本發(fā)明涉及物聯(lián)網(wǎng)
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其涉及一種用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板及其形成方法。
背景技術(shù)：
：物聯(lián)網(wǎng)(InternetofThings)是新一代信息技術(shù)的重要組成部分，即物物相連的互聯(lián)網(wǎng)。物聯(lián)網(wǎng)利用局部網(wǎng)絡(luò)、或者是互聯(lián)網(wǎng)等通信技術(shù)把傳感器、控制器、機(jī)器等以新的方式聯(lián)在一起，形成人與物、物與物相連，實(shí)現(xiàn)信息化、遠(yuǎn)程管理和智能化的網(wǎng)絡(luò)?？梢岳斫獾氖牵锫?lián)網(wǎng)通過各種有線、無線與互聯(lián)網(wǎng)融合，能夠?qū)⑽矬w的信息實(shí)時準(zhǔn)確地傳遞出去。比如，在物聯(lián)網(wǎng)上的傳感器定時采集信息通過網(wǎng)絡(luò)傳輸傳遞出去。其中，信息的數(shù)據(jù)比較龐大，為了保證數(shù)據(jù)的正確性和及時性，必須適應(yīng)各種網(wǎng)絡(luò)和協(xié)議。目前，低功耗無線保真(WIFI)技術(shù)作為物聯(lián)網(wǎng)互聯(lián)的重要技術(shù)，利用WIFI技術(shù)組網(wǎng)來傳輸數(shù)據(jù)使得傳感器、家用電器和穿戴設(shè)備等可以在家庭、辦公大樓等任何地方被聯(lián)絡(luò)到。隨著物聯(lián)網(wǎng)對高集成度、超小尺寸以及超低耗等芯片的不斷需求、以及芯片和通訊技術(shù)的不斷進(jìn)步，聯(lián)網(wǎng)設(shè)備需要將更多的功能芯片封裝在一個系統(tǒng)級封裝(SiP，SysteminPackage)里面。越來越多的物聯(lián)網(wǎng)智慧家居和可穿戴設(shè)備將會采用SiP模組，因?yàn)镾iP尺寸更小，具有更好的抗機(jī)械和化學(xué)腐蝕能力。具體地，基板是制造PCB的基本材料，一般情況下，基板就是覆銅箔層壓板，單、雙面印制板在制造中是在基板材料-覆銅箔層壓板上，有選擇地進(jìn)行孔加工、化學(xué)鍍銅、電鍍銅、蝕刻等加工，得到所需電路圖形。然而，WIFISiP模塊用的基板與一般常見的印刷電路板(PCB)有很大的不同，基板的結(jié)構(gòu)組成影響WIFISiP模塊的功能，基板的重要性僅次于核心芯片。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的第一個目的在于提出一種用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板，該基板應(yīng)用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片，能夠提高其性能。本發(fā)明的第二個目的在于提出一種WIFI裝置。本發(fā)明的第三個目的在于提出一種家用電器。本發(fā)明的第四個目的在于提出一種用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板的形成方法。為達(dá)上述目的，本發(fā)明第一方面實(shí)施例提出了一種無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板，包括：芯層；形成在所述芯層之上的第一至第M金屬層，其中，M為正整數(shù)；形成在所述第M金屬層之上的頂層阻焊劑層；形成在所述芯層之下的第M+1至第N金屬層，其中，N為大于M的正整數(shù)；以及形成在所述第N金屬層之下的底層阻焊劑層。本發(fā)明實(shí)施例的用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板，通過形成在芯層之上的第一至第M金屬層，并形成在第M金屬層之上的頂層阻焊劑層，然后形成在芯層之下的第M+1至第N金屬層，最后形成在第N金屬層之下的底層阻焊劑層。由此，能夠應(yīng)用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片，能夠提高其性能。另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板還可以具有如下附加的技術(shù)特征：可選地，在所述第M金屬層上焊接射頻元器件，所述射頻元器件水平布線；在所述第N金屬層上焊接電源元器件，所述電源元器件垂直布線。可選地，所述頂層阻焊劑層和所述底層阻焊劑層的厚度相等?？蛇x地，所述第一至第M金屬層以及所述第M+1至第N金屬層的厚度相等?？蛇x地，N為M的兩倍?？蛇x地，所述的基板，還包括：形成在任意兩個金屬層之間的半固化片層?？蛇x地，所述芯層采用的材料是E700GR。可選地，所述的基板，其特征在于，所述第一至第N金屬層包括銅。為達(dá)上述目的，本發(fā)明第二方面實(shí)施例提出了一種WIFI裝置，包括：第一方面實(shí)施例所述的用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板。為達(dá)上述目的，本發(fā)明第三方面實(shí)施例提出了一種家用電器，包括：第二方面實(shí)施例所述的WIFI裝置。由此，包括通過形成在芯層之上的第一至第M金屬層，并形成在第M金屬層之上的頂層阻焊劑層，然后形成在芯層之下的第M+1至第N金屬層，最后形成在第N金屬層之下的底層阻焊劑層的基板。由此，能夠應(yīng)用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片，能夠提高其性能。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第四方面實(shí)施例提出了一種用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板的形成方法，包括：提供芯層；在所述芯層之上形成第一至第M金屬層，其中，M為正整數(shù)；在所述第M金屬層之上形成頂層阻焊劑層；在所述芯層之下形成第M+1至第N金屬層，其中，N為正整數(shù)；在所述第N金屬層之下形成底層阻焊劑層。本發(fā)明實(shí)施例的用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板的形成方法，通過提供芯層，并在芯層之上形成第一至第M金屬層，接著在第M金屬層之上形成頂層阻焊劑層，然后在芯層之下形成第M+1至第N金屬層，最后在第N金屬層之下形成底層阻焊劑層。由此，能夠形成應(yīng)用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板，提高無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的性能。本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。附圖說明本發(fā)明上述的和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例的用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明又一個實(shí)施例的用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明再一個實(shí)施例的用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的WIFI裝置的結(jié)構(gòu)示意圖圖6是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板的形成方法的流程圖。具體實(shí)施方式下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。下面參考附圖描述本發(fā)明實(shí)施例的用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板及其形成方法。具體地，基板對無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的功能具有影響。通常，基板是制造PCB的基本材料，一般情況下，基板就是覆銅箔層壓板，單、雙面印制板在制造中是在基板材料-覆銅箔層壓板上，有選擇地進(jìn)行孔加工、化學(xué)鍍銅、電鍍銅、蝕刻等加工，得到所需電路圖形。還可以理解的是，多層印制板的制造，也是以內(nèi)芯薄型覆銅箔板為底基，將導(dǎo)電圖形層與半固化片交替地經(jīng)一次性層壓黏合在一起，形成3層以上導(dǎo)電圖形層間互連。它具有導(dǎo)電、絕緣和支撐三個方面的功能。印制板的性能、質(zhì)量、制造中的加工性、制造成本、制造水平等，在很大程度上取決于基板材料。然而，用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板與一般常見的印刷電路板(PCB)有很大的不同。由此，基板的組成結(jié)構(gòu)對對無線保真系統(tǒng)級封裝芯片具有重要影響。為了提高無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的性能，本發(fā)明提出一種用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板。具體如下：圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板包括：芯層100、金屬層200、頂層阻焊劑層300和底層阻焊劑層400。具體地，形成在芯層100之上的第一金屬層201至第M金屬層20M。其中M為正整數(shù)。形成在第M金屬層20M之上的頂層阻焊劑層300。形成在芯層100之下的第M+1金屬層20M+1至第N金屬層20N。其中，N為大于M的正整數(shù)，比如M為2，N為4。形成在第N金屬層20N之下的底層阻焊劑層400?？梢岳斫獾氖?，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需要，可以在芯層上形成任意金屬層，在在芯層下形成任意金屬層，并在金屬層之上形成頂層阻焊劑層和底層阻焊劑層。需要說明的是，為了進(jìn)一步提高保真系統(tǒng)級封裝芯片的性能，上述N為M的兩倍，即在芯片上層形成的金屬層與在芯片下層形成的金屬層對稱。為了本領(lǐng)域人員更加上述基板的疊層設(shè)計(jì)，下面結(jié)合圖2，以N為1，M為2。舉例說明如下：圖2是根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例的用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，在頂層阻焊劑層的下方設(shè)置第一金屬層，在第一金屬層的下方設(shè)置芯層，在芯層的下方設(shè)置第二金屬層，在第二金屬層的下方設(shè)置底層阻焊劑層。由此，通過上述疊層設(shè)計(jì)的基板，用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片，能夠提高其性能。在本申請的一個實(shí)施例中，該基板還包括射頻元器件500和電源元器件600。其中，在第M金屬層20M上焊接射頻元器件500，射頻元器件500水平布線。在第N金屬層20N上焊接電源元器件600，電源元器件600垂直布線?；谏鲜鰧?shí)施例，為了有效降低整個芯片的高度，使得對有高度要求的產(chǎn)品比較有優(yōu)勢。由此，可以設(shè)置頂層阻焊劑層和底層阻焊劑層的厚度相等以及第一金屬層第M金屬層以及第M+1至第N金屬層的厚度相等。繼續(xù)以圖2為例，可以設(shè)置頂層阻焊劑層和底層阻焊劑層的厚度相等，且都是10um。第一層銅和第二層銅的厚度相等，且都是15um。其中，芯層的厚度是40um。由此，基板的總厚度為90um，可以有效的降低整個芯片的高度，對有高度要求的產(chǎn)品比較有優(yōu)勢，通過該疊層設(shè)計(jì)，可以獲得低介電常數(shù),高耐熱性和低熱膨脹系數(shù)的基板，且其翹曲度可以控制在比較低的數(shù)值，易于生產(chǎn)。需要說明的是，基板材料可分為兩大類：剛性基板材料和柔性基板材料。剛性基板材料的重要品種是覆銅板。它是用增強(qiáng)材料，浸以樹脂膠黏劑，通過烘干、裁剪、疊合成坯料，然后覆上銅箔，用鋼板作為模具，在熱壓機(jī)中經(jīng)高溫高壓成形加工而制成的。一般的多層板用的半固化片，它是覆銅板在制作過程中的半成品。進(jìn)一步地，覆銅箔板的分類方法有多種。一般按板的增強(qiáng)材料不同，可劃分為紙基、玻璃纖維布基、復(fù)合基、積層多層板基和特殊材料基(陶瓷、金屬芯基等)五大類。若按板所采用的樹脂膠黏劑不同進(jìn)行分類，常見的紙基有：酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酯樹脂等各種類型。常見的玻璃纖維布基有環(huán)氧樹脂(FR4)，它是目前最廣泛使用的玻璃纖維布基類型。另外還有其他特殊性樹脂(以玻璃纖維布、聚基酰胺纖維、無紡布等為增加材料)，如雙馬來酰亞胺改性三嗪樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚烯烴樹脂等。介電常數(shù),耐熱性和熱膨脹系數(shù)是衡量基板的重要參數(shù)。一般要求基板具有低介電常數(shù),高耐熱性和低熱膨脹系數(shù)。由此，不同的層所采用的材料不一樣，材料的特性也不一樣，不同材料的介電常數(shù)，耐熱性和熱膨脹系數(shù)各不一樣。由于材料的可以控制的參數(shù)比較多，在做層疊設(shè)計(jì)時需要綜合考慮每種材料的特性?？梢岳斫獾氖?，金屬不限于上述所述的銅作為第一金屬層和第二金屬層?？梢愿鶕?jù)實(shí)際應(yīng)用需要進(jìn)行選擇設(shè)置。圖3是根據(jù)本發(fā)明又一個實(shí)施例的用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板的結(jié)構(gòu)示意圖。具體地，在圖1的基礎(chǔ)上，還包括：形成在任意兩個金屬層之間的半固化片層700。可以理解的是，在任意兩金屬層之間可以形成半固化片層700。其中，第X半固化片層可以位于兩金屬層之間；第Y半固化片層可以位于兩金屬層之間。為了本領(lǐng)域人員更加上述基板的疊層設(shè)計(jì)，下面結(jié)合圖4，以N為2，M為4。舉例說明如下：圖4是根據(jù)本發(fā)明再一個實(shí)施例的用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，在頂層阻焊劑層的下方設(shè)置第一金屬層，在第一金屬層的下方設(shè)置第一半固化片層；在第一半固化片層的下方設(shè)置第二金屬層；在第二金屬層的下方設(shè)置芯層；在芯層的下方設(shè)置第三金屬層；在第三金屬層的下方設(shè)置第二半固化片層；在第二半固化片層的下方設(shè)置第四金屬層；在第四金屬層的下方設(shè)置底層阻焊劑層。由此，通過上述疊層設(shè)計(jì)的基板，用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片，能夠提高其性能?；谏鲜鰧?shí)施例，為了有效降低整個芯片的高度，使得對有高度要求的產(chǎn)品比較有優(yōu)勢。由此，設(shè)置頂層阻焊劑層和底層阻焊劑層的厚度相等、第一半固化片層和第二半固化片層的厚度相等以及第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層的厚度相等。繼續(xù)以圖4為例，頂層阻焊劑層和底層阻焊劑層的厚度相等，且都是15um。第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層的厚度相等，且都是15um，第一半固化片層和第二半固化片層的厚度都是25um。其中，芯層的厚度是40um。由此，基板的總厚度為180um，可以有效的降低整個芯片的高度，對有高度要求的產(chǎn)品比較有優(yōu)勢，通過該疊層設(shè)計(jì)，可以獲得低介電常數(shù)，高耐熱性和低熱膨脹系數(shù)的基板，且可是其翹曲度可以控制在比較低的數(shù)值，易于生產(chǎn)?？梢岳斫獾氖?，頂層阻焊劑層和底層阻焊劑層采用的材料有很多種，芯層采用的材料也有很多種，以及金屬層的材料也可以有很多種等，都是可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需要進(jìn)行選擇設(shè)置。以M為1，N為2為例的兩金屬層設(shè)置材料如表1所示，表1為本申請一個實(shí)施例的材料示意表。表1為本申請一個實(shí)施例的材料示意表層典型厚度[um]材料頂層阻焊劑(TopSolderMask)10PSR-4000AUS320第一層銅(1stLayerCopper)15Copper芯層(Core)40Core-E700GR第二層銅(OuterLayerCopper)15Copper底層阻焊劑(BottomSolderMask)10PSR-4000AUS32090總厚度(TotalThickness)如表1所示，第一金屬層和第二金屬層為第一層銅和第二層銅，且都是15um；頂層阻焊劑層和底層阻焊劑層采用的材料為PSR-4000AUS320，且都是10um；芯層采用的材料是E700GR，且是40um。由此，該頂層阻焊劑層和底層阻焊劑層是干型阻焊劑，具有很好的熱循環(huán)阻抗和HAST阻抗特性。該芯層采用的材料具有很高的轉(zhuǎn)換溫度(Tg)，高的彈性模量以及低的溫度膨脹系數(shù)。由此，通過該疊層設(shè)計(jì)，可以獲得低介電常數(shù)，高耐熱性和低熱膨脹系數(shù)的基板，且其翹曲度可以控制在比較低的數(shù)值，易于生產(chǎn)。需要說明的是，根據(jù)不同的疊層設(shè)計(jì)，可以選擇不同的材料，比如頂層阻焊劑層和底層阻焊劑層還可以是PFR-800AUSSR1。半固化片層采用的材料可以是GEA-700G1017N79、DS-7409HGB(I)等。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用選擇設(shè)置。以M為2，N為4為例的兩金屬層設(shè)置材料如表2所示，表2為本申請另一個實(shí)施例的材料示意表。表2為本申請另一個實(shí)施例的材料示意表層典型厚度[um]材料頂層阻焊劑層(TopSolderMask)15PFR-800AUSSR1第一層銅(1stLayerCopper)15Copper第-半固化片層(Prepreg)25GEA-700G1017N79第二層銅(2ndLayerCopper)15Copper芯層(Core)40Core-E700GR第三層銅(3rdLayerCopper)15Copper第二半固化片層(Prepreg)25GEA-700G1017N79第四層銅(OuterLayerCopper)15Copper底層阻焊劑層(BottomSolderMask)15PFR-800AUSSR1180總厚度(TotalThickness)如表2所示，第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層為第一層銅、第二層銅、第三層銅和第四層銅，且都是15um；頂層阻焊劑層和底層阻焊劑層采用的材料為PFR-800AUSSR1，且都是15um；芯層采用的材料是E700GR，且是40um。由此，該頂層阻焊劑層和底層阻焊劑層是干型阻焊劑，具有很好的熱循環(huán)阻抗和HAST阻抗特性。第一半固化片層和第二半固化片層采用的材料具有很高的轉(zhuǎn)換溫度(Tg)，高的彈性模量以及低的溫度膨脹系數(shù)。該芯層采用的材料具有很高的轉(zhuǎn)換溫度(Tg)，高的彈性模量以及低的溫度膨脹系數(shù)。由此，基板的總厚度為180um，材料根據(jù)板厚的不同而不同，通過該疊層設(shè)計(jì)，可以獲得低介電常數(shù),高耐熱性和低熱膨脹系數(shù)的基板，且其翹曲度比較好的。為了實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例，本發(fā)明還提出一種WIFI裝置。圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的WIFI裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，該WIFI裝置1包括上述實(shí)施例所述的用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板10。需要說明的是，前述對用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板實(shí)施例的解釋說明也適用于WIFI裝置，此處不再贅述?？梢岳斫獾氖?，在本示例的無線保真系統(tǒng)級封裝芯片中，無線保真(WIFI)基帶(BaseBand，BB)/媒體存取控制(MediaAccessControl，MAC)/射頻(RadioFrequency，PHY)處理單元包含一系統(tǒng)總線端口，使得無線保真(WIFI)處理單元可以通過系統(tǒng)總線端口與微控制器處理單元(MircoControllerUnit，MCU)連接，因而能夠提供高速操作運(yùn)行?？梢岳斫獾氖?，用戶端的系統(tǒng)總線僅靠存貯緩沖器(memorybuffer)的協(xié)助，而不靠任何橋接器(bridge)和/或IO接口的協(xié)助，數(shù)據(jù)、地址和控制信號沿著先進(jìn)高性能系統(tǒng)總線(AdvancedHighSpeedBuses,AHB)線，連接至微控制器處理單元。與系統(tǒng)總線的處理速度相比，橋接器和/或IO接口的處理速度通常較低。本申請實(shí)施例的WIFI裝置，包括通過形成在芯層之上的第一至第M金屬層，并形成在第M金屬層之上的頂層阻焊劑層，然后形成在芯層之下的第M+1至第N金屬層，最后形成在第N金屬層之下的底層阻焊劑層的基板。由此，能夠應(yīng)用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片，能夠提高其性能。為了實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例，本發(fā)明還提出一種家用電器。該家用電器1包括上述實(shí)施例所述的WIFI裝置。需要說明的是，前述對WIFI裝置實(shí)施例的解釋說明也適用于家用電器，此處不再贅述。為了實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例，本發(fā)明還提出一種用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板的形成方法。圖6是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板的形成方法的流程圖。如圖6所示，該用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板的形成方法包括以下步驟：步驟110，提供芯層。具體地，提供芯層具體包括：提供多個薄板層，將多個薄板層預(yù)浸在環(huán)氧樹脂之中，進(jìn)行加熱壓制以形成芯層。更具體地，在多層板的制造程序中，首先在一組未加工的雙面薄板層上，將每個面覆上銅。如果該表面將成為內(nèi)層的，這時就要進(jìn)行腐蝕。表面將成為外層的，將完全保留鍍銅。這些腐蝕的薄板層稱為芯層。在一個芯層上，相對的兩層之間的厚度取決于最初的薄板層的厚度。其中，芯層然后被堆疊在一起，在每對芯層之間夾一片預(yù)浸環(huán)氧樹脂材料。當(dāng)加熱和壓制的時候，這片材料將融化進(jìn)環(huán)氧樹脂膠中。預(yù)浸材料片的厚度決定芯層之間的間距。預(yù)浸材料固化進(jìn)堅(jiān)固的環(huán)氧樹指層，與芯層具有相同的介質(zhì)常數(shù)。芯層和預(yù)浸材料層是交替的。其中，由于預(yù)浸材料在加工程序中部分融化，在預(yù)浸材料的相對面上的走線，往往會下沉進(jìn)入融化的膠粘預(yù)浸材料中。準(zhǔn)確分析時要考慮走線到地的間隔，同時要考慮到，當(dāng)走線下沉進(jìn)預(yù)浸材料之中時，兩面布線層之間的距離將減少走線厚度的兩倍。而地層不會下沉進(jìn)預(yù)浸材料之中?？梢岳斫獾氖?，有時用芯層的一側(cè)來形成一個外層，其他情況下用一個金屬箔壓在預(yù)浸材料的頂層來形成外層。在這兩種情況中，外層都是一個完整的銅片。在預(yù)浸材料固化之后，再經(jīng)過裝配車間鉆孔。鉆孔穿透內(nèi)部和各層，與不同的銅層和焊盤相接觸，但是此時它們之間還沒有形成電氣連接。其中，電鍍步驟既包括鉆孔內(nèi)部表面電鍍，也包括電路板外部表面電鍍。為了節(jié)省電鍍材料和時間，除了鉆孔周圍和外層走線的周圍之外，大多數(shù)的生產(chǎn)商都把板子的外表面蓋住。在電鍍之后，外層走線比未加工的銅片要稍微厚一些。與內(nèi)層的增線相比較，由于它的附加厚度，使外層完成后的走線寬度具有非常大的不確定性。最后的步驟是腐蝕掉外層上不必要的銅，形成完成的板子。然后再鍍錫，涂上阻焊層在兩面進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。由此，材料根據(jù)板厚的不同而不同，通過該疊層設(shè)計(jì)，可以獲得低介電常數(shù),高耐熱性和低熱膨脹系數(shù)的基板，且其翹曲度比較好的。步驟120，在芯層之上形成第一至第M金屬層，其中，M為正整數(shù)。步驟130，在第M金屬層之上形成頂層阻焊劑層。步驟140，在芯層之下形成第M+1至第N金屬層。步驟150，在第N金屬層之下形成底層阻焊劑層。需要說明的是，前述對用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板實(shí)施例的解釋說明也適用于用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板的形成方法，此處不再贅述。在本申請的一個實(shí)施例中，將射頻元器件以水平布線方式焊接在第M金屬層上；將電源元器件以垂直布線方式焊接在第N金屬層上。本發(fā)明實(shí)施例的用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板的形成方法，通過提供芯層，并在芯層之上形成第一至第M金屬層，接著在第M金屬層之上形成頂層阻焊劑層，然后在芯層之下形成第M+1至第N金屬層，最后在第N金屬層之下形成底層阻焊劑層。由此，能夠形成應(yīng)用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的基板，提高無線保真系統(tǒng)級封裝芯片的性能?；谏鲜鰧?shí)施例，為了進(jìn)一步提高基板的適用性，可以在在第一至第N金屬層的形成過程中，在任意兩個金屬層之間形成半固化片層。由此，通過上述疊層設(shè)計(jì)的基板，用于無線保真系統(tǒng)級封裝芯片，能夠提高其性能。在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個或多個實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個”的含義是至少兩個，例如兩個，三個等，除非另有明確具體的限定。流程圖中或在此以其他方式描述的任何過程或方法描述可以被理解為，表示包括一個或更多個用于實(shí)現(xiàn)定制邏輯功能或過程的步驟的可執(zhí)行指令的代碼的模塊、片段或部分，并且本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的范圍包括另外的實(shí)現(xiàn)，其中可以不按所示出或討論的順序，包括根據(jù)所涉及的功能按基本同時的方式或按相反的順序，來執(zhí)行功能，這應(yīng)被本發(fā)明的實(shí)施例所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員所理解。在流程圖中表示或在此以其他方式描述的邏輯和/或步驟，例如，可以被認(rèn)為是用于實(shí)現(xiàn)邏輯功能的可執(zhí)行指令的定序列表，可以具體實(shí)現(xiàn)在任何計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中，以供指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備(如基于計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)、包括處理器的系統(tǒng)或其他可以從指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備取指令并執(zhí)行指令的系統(tǒng))使用，或結(jié)合這些指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備而使用。就本說明書而言，"計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)"可以是任何可以包含、存儲、通信、傳播或傳輸程序以供指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備或結(jié)合這些指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備而使用的裝置。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的更具體的示例(非窮盡性列表)包括以下：具有一個或多個布線的電連接部(電子裝置)，便攜式計(jì)算機(jī)盤盒(磁裝置)，隨機(jī)存取存儲器(RAM)，只讀存儲器(ROM)，可擦除可編輯只讀存儲器(EPROM或閃速存儲器)，光纖裝置，以及便攜式光盤只讀存儲器(CDROM)。另外，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)甚至可以是可在其上打印所述程序的紙或其他合適的介質(zhì)，因?yàn)榭梢岳缤ㄟ^對紙或其他介質(zhì)進(jìn)行光學(xué)掃描，接著進(jìn)行編輯、解譯或必要時以其他合適方式進(jìn)行處理來以電子方式獲得所述程序，然后將其存儲在計(jì)算機(jī)存儲器中。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的各部分可以用硬件、軟件、固件或它們的組合來實(shí)現(xiàn)。在上述實(shí)施方式中，多個步驟或方法可以用存儲在存儲器中且由合適的指令執(zhí)行系統(tǒng)執(zhí)行的軟件或固件來實(shí)現(xiàn)。如，如果用硬件來實(shí)現(xiàn)和在另一實(shí)施方式中一樣，可用本領(lǐng)域公知的下列技術(shù)中的任一項(xiàng)或他們的組合來實(shí)現(xiàn)：具有用于對數(shù)據(jù)信號實(shí)現(xiàn)邏輯功能的邏輯門電路的離散邏輯電路，具有合適的組合邏輯門電路的專用集成電路，可編程門陣列(PGA)，現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)等。本
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法攜帶的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，包括方法實(shí)施例的步驟之一或其組合。此外，在本發(fā)明各個實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個處理模塊中，也可以是各個單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個模塊中。上述集成的模塊既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)。所述集成的模塊如果以軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時，也可以存儲在一個計(jì)算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中。上述提到的存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。當(dāng)前第1頁1 2 3