1.一種基于芯片級封裝的發(fā)光二極管，其特征在于：包括自下而上依次設(shè)置的倒裝LED芯片、熒光膠層、透明介質(zhì)層以及在透明介質(zhì)層上制備的周期性納米圖形結(jié)構(gòu)；所述周期性納米圖形結(jié)構(gòu)的周期為10～5000 nm，高度為10～5000 nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于芯片級封裝的發(fā)光二極管，其特征在于：所述周期性納米圖形結(jié)構(gòu)的圖形是具有周期結(jié)構(gòu)的半球形、圓錐形、金字塔形或三角形中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于芯片級封裝的發(fā)光二極管，其特征在于：所述周期性納米圖形結(jié)構(gòu)的圖形排列方式為正方晶格、三角晶格或蜂窩晶格中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于芯片級封裝的發(fā)光二極管，其特征在于：所述熒光膠層的材料為熒光粉和硅膠的混合體或量子點(diǎn)中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于芯片級封裝的發(fā)光二極管，其特征在于：所述熒光粉和硅膠的混合體，其中熒光粉的含量占總體的1%～20%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于芯片級封裝的發(fā)光二極管，其特征在于：所述周期性納米圖形結(jié)構(gòu)采用納米壓印技術(shù)制備。