技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種多柵極神經(jīng)元晶體管，該晶體管包括源漏電極、溝道、柵介質(zhì)、浮柵電極和多個(gè)輸入柵極，以及輸入柵極與柵介質(zhì)之間的電容記憶層。其中，各輸入柵極通過電容記憶層與柵介質(zhì)電容共同耦合至浮柵電極上，繼而協(xié)同控制溝道輸出電流，模擬神經(jīng)元的加權(quán)計(jì)算功能。同時(shí)，電容記憶層的電容大小隨輸入柵壓信號(hào)的歷史而變化，模擬突觸權(quán)重的可塑性。本發(fā)明還提出了該多柵極神經(jīng)元晶體管的制備方法，以及由若干多柵極神經(jīng)元晶體管相互電連接而成的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，便于制備和集成，有望在類腦智能芯片等領(lǐng)域得到應(yīng)用。

技術(shù)研發(fā)人員：萬(wàn)青;萬(wàn)相;楊毅;豐平;邵楓;杜培富
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南京大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710092398
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.21
技術(shù)公布日：2017.06.30