本發(fā)明屬于液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地講，涉及一種柔性顯示面板的及其制備方法。

背景技術(shù)：

隨著OLED顯示技術(shù)的發(fā)展日趨成熟，廣大消費(fèi)者體驗(yàn)到了OLED顯示與傳統(tǒng)LCD顯示的巨大差異，隨之而來的是OLED消費(fèi)市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。由于OLED自發(fā)光的特性，使得響應(yīng)時(shí)間短、高對(duì)比度、廣視角、廣色域、顯示面板輕薄化、可彎折性等特點(diǎn)得以實(shí)現(xiàn)。特別是OLED顯示面板的可彎折性，給消費(fèi)者帶來了顛覆性的概念，因此Flexible(可彎折)OLED近年來是行業(yè)發(fā)展的主流。

然后，可彎折的顯示面板對(duì)電子設(shè)備自身器件的材質(zhì)和制備工藝也形成了挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的柔性O(shè)LED制程工藝中，微腔調(diào)節(jié)層、陰極保護(hù)層和封裝填充層都是采用不同的材料和制程工藝制作的，過程相對(duì)繁瑣，不僅材料種類多帶來制備器材多、反應(yīng)條件多樣且各個(gè)環(huán)節(jié)之間的運(yùn)送成本也較高，不利于生產(chǎn)成本的降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明提供一種柔性顯示面板的制備方法，能夠大大簡(jiǎn)化制備工藝，節(jié)約成本。

這種柔性顯示面板的制備方法，包括如下步驟：

在基板上形成陽極層；

利用化學(xué)氣相沉積方法，控制溫度650～750℃、使對(duì)有機(jī)二聚體蒸汽在所述陽極層上形成聚合物作為微腔調(diào)節(jié)層；所述有機(jī)二聚體的結(jié)構(gòu)式如式1所示：

其中，所述R代表為H、F、Cl、Br中至少一種；

在所述微腔調(diào)節(jié)層上形成空穴注入層；

在所述空穴注入層上形成有機(jī)發(fā)射層；

在所述有機(jī)發(fā)射層上形成電子傳輸層；

在所述電子傳輸層上形成陰極層。

其中，還包括利用化學(xué)氣相沉積方法，控制溫度100～150℃將有機(jī)二聚體沉積至所述陰極層上作為陰極保護(hù)層。

其中，還包括：

防護(hù)層制備：在所述陰極保護(hù)層上形成n層防護(hù)層，n為大于0的整數(shù)；所述防護(hù)層包括從下至上依次沉積的阻水層和緩沖層；

在第n層防護(hù)層上沉積頂部阻水層。

其中，完成所述防護(hù)層制備步驟后，還包括封裝填充層的制備步驟：利用化學(xué)氣相沉積方法，控制溫度100～150℃將所述有機(jī)二聚體沉積至所述防護(hù)層上。

其中，所述化學(xué)氣相沉積方法包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積、感應(yīng)耦合等離子體化學(xué)氣相沉積中的任一種。

本發(fā)明還提供這種柔性顯示面板，從下至上至少包括：基板、陽極層、微腔調(diào)節(jié)層、空穴注入層、有機(jī)發(fā)射層、電子傳輸層和陰極層，其特征在于，所述微腔調(diào)節(jié)層材質(zhì)為有機(jī)二聚體形成的聚合物，所述有機(jī)二聚體及其形成的聚合物結(jié)構(gòu)式分別如式1、式2所示：

其中，所述R選自H、F、Cl、Br中的至少一種。

其中，還包括沉積在所述陰極層上的陰極保護(hù)層，所述陰極保護(hù)層材質(zhì)為如所述式1所示的有機(jī)二聚體。

其中，還包括依次沉積在所述陰極保護(hù)層上的n層防護(hù)層，所述n為大于0的整數(shù)；以及設(shè)置于所述第n層防護(hù)層上的頂部阻水層；所述防護(hù)層包括上下層疊設(shè)置的緩沖層和阻水層。

其中，還包括設(shè)置于所述防護(hù)層上的封裝填充層，所述封裝填充層材質(zhì)為如所述式1所示的有機(jī)二聚體。

其中，所述微腔調(diào)節(jié)層、所述陰極保護(hù)層和所述封裝填充層的厚度為0.1～10μm。

有益效果：

本發(fā)明提出通過改變制程條件將聚四氟對(duì)二甲苯應(yīng)用于制備柔性O(shè)LED微腔調(diào)節(jié)層、陰極保護(hù)層和封裝填充層，在提高器件出光效果、增強(qiáng)封裝層抗水氧能力、降低驅(qū)動(dòng)電壓以提高器件操作穩(wěn)定性的同時(shí)，還可降低制程難度，無需更換原料，并可將多個(gè)工藝過程在CVD的一個(gè)腔室內(nèi)完成，大大減少了OLED的制程步驟。

附圖說明

通過結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述，本發(fā)明的實(shí)施例的上述和其它方面、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，附圖中：

圖1是本發(fā)明實(shí)施例1的柔性顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例2的柔性顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明實(shí)施例3的柔性顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下，將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，可以以許多不同的形式來實(shí)施本發(fā)明，并且本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實(shí)施例和適合于特定預(yù)期應(yīng)用的各種修改。

實(shí)施例1

本發(fā)明提供一種柔性顯示面板，如圖1所示，其從下至上至少包括：基板10、陽極層11(半導(dǎo)體透明導(dǎo)電層，簡(jiǎn)稱ITO)、覆蓋于所述陽極層11上的微腔調(diào)節(jié)層20、空穴注入層12、有機(jī)發(fā)射層13、電子傳輸層14和陰極層15。

其中，所述微腔調(diào)節(jié)層20主要用于增強(qiáng)器件的電流密度、亮度、降低驅(qū)動(dòng)電壓，同時(shí)提高器件操作穩(wěn)定性。在本發(fā)明中，微腔調(diào)節(jié)層材質(zhì)為有機(jī)二聚體形成的聚合物，所述有機(jī)二聚體及其形成的聚合物結(jié)構(gòu)式分別如式1、式2所示：

其中，所述R代表為H、F、Cl、Br中的至少一種。式1中化合物能夠在高溫下裂解為自由基重新聚合成分子量較大的式2的聚合物。若式1的結(jié)構(gòu)中R均來自同一種原子，例如，所述有機(jī)二聚體優(yōu)選二聚四氟對(duì)二甲苯或二聚四溴對(duì)二甲苯，那么式2的結(jié)構(gòu)式還可能進(jìn)一步簡(jiǎn)化和表達(dá)為式3，例如，對(duì)應(yīng)形成的聚合物則為聚四氟對(duì)二甲苯、聚四溴對(duì)二甲苯。

在所述陰極層15表面還沉積有陰極保護(hù)層30，主要用于保護(hù)陰極層，并提高器件的光透過率。在本發(fā)明中，所述陰極保護(hù)層30材質(zhì)為如所述式1所示的有機(jī)二聚體。

為了進(jìn)一步保護(hù)顯示面板，在所述陰極保護(hù)層30上還依次形成有n層防護(hù)層40，n為大于0的整數(shù)。在本實(shí)施例中，n＝1。每層防護(hù)層40包括上下層疊設(shè)置的阻水層42、緩沖層41。緩沖層41用于緩沖器件在彎曲、折疊時(shí)的應(yīng)力；阻水層42用于增加顯示面板的防水功能。

在第n層防護(hù)層40上還最后設(shè)置頂部阻水層60，用于用戶直接接觸。頂部阻水層60和阻水層42的材質(zhì)可以相同也可以不同，一般均優(yōu)選為無機(jī)疏水性材料；緩沖層41材質(zhì)一般優(yōu)選為有機(jī)材料。

下面介紹本實(shí)施例這種柔性顯示面板的制備方法。

步驟S1，在玻璃基板上形成半導(dǎo)體透明電極膜(ITO)作為陽極層。具體包括對(duì)ITO的預(yù)處理清洗、光刻工序等使在玻璃基板上形成圖案化的ITO電極層。

方程式2

步驟S2，在陽極層上形成微腔調(diào)節(jié)層。結(jié)合方程式2所示，利用化學(xué)氣相沉積方法，在反應(yīng)腔內(nèi)控制溫度100～150℃時(shí)使二聚四氟對(duì)二甲苯(見式4，簡(jiǎn)稱AF₄)蒸發(fā)，再提升溫度為650～750℃、使對(duì)AF₄蒸汽裂解成自由基(式5)，最后在所述陽極層上沉積并聚合形成聚合物(如式6)作為微腔調(diào)節(jié)層覆蓋到陽極層上。形成微腔調(diào)節(jié)層的AF₄，膜厚為0.1～10μm；能夠增強(qiáng)器件的電流密度、亮度、降低驅(qū)動(dòng)電壓，同時(shí)提高器件操作穩(wěn)定性。

其中，本步驟所采用的化學(xué)氣相沉積方法，可以是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDPCVD)、感應(yīng)耦合等離子體化學(xué)氣相沉積(ICPCVD)中的任一種。

步驟S3，如圖1所示，利用真空蒸鍍工藝在所述微腔調(diào)節(jié)層上依次沉積空穴注入層、有機(jī)發(fā)射層、電子傳輸層和陰極層。

步驟S4，利用化學(xué)氣相沉積方法，在反應(yīng)腔內(nèi)控制溫度100～150℃時(shí)使二聚四氟對(duì)二甲苯(見式4，簡(jiǎn)稱AF₄)蒸發(fā)，在所述陰極層上沉積形成AF₄薄膜作為陰極保護(hù)層。形成陰極保護(hù)層的AF4，膜厚為0.1～10μm，光透過率大于98％，折射率為1.6～1.8，能夠保護(hù)陰極，并提高器件的光透過率。

步驟S5，利用PECVD、原子層沉積工藝(ALD)、激光沉積(PLD)或Sputter工藝在陰極保護(hù)層上制作阻水層。阻水層的材質(zhì)例如為Al₂O₃、TiO₂、SiNx、SiCNx、SiOx中的至少一種。

步驟S6，以噴墨打印(IJP)或PECVD制備有機(jī)緩沖層；這層緩沖層材料選自亞克力(Acryl)、六甲基二甲硅醚(HMDSO)、聚丙烯酸酯及其衍生物、聚碳酸酯及其衍生物、聚苯乙烯等至少一種可用于緩沖器件在彎曲、折疊時(shí)的應(yīng)力的材料。

步驟S5、步驟S6完成第一防護(hù)層的制備。

步驟S7，頂部阻水層的制備。采用與所述步驟S5相同的材料和工藝條件，在緩沖層上形成頂部阻水層。在本實(shí)施例中，頂部阻水層的材質(zhì)與所述阻水層材質(zhì)相同。

此時(shí)，獲得本實(shí)施例的柔性顯示面板。

實(shí)施例2

本實(shí)施例與實(shí)施例一不同的是，如圖2所示，本實(shí)施例的防護(hù)層40和頂部阻水層60之間還增設(shè)一封裝填充層50。

防護(hù)層40、封裝填充層50，以及在封裝填充層50上的頂部阻水層60結(jié)構(gòu)最終在獲得“阻水層-緩沖層-AF4-阻水層”的保護(hù)結(jié)構(gòu)。所述封裝填充層則主要用于提高封裝層抗水氧能力，延長(zhǎng)OLED器件的使用壽命。在本發(fā)明中，所述封裝填充層材質(zhì)為如所述式1所示的有機(jī)二聚體。

為了獲得本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，制備步驟作出以下調(diào)整。

步驟S1～S6參照實(shí)施例1所示；S5、S6完成一層防護(hù)層40的制備；

步驟S7，利用化學(xué)氣相沉積方法，在反應(yīng)腔內(nèi)控制溫度100～150℃時(shí)使二聚四氟對(duì)二甲苯(見式4，簡(jiǎn)稱AF4)蒸發(fā)，在所述緩沖層上沉積形成AF4薄膜作為封裝填充層。封裝填充層膜厚為0.1～10μm，光透過率大于98％，折射率為1.4～1.6，能夠用于提高封裝層抗水氧能力，延長(zhǎng)OLED器件的使用壽命。

步驟S8，頂部阻水層的制備。采用與所述步驟S5相同的材料和工藝條件，在封裝填充層上形成頂部阻水層。在本實(shí)施例中，頂部阻水層的材質(zhì)與所述阻水層材質(zhì)相同。

此時(shí)，獲得本實(shí)施例的柔性顯示面板。

實(shí)施例3

本實(shí)施例與實(shí)施例二所不同的是，如圖3所示，本實(shí)施例不僅僅形成有第一防護(hù)層40a，在封裝填充層50和頂部阻水層60之間形成第二防護(hù)層40b。

為了獲得本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，制備步驟作出以下調(diào)整。

步驟S1～S6參照實(shí)施例1所示；S5、S6完成第一防護(hù)層40a的制備；

步驟S7，利用化學(xué)氣相沉積方法，在反應(yīng)腔內(nèi)控制溫度100～150℃時(shí)使二聚四氟對(duì)二甲苯(見式4，簡(jiǎn)稱AF4)蒸發(fā)，在所述緩沖層上沉積形成AF4薄膜作為封裝填充層。封裝填充層膜厚為0.1～10μm，光透過率大于98％，折射率為1.4～1.6，能夠用于提高封裝層抗水氧能力，延長(zhǎng)OLED器件的使用壽命。

步驟S8，重復(fù)所述步驟S5、S6一次，在封裝填充層上形成第二防護(hù)層40b。

步驟S9，頂部阻水層的制備。采用與所述步驟S5相同的材料和工藝條件，在第二防護(hù)層上形成頂部阻水層。在本實(shí)施例中，頂部阻水層的材質(zhì)與所述阻水層材質(zhì)相同。

此時(shí)，獲得本實(shí)施例的柔性顯示面板。

在其他實(shí)施例中，防護(hù)層和封裝填充層是可以因應(yīng)不同的產(chǎn)品要求進(jìn)行重復(fù)多次沉積的，能夠不斷提高柔性顯示面板的折疊強(qiáng)度和防水性能。但是，無論哪一種結(jié)構(gòu)最頂部的材料層均為無機(jī)阻水層。

綜上所述，聚四氟對(duì)二甲苯(TFPX)形成的膜具有優(yōu)異的防水性和抗腐蝕性，并且可通過CVD制成超薄型的、透明的無孔薄膜。聚四氟對(duì)二甲苯形成的薄膜透明度高，具有優(yōu)異的防水性和抗腐蝕性，可鍍?cè)陉枠O上形成微腔調(diào)節(jié)層，提高OLED器件的出光效果；同時(shí)，優(yōu)異的防水性說明聚四氟對(duì)二甲苯還是一種不錯(cuò)的封裝材料，可應(yīng)用在柔性O(shè)LED封裝上。本發(fā)明提出通過改變制程條件將AF₄應(yīng)用于制備柔性O(shè)LED微腔調(diào)節(jié)層、陰極保護(hù)層和封裝填充層，在提高器件出光效果、增強(qiáng)封裝層抗水氧能力、降低驅(qū)動(dòng)電壓以提高器件操作穩(wěn)定性的同時(shí)，還可降低制程難度，無需更換原料，并可將多個(gè)工藝過程在CVD的一個(gè)腔室內(nèi)完成，大大減少了OLED的制程步驟。

雖然已經(jīng)參照特定實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解：在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。