技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種基于芯片級(jí)封裝的發(fā)光二極管，包括自下而上依次設(shè)置的倒裝LED芯片、熒光膠層、透明介質(zhì)層以及在透明介質(zhì)層上制備的周期性納米圖形結(jié)構(gòu)；所述周期性納米圖形結(jié)構(gòu)的周期為10～2000?nm，高度為10～2000?nm。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：本發(fā)明基于芯片級(jí)封裝的發(fā)光二極管，采用在發(fā)光源的出光面上制作周期性納米圖形結(jié)構(gòu)，通過(guò)調(diào)整納米圖形的周期和高度，能夠增加LED芯片出射光的透過(guò)率，從而能夠有效地提高LED的發(fā)光效率和亮度。

技術(shù)研發(fā)人員：梁宗文;陳宜方;陸冰睿;吳自力;孫智江
受保護(hù)的技術(shù)使用者：海迪科（南通）光電科技有限公司
文檔號(hào)碼：201710120218
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.02
技術(shù)公布日：2017.05.31