技術(shù)總結(jié)
一種氮化鎵薄膜材料外延生長的方法，包括：提供襯底；在所述襯底表面形成緩沖層；在所述緩沖層上形成氮化鎵子層；刻蝕部分所述氮化鎵子層；多次重復(fù)所述形成所述氮化鎵子層以及刻蝕部分所述氮化鎵子層的步驟，在所述緩沖層表面形成氮化鎵層。上述方法可以形成低位錯密度、高晶體質(zhì)量的氮化鎵層。

技術(shù)研發(fā)人員：閆發(fā)旺;張峰;趙倍吉;劉春雪;李晨
受保護的技術(shù)使用者：上海新傲科技股份有限公司
文檔號碼：201710122952
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.03
技術(shù)公布日：2017.06.20