層、所述源漏極層和所述鈍化層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述保護材料為氮化硅、樹脂、光刻膠中的一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求1～10任一項所述的制造方法，其特征在于，所述保護圖形在所述襯底基板的正投影為圓形或多邊形。
12.根據(jù)權(quán)利要求1～10任一項所述的制造方法，其特征在于，所述保護圖形的厚度為所述柵極絕緣層厚度的一半。
13.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板采用權(quán)利要求1～12任一項所述的制造方法制成。