技術(shù)特征：

1.一種氮化鎵薄膜材料外延生長的方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底表面形成緩沖層；

在所述緩沖層上形成氮化鎵子層；

刻蝕部分所述氮化鎵子層；

多次重復(fù)所述形成氮化鎵子層以及刻蝕部分所述氮化鎵子層的步驟，在所述緩沖層表面形成氮化鎵層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵薄膜材料外延生長的方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝刻蝕部分所述氮化鎵子層，所述干法刻蝕工藝采用的氣體包括刻蝕氣體和載氣，所述刻蝕氣體為Cl₂或F₂。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化鎵薄膜材料外延生長的方法，其特征在于，所述干法刻蝕工藝采用的氣體中，Cl₂或F₂的流量為2slm～10slm，體積比為2％～10％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵薄膜材料外延生長的方法，其特征在于，所述氮化鎵子層的厚度為200nm～800nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵薄膜材料外延生長的方法，其特征在于，所述氮化鎵層的厚度為1μm～8μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵薄膜材料外延生長的方法，其特征在于，在形成氮化鎵子層后，中止生長一預(yù)設(shè)時(shí)間后，再對(duì)所述氮化鎵子層進(jìn)行刻蝕。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氮化鎵薄膜材料外延生長的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為1s～60min。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵薄膜材料外延生長的方法，其特征在于，所述緩沖層的材料包括三氧化二鋁、氧化鉿、氧化鈦、氮化鈦、氮化鋁、氮化鋁鎵或氮化鎵中的一種或多種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵薄膜材料外延生長的方法，其特征在于，所述襯底材料包括藍(lán)寶石、碳化硅、硅、氧化鋅、氧化鋁、鋁酸鋰或氮化鎵中的一種或多種。