本申請一般涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及陣列基板的制作方法。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)，如LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)顯示、OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示、柔性顯示等的不斷發(fā)展，顯示面板廣泛應(yīng)用于各行各業(yè)中。但是顯示面板較高的生產(chǎn)成本仍然成為阻礙其進(jìn)一步發(fā)展的一個(gè)因素。

顯示面板中通常包括陣列基板，其中，陣列基板的制作過程最為復(fù)雜。一般來說，在陣列基板中包括薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)，薄膜晶體管包括柵電極、柵電極絕緣層、有源層、源漏極層等等。在制作薄膜晶體管時(shí)，通常利用掩膜版曝光顯影，進(jìn)而刻蝕出每一層需要的圖案。在現(xiàn)有技術(shù)中，制備CMOS型的陣列基板需要12道MASK。這樣使得制備陣列基板的成本和復(fù)雜度都很高，同時(shí)制作的陣列基板的質(zhì)量也難以保證。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法，以解決背景技術(shù)中所述的至少部分技術(shù)問題。

本申請實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，上述方法包括提供一襯底基板；在襯底基板一側(cè)形成多晶硅層；在多晶硅層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)形成第一絕緣層；在第一絕緣層遠(yuǎn)離多晶硅層的一側(cè)形成第一光阻層；對第一光阻層曝光顯影，使得經(jīng)過曝光顯影后的第一光阻層具有用于形成P型薄膜晶體管有源區(qū)的第一圖形結(jié)構(gòu)和用于形成N型薄膜晶體管有源區(qū)的第二圖形結(jié)構(gòu)；其中，第一圖形結(jié)構(gòu)包括用于形成P型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)的第一區(qū)域和用于形成P型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)的第二區(qū)域；第一區(qū)域具有第一厚度，第二區(qū)域具有第二厚度；第二圖形結(jié)構(gòu)各處具有第三厚度；第一厚度大于第三厚度，且第三厚度大于第二厚度；對第一光阻層、第一絕緣層和多晶硅層進(jìn)行刻蝕，使得刻蝕后的多晶硅層具有P型薄膜晶體管有源區(qū)結(jié)構(gòu)以及N型薄膜晶體管有源區(qū)結(jié)構(gòu)；刻蝕后的P型薄膜晶體管有源區(qū)包括重?fù)诫s區(qū)和溝道區(qū)；刻蝕后的第一光阻層向多晶硅層的正投影與P型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)重合；刻蝕后的第一絕緣層向多晶硅層的正投影與P型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)以及N型薄膜晶體管有源區(qū)重合；對多晶硅層進(jìn)行第一離子注入，使得第一離子注入后的多晶硅層包括摻雜的P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)和摻雜的N型薄膜晶體管的有源區(qū)；其中，第二圖形結(jié)構(gòu)向多晶硅層的正投影與N型薄膜晶體管有源區(qū)重合，第一圖形結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和第二區(qū)域向多晶硅層的正投影分別與P型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)和重?fù)诫s區(qū)重合。

可選的，對第一光阻層曝光顯影，包括使用預(yù)設(shè)半色調(diào)掩膜版對第一光阻層曝光。

可選的，預(yù)設(shè)半色調(diào)掩膜版包括第一部分透光區(qū)、第二部分透光區(qū)、不透光區(qū)以及透光區(qū)；第一部分透光區(qū)向第一光阻層的正投影與第二圖形結(jié)構(gòu)重合；第二部分透光區(qū)向第一光阻層的正投影與第一圖形結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域重合；不透光區(qū)向第一光阻層的正投影與第一圖形結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域重合；第一部分透光區(qū)的光透過率小于第二部分透光區(qū)的光透過率。

可選的，所述第一部分透光區(qū)的光透過率與所述第二部分透光區(qū)的光透過率滿足如下關(guān)系：1:8<T1:T2<1:2；其中T1為所述第一部分透光區(qū)的光透過率，T2為所述第二部分透光區(qū)的光透過率。

可選的，第一離子注入為硼離子注入，硼離子注入的工藝參數(shù)為：離子能量大于等于8Kev；注入離子單位面積數(shù)量大于等于4.5E14/cm²。

可選的，N型薄膜晶體管有源區(qū)包括重?fù)诫s區(qū)、輕摻雜區(qū)、溝道區(qū)；在對多晶硅層進(jìn)行第一離子注入之后，方法還包括：在第一絕緣層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)形成第二光阻層，并對第二光阻層進(jìn)行曝光顯影，使得曝光顯影后的第二光阻層覆蓋N型薄膜晶體管有源區(qū)的輕摻雜區(qū)、N型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)以及P型薄膜晶體管的有源區(qū)；對多晶硅層進(jìn)行第二離子注入，以使第二離子注入后的多晶硅層中形成摻雜的N型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)。

可選的，在襯底基板一側(cè)形成多晶硅層之前，方法還包括：在襯底基板之上形成遮光層，遮光層包括多個(gè)遮光結(jié)構(gòu)，每一個(gè)遮光結(jié)構(gòu)向多晶硅層的正投影至少覆蓋一個(gè)P型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)或者至少覆蓋一個(gè)N型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)；多晶硅層形成在遮光層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)。

可選的，在對多晶硅層進(jìn)行第二離子注入之后，方法還包括：移除第二光阻層；在第一絕緣層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)形成第二絕緣層，第二絕緣層覆蓋襯底基板；在第二絕緣層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)形成第一金屬層；對第一金屬層進(jìn)行圖形化處理，以使在經(jīng)過圖形化處理后的第一金屬層中形成N型薄膜晶體管的柵極，以及P型薄膜晶體管的柵極，其中，N型薄膜晶體管的柵極覆蓋N型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)，P型薄膜晶體管的柵極覆蓋P型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)。

可選的，在對第一金屬層進(jìn)行圖形化處理之后，方法還包括：對多晶硅層進(jìn)行第三離子注入，以形成摻雜的N型薄膜晶體管的輕摻雜區(qū)。

可選的，在對多晶硅層進(jìn)行第三離子注入之后，方法還包括：在第一金屬層遠(yuǎn)離第二絕緣層的一側(cè)形成第三絕緣層，形成的第三絕緣層覆蓋襯底基板；對第三絕緣層及第二絕緣層形成過孔，露出部分N型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)、部分P型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)。

可選的，在對第三絕緣層及第二絕緣層形成過孔之后，方法還包括：在第三絕緣層遠(yuǎn)離第一金屬層的一側(cè)形成第二金屬層，使得形成的第二金屬層通過過孔與N型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)以及P型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)電連接；對第二金屬層進(jìn)行圖形化處理，使得圖形化處理后的第二金屬層包括N型薄膜晶體管的源/漏電極與P型薄膜晶體管的源/漏電極；其中N型薄膜晶體管的源/漏電極通過過孔與N型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)連接，P型薄膜晶體管的源/漏電極通過過孔與P型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)連接。

可選的，第三離子注入和第二離子注入中所注入的離子均為磷離子；第三離子注入所注入的磷離子的濃度低于第二離子注入所注入的磷離子的濃度。

本申請?zhí)峁┑年嚵谢宓闹谱鞣椒?，通過首先對形成有多晶硅層、第一絕緣層以及第一光阻層的襯底基板使用預(yù)設(shè)半色調(diào)掩膜版進(jìn)行一次曝光顯影，然后刻蝕上述多晶硅層、第一絕緣層和第一光阻層以在多晶硅層中形成N型薄膜晶體管有源區(qū)的圖形結(jié)構(gòu)和P型薄膜晶體管有源區(qū)的圖形結(jié)構(gòu)；且刻蝕后形成的P型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)上方殘留有第一絕緣層以及第一光阻層；再對多晶硅層進(jìn)行第一離子注入形成摻雜的P型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)和摻雜的N型薄膜晶體管的有源區(qū)。相比在分別形成N型薄膜晶體管有源區(qū)的圖形結(jié)構(gòu)和P型薄膜晶體管有源區(qū)的圖形結(jié)構(gòu)的制作過程、形成摻雜的P形薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)的制作過程以及形成N型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)的制作過程中各自需要使用一次掩膜版，本申請實(shí)施例提供的方案，減少了使用掩膜版的次數(shù)，可以降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本申請的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會變得更明顯：

圖1為本申請實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的流程圖；

圖2A為本申請實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法中多晶硅層、第一絕緣層和光阻層形成工藝的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2B為本申請實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法中多晶硅層、第一絕緣層和光阻層形成工藝的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3A為本申請實(shí)施例提供的陣列基板制作方法中對第一光阻層曝光顯影工藝后的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3B為圖3A沿虛線m1和m1’截取的截面結(jié)構(gòu)組合示意圖；

圖3C為本申請陣列基板制作方法中一些實(shí)施例提供的對圖3A所示第一光阻層曝光的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4A為本申請實(shí)施例提供的陣列基板制作方法中對第一光阻層、第一絕緣層和多晶層進(jìn)行刻蝕工藝后的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4B為沿圖4A所示虛線m2和m2’截取的截面結(jié)構(gòu)組合示意圖；

圖5為本申請?zhí)峁┑年嚵谢逯谱鞣椒ㄖ袑Χ嗑Ч鑼舆M(jìn)行第一離子摻雜工藝的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6A為本申請陣列基板制作方法中一些實(shí)施例提供的第二離子注入工藝的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6B為沿圖6A所示虛線m3和m3’截取的截面結(jié)構(gòu)組合示意圖；

圖7A為本申請陣列基板制作方法中一些實(shí)施例提供的形成P型薄膜晶體管柵極和N型薄膜晶體管柵極后的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7B為沿圖7A所示虛線m4和m4’截取的截面結(jié)構(gòu)組合示意圖；

圖8為本申請陣列基板制作方法中一些實(shí)施例提供的第三離子注入工藝的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9A為本申請陣列基板制作方法中一些實(shí)施例提供的形成的過孔與N型薄膜晶體管有源區(qū)及P型薄膜晶體管有源區(qū)的相對位置關(guān)系示意圖；

圖9B為沿圖9A所示虛線m5截取的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10A為本申請陣列基板制作方法中一些實(shí)施例提供N型薄膜晶體管的源/漏電極與N型薄膜晶體管有源區(qū)、P型薄膜晶體管的源/漏電極與P型薄膜晶體管有源區(qū)的相對位置關(guān)系示意圖；

圖10B為沿圖10A所示虛線m6和m6’截取的截面組合結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本申請作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對該發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與有關(guān)發(fā)明相關(guān)的部分。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本申請。

請參考圖1，其為本申請實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的流程圖100。如圖1所示，本申請的陣列基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟101，提供一襯底基板。

在本實(shí)施例中，襯底基板例如可以為滿足一定光透過率的硬質(zhì)基板如玻璃基板等。此外，襯底基板還可以為柔性基板如聚酰亞胺基板等。

步驟102，在襯底基板一側(cè)形成多晶硅層。

在本實(shí)施例中，在襯底基板一側(cè)制備多晶硅層203時(shí)，例如可以使用傳統(tǒng)的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)制備非晶硅層，然后用激光晶化方法將非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層?；蛘呖梢允褂酶邷鼗瘜W(xué)氣相沉積方法制作多晶硅層。

步驟103，在多晶硅層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)形成第一絕緣層。

在本實(shí)施例中，例如可以使用化學(xué)氣相沉積方法在多晶硅層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)形成第一絕緣層。第一絕緣層的材料例如可以為硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)等。具體地在形成第一絕緣層時(shí)例如可以在一定的壓力和溫度的條件下，由氣體SiH₄和N₂O按一定的比例共同沉積而成第一絕緣層。

此外，還可以使用傳統(tǒng)等離子化學(xué)氣相沉積法形成多晶硅層以及第一絕緣層，然后再使用激光晶化方法將非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅。

步驟104，在第一絕緣層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)形成第一光阻層。

在本實(shí)施例中，可以在第一絕緣層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)涂布一層第一光阻層。第一光阻層例如可以是光刻膠，在本實(shí)施例中，光刻膠例如可以為正性光刻膠。在本申請實(shí)施例中基于光刻膠為正性光刻膠來進(jìn)行闡述?？梢岳斫獾氖牵饪棠z也可以為負(fù)性光刻膠，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下采用負(fù)性光刻膠來實(shí)現(xiàn)本申請中的實(shí)施例。

步驟105，對第一光阻層曝光顯影，使得經(jīng)過曝光顯影后的第一光阻層具有用于形成P型薄膜晶體管有源區(qū)的第一圖形結(jié)構(gòu)和用于形成N型薄膜晶體管有源區(qū)的第二圖形結(jié)構(gòu)。

在本實(shí)施例中，當(dāng)光刻膠為正性光刻膠時(shí)，可以使用紫外線透過具有預(yù)定圖形的掩膜版對第一光阻層進(jìn)行曝光。然后使用顯影夜除去被紫外線曝光部分的第一光阻層。

顯影后的第一光阻層中可以形成有用于形成P型薄膜晶體管有源區(qū)的第一圖形結(jié)構(gòu)和用于形成N型薄膜晶體管有源區(qū)的第二圖形結(jié)構(gòu)。

第一圖形結(jié)構(gòu)可以包括用于形成P型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)(以下簡稱P型薄膜晶體管的溝道區(qū))的第一區(qū)域和用于形成P型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)(以下簡稱P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū))的第二區(qū)域。第一區(qū)域可以具有第一厚度，第二區(qū)域可以具有第二厚度；第二圖形結(jié)構(gòu)各處可以具有第三厚度。第一厚度大于第三厚度，且第三厚度大于第二厚度。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，上述對第一光阻層進(jìn)行曝光的具有預(yù)定圖形的掩膜板例如可以為預(yù)設(shè)半色調(diào)掩膜版。也就是說可以使用預(yù)設(shè)半色調(diào)掩膜板對第一光阻層進(jìn)行曝光以使第一光阻層具有用于形成P型薄膜晶體管有源區(qū)的第一圖形結(jié)構(gòu)和用于形成N型薄膜晶體管有源區(qū)的第二圖形結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步可選地，上述預(yù)設(shè)半色調(diào)掩膜版可以包括第一部分透光區(qū)、第二部分透光區(qū)、不透光區(qū)和透光區(qū)。

第一部分透光區(qū)向第一光阻層的正投影與用于制作N型薄膜晶體管有源區(qū)的第二圖形結(jié)構(gòu)重合。

第二部分透光區(qū)向第一光阻層的正投影與用于制作P型薄膜晶體管有源區(qū)的第一圖形結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域重合。

不透光區(qū)向第一光阻層的正投影與制作P型薄膜晶體管有源區(qū)的第一圖形結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域重合。

第一部分透光區(qū)的光透過率低于第二部分透光區(qū)的光透過率。

在本實(shí)施例中，上述半色調(diào)掩膜板中的透光區(qū)向第一光阻層的投影與第一光阻層中用于形成N型薄膜晶體管的第二圖形結(jié)構(gòu)和用于形成P型薄膜晶體管的第一圖形結(jié)構(gòu)之外的區(qū)域重合。在曝光時(shí)，紫外線可以完全通過半色調(diào)掩膜版對該部分的第一光阻層完全曝光，在顯影后該部分的第一光阻層無保留。

由于不透光區(qū)向第一光阻層的正投影與用于形成P型薄膜晶體管有源區(qū)的第一圖形結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域重合，這樣，在曝光時(shí)，紫外線無法照射到組成第一圖形結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域的第一光阻層部分上，因此在顯影后，該部分的第一光阻層完全保留。

第一部分透光區(qū)和第二部分透光區(qū)均為部分透光區(qū)，這樣在使用紫外線透過半色調(diào)掩膜版對第一光阻層曝光時(shí)，組成第二圖形結(jié)構(gòu)的第一光阻層部分和組成第一圖形結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域的第一光阻層部分各自有不同厚度的第一光阻層被紫外線曝光。在顯影后，各自被曝光的第一光阻層部分被移除。也就是說，在顯影后，組成第二圖形結(jié)構(gòu)的第一光阻層部分和組成第一圖形結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域的第一光阻層部分各自保留有一定厚度的第一光阻層。由于第一部分透光區(qū)的光透過率低于第二部分透光區(qū)的光透過率，使得組成第二圖形結(jié)構(gòu)的第一光阻層部分在使用預(yù)設(shè)半色調(diào)掩膜版曝光顯影后所保留的厚度大于組成第一圖形結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域的第一光阻層部分在使用預(yù)設(shè)半色調(diào)掩膜板曝光顯影后所保留的厚度。

可選地，例如第一部分透光區(qū)的光透過率為T1，第二部分透光區(qū)的光透過率為T2。第一部分透光區(qū)的光透過率與第二部分透光區(qū)的光透過率滿足如下關(guān)系：1:8<T1:T2<1:2。設(shè)置第一部分透光區(qū)的光透過率和第二部分透光區(qū)的光透過率之間的比例關(guān)系，可以使得組成第一圖形結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域的第一光阻層部分的厚度與組成第二圖形結(jié)構(gòu)的第一光阻層部分的厚度滿足一定的比例關(guān)系，便于后續(xù)刻蝕工藝的控制。

步驟106，對第一光阻層、第一絕緣層和多晶硅層進(jìn)行刻蝕，使得刻蝕后的多晶硅層具有P型薄膜晶體管有源區(qū)結(jié)構(gòu)以及N型薄膜晶體管有源區(qū)結(jié)構(gòu)。

對第一光阻層、第一絕緣層和多晶硅層進(jìn)行刻蝕時(shí)，可以采用濕法刻蝕方法進(jìn)行刻蝕，也可以采用干法刻蝕方法刻蝕。

在本實(shí)施例中，以使用干法刻蝕方法對第一光阻層、第一絕緣層和多晶硅層進(jìn)行刻蝕為例來進(jìn)行說明。在以干法刻蝕方法刻蝕第一光阻層、第一絕緣層和多晶硅層時(shí)，具體刻蝕步驟如下：

首先刻蝕掉未被第一光阻層覆蓋的第一絕緣層部分及未被光阻層覆蓋的多晶硅層部分。

然后刻蝕第一光阻層。由于組成第一圖形結(jié)構(gòu)中的第二區(qū)域的第一光阻層部分的厚度較薄，首先將此部分第一光阻層刻蝕掉，裸露出上述第二區(qū)域原本覆蓋的第一絕緣層部分。停止刻蝕第一光阻層。此時(shí)組成第一圖形結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域的第一光阻層部分以及組成第二圖形結(jié)構(gòu)的第一光阻層部分各自仍保留有第一光阻層(此時(shí)組成第一圖形結(jié)構(gòu)中的第一區(qū)域的第一光阻層部分的厚度與組成第二圖形結(jié)構(gòu)的第一光阻層部分的厚度比未刻蝕前變薄)。

接著刻蝕組成第一圖形結(jié)構(gòu)中的第二區(qū)域的第一光阻層部分所覆蓋的第一絕緣層，直至露出多晶硅層為止。

最后再刻蝕第一光阻層，由于組成第一圖形結(jié)構(gòu)的第一光阻層部分的厚度較組成第二圖形結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域的第一光阻層部分的厚度薄，因此，組成第一圖形結(jié)構(gòu)的第一光阻層部分先被刻蝕完。當(dāng)組成第一圖形結(jié)構(gòu)中的第一光阻層部分被刻蝕完成后，停止刻蝕第一光阻層。此時(shí)，第二圖形結(jié)構(gòu)中的第一區(qū)域仍保留有第一光阻層，但其厚度又變薄。

經(jīng)過上述刻蝕步驟后的多晶硅層中形成了P型薄膜晶體管有源區(qū)結(jié)構(gòu)和N型薄膜晶體管有源區(qū)結(jié)構(gòu)。多晶硅層中形成的P型薄膜晶體管有源區(qū)可以包括重?fù)诫s區(qū)和溝道區(qū)。多晶硅層中形成的N型薄膜晶體管有源區(qū)結(jié)構(gòu)可以包括重?fù)诫s區(qū)、輕摻雜區(qū)、溝道區(qū)。被刻蝕后的第一光阻層向多晶硅層的正投影與P型薄膜晶體管的溝道區(qū)重合。刻蝕后的第一絕緣層向多晶硅層的正投影與N型薄膜晶體管有源區(qū)以及P型薄膜晶體管的溝道區(qū)重合。也就是說，對于刻蝕后的多晶硅層，其上的N形薄膜晶體管的有源區(qū)之上覆蓋一層第一絕緣層；其上的P形薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)是裸露的，而P型薄膜晶體管的溝道區(qū)被一層第一絕緣層和一層光阻層覆蓋。

在本實(shí)施例中，上述干法刻蝕例如可以為等離子體刻蝕方法。當(dāng)使用等離子體刻蝕方法進(jìn)行刻蝕時(shí)，具體地，例如在刻蝕第一絕緣層時(shí)，可以使用四氟化碳的氣體來刻蝕；在刻蝕多晶硅層時(shí)可以使用氯氣來刻蝕；在刻蝕第一光阻層時(shí)可以使用氧氣來刻蝕。可以在不同步驟中更換刻蝕氣體來完成上述刻蝕。

步驟107，對多晶硅層進(jìn)行第一離子注入，使得第一離子注入后的多晶硅層包括摻雜的P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)和摻雜的N型薄膜晶體管的有源區(qū)。

在本實(shí)施例中，在進(jìn)行第一離子注入時(shí)，可以在各個(gè)方位注入相同濃度的第一離子，由于P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)是裸露的，因此注入到P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)的第一離子數(shù)量最多。N型薄膜晶體管的有源區(qū)上方覆蓋一層第一絕緣層，第一離子可以穿透第一絕緣層注入到N型薄膜晶體管的有源區(qū)中，但注入到N型薄膜晶體管的有源區(qū)的第一離子的數(shù)量比注入到P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)的數(shù)量要少。同時(shí)，由于P型薄膜晶體管的溝道區(qū)被一層第一絕緣層和一層光阻層覆蓋，第一離子幾乎無法注入到P型薄膜晶體管的溝道區(qū)中。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，上述第一離子為硼離子。具體地硼離子注入的工藝參數(shù)為：離子能量大于等于8Kev；注入離子單位面積數(shù)量大于等于4.5E14/cm²。使用上述的注入工藝參數(shù)可以形成摻雜的P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)和摻雜的N型薄膜晶體管的有源區(qū)。

這樣，在本實(shí)施例中，通過使用預(yù)設(shè)半色調(diào)掩膜版對第一光阻層曝光顯影，然后通過刻蝕第一光阻層、第一絕緣層和多晶硅層就可以在多晶硅層中形成P型薄膜晶體管有源區(qū)結(jié)構(gòu)以及N型薄膜晶體管有源區(qū)結(jié)構(gòu)，然后進(jìn)行第一離子注入就可以同時(shí)形成摻雜的P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)和摻雜的N型薄膜晶體管的有源區(qū)。其中摻雜的N型薄膜晶體管的有源區(qū)中的一部分可以直接形成溝道區(qū)。也就是說在第一離子注入時(shí)同時(shí)形成了摻雜的P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)和摻雜的N型薄膜晶體管的溝道區(qū)?，F(xiàn)有的工藝中，有源區(qū)結(jié)構(gòu)的刻蝕、N型薄膜晶體管的溝道區(qū)的摻雜和P型薄膜晶體管的重?fù)絽^(qū)的摻雜分別需要一道掩膜版，而在本申請的陣列基板的制作方法中，只需要一道半色調(diào)掩膜版就可以完成三道工藝，因此，本申請節(jié)省了制作陣列基板所使用的掩膜版，減少了工藝步驟，降低了生產(chǎn)成本，并且可以提高良率。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，在對上述多晶硅層進(jìn)行第一離子注入之后，陣列基板的制作方法還包括：在第一絕緣層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)形成第二光阻層，并使用另一個(gè)掩膜版對第二光阻層進(jìn)行曝光顯影，使得曝光顯影后的第二光阻層覆蓋N型薄膜晶體管有源區(qū)的輕摻雜區(qū)(以下簡稱N型薄膜晶體管的輕摻雜區(qū))、N型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)(以下簡稱N型薄膜晶體管的溝道區(qū))以及P型薄膜晶體管的有源區(qū)。第二光阻層的材料例如可以為正性光刻膠。

對多晶硅層進(jìn)行第二離子注入，以使第二離子注入后的多晶硅層中形成摻雜的N型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)(以下簡稱N型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū))。第二離子例如可以為磷離子。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，在襯底基板一側(cè)形成多晶硅層之前，可以在襯底基板之上形成遮光層。上述遮光層中可以包括多個(gè)遮光結(jié)構(gòu)。每一個(gè)遮光結(jié)構(gòu)向多晶硅層的正投影至少覆蓋一個(gè)P型薄膜晶體管的溝道區(qū)或者至少覆蓋一個(gè)N型薄膜晶體管的溝道區(qū)。設(shè)置遮光層的好處是，遮光層可以遮住來自襯底基板遠(yuǎn)離遮光層一側(cè)的光線，以避免光線透過襯底基板進(jìn)入到溝道區(qū)從而降低薄膜晶體管的性能。多晶硅層形成在遮光層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，在預(yù)先形成有遮光層的陣列基板上進(jìn)行第二離子注入后，移除第二光阻層。然后在第一絕緣層之上也即在第一絕緣層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)形成第二絕緣層，第二絕緣層覆蓋襯底基板。接著在第二絕緣層之上也就是第二絕緣層遠(yuǎn)離第一絕緣層的一側(cè)形成第一金屬層。對第一金屬層進(jìn)行圖形化處理，以使在經(jīng)過圖形化處理后的第一金屬層中形成N型薄膜晶體管的柵極，以及P型薄膜晶體管的柵極。形成的N型薄膜晶體管的柵極覆蓋N型薄膜晶體管的溝道區(qū)。形成的P型薄膜晶體管的柵極覆蓋P型薄膜晶體管的溝道區(qū)。

進(jìn)一步地，可以使用具有預(yù)設(shè)形狀的又一個(gè)掩膜板對第一金屬層進(jìn)行圖形化處理，以使在經(jīng)過圖形化處理后的第一金屬層中形成N型薄膜晶體管的柵極，以及P型薄膜晶體管的柵極。具體地，可以在第一金屬層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)形成第三光阻層，然后使用具有預(yù)設(shè)形狀的上述又一個(gè)掩膜版對第三光阻層進(jìn)行曝光，然后對第三光阻層進(jìn)行顯影露出用于制作N型薄膜晶體管的柵極的第一金屬層部分以及用于制作P型薄膜晶體管的柵極的第一金屬層部分，然后刻蝕第一金屬層形成N型薄膜晶體管的柵極，以及P型薄膜晶體管的柵極。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，在對第一金屬層進(jìn)行圖形化處理之后，可以對多晶硅層進(jìn)行第三離子注入，以形成摻雜的N型薄膜晶體管的輕摻雜區(qū)。此處，注入的第三離子可以為與注入的第二離子相同。例如第三離子和第二離子均可以為磷離子。注入的第三離子的濃度可以低于第二離子的濃度。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，在對多晶硅層進(jìn)行第三離子注入之后，可以在第一金屬層遠(yuǎn)離第二絕緣層的一側(cè)形成第三絕緣層，形成的第三絕緣層覆蓋襯底基板。對第三絕緣層及第二絕緣層形成過孔，露出部分N型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)、部分P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)。在形成過孔時(shí)，可以再一次使用掩膜版對第二絕緣層和第三絕緣層進(jìn)行圖案化處理。處理的過程可以參考形成P形薄膜晶體管有源區(qū)和N型薄膜晶體管有源區(qū)的過程。此處不贅述。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，在對第三絕緣層及第二絕緣層形成過孔之后，可以在第三絕緣層遠(yuǎn)離第一金屬層的一側(cè)形成第二金屬層，使得形成的第二金屬層通過過孔與N型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)，P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)電連接。然后對第二金屬層進(jìn)行圖案化處理，使得圖案化處理后的第二金屬層包括N型薄膜晶體管的源/漏電極與P型薄膜晶體管的源/漏電極。在對第二金屬層進(jìn)行圖案化處理的時(shí)候，可以又一次使用掩膜版對第二金屬層進(jìn)行圖案化處理。其中，N型薄膜晶體管的源/漏電極通過過孔與N型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)連接，P型薄膜晶體管的源/漏電極通過過孔與P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)連接。

本實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法，通過首先對形成有多晶硅層、第一絕緣層以及第一光阻層的襯底基板使用預(yù)設(shè)半色調(diào)掩膜版進(jìn)行一次曝光顯影，然后對多晶硅層、第一絕緣層和第一光阻層刻蝕以在多晶硅層中形成N型薄膜晶體管有源區(qū)的圖形結(jié)構(gòu)和P型薄膜晶體管有源區(qū)的圖形結(jié)構(gòu)；刻蝕后形成的P型薄膜管的溝道區(qū)上方殘留有第一絕緣層以及第一光阻層；再對多晶硅層進(jìn)行第一離子注入形成摻雜的P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)和摻雜的N型薄膜晶體管的有源區(qū)，摻雜的N型薄膜晶體管的有源區(qū)包括溝道區(qū)。相比在分別形成N型薄膜晶體管有源區(qū)的圖形結(jié)構(gòu)、形成P型薄膜晶體管有源區(qū)的圖形結(jié)構(gòu)、形成摻雜的P形薄膜晶體管重?fù)诫s區(qū)以及形成N型薄膜晶體管的溝道區(qū)的各個(gè)制作過程中均需要使用一次掩膜版，本實(shí)施例提供的方案，減少了使用掩膜版的次數(shù)，從而可以降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。

下面結(jié)合本申請的陣列基板的制作方法的各中間態(tài)的平面結(jié)構(gòu)示意圖和各中間態(tài)的截面結(jié)構(gòu)示意圖來具體描述陣列基板的制作工藝流程。

請結(jié)合圖2A和圖2B，圖2A為本申請實(shí)施例提供的陣列基板制作方法中多晶硅層、第一絕緣層和第一光阻層形成工藝的截面結(jié)構(gòu)示意圖，圖2B為本申請實(shí)施例提供的陣列基板制作方法中多晶硅層、第一絕緣層和第一光阻層形成工藝的平面結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例中，首先提供陣列基板中的襯底基板201，之后使用化學(xué)氣相沉積方法在襯底基板201的一側(cè)制備一層多晶硅層203、一層第一絕緣層204。第一絕緣層204設(shè)置在多晶硅層203遠(yuǎn)離襯底基板201的一側(cè)。然后在第一絕緣層204遠(yuǎn)離襯底基板201的一側(cè)涂布第一光阻層205。在平面結(jié)構(gòu)示意圖中，可以看出第一光阻層205覆蓋了多晶硅層203和第一絕緣層204。

請結(jié)合圖3A和3B，圖3A為本申請實(shí)施例提供的陣列基板制作方法中對第一光阻層曝光顯影工藝后的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3B為圖3A沿虛線m1和m1’截取的截面結(jié)構(gòu)組合示意圖。值得指出的是，為便于理解，本申請實(shí)施例中將各步驟制作工藝過程中的制作N型薄膜晶體管相關(guān)的截面結(jié)構(gòu)示意圖和制作P型薄膜晶體管相關(guān)的截面結(jié)構(gòu)示意圖組合在一張圖中來表示。

如圖3A所示，第一光阻層被曝光顯影后，第一光阻層中包括了用于形成P型薄膜晶體管有源區(qū)的第一圖形結(jié)構(gòu)2051和用于形成N型薄膜晶體管有源區(qū)的第二圖形結(jié)構(gòu)2052?？梢岳斫獾氖牵瑘D3A中只是示意性地示出了用于制作P型薄膜晶體管有源區(qū)的第一圖形結(jié)構(gòu)2051和用于制作N型薄膜晶體管有源區(qū)的第二圖形2052的形狀，并不代表第一光阻層中只包括上述兩個(gè)圖形。第一光阻層中可以形成有多個(gè)用于形成P型薄膜晶體管有源區(qū)的第一圖形結(jié)構(gòu)2051和多個(gè)用于形成N型薄膜晶體管有源區(qū)的第二圖形結(jié)構(gòu)2052，以及用于制作其他元器件的圖形結(jié)構(gòu)。另外，用于制作P型薄膜晶體管有源區(qū)的第一圖形結(jié)構(gòu)2051的形狀和用于制作N型薄膜晶體管有源區(qū)的第二圖形2052的形狀除了圖3A所示的“U”形形狀之外，還可以為例如“L”形等其他形狀。

如圖3B所示，在本實(shí)施例中，用于形成P型薄膜晶體管有源區(qū)的第一圖形結(jié)構(gòu)2051包括第一區(qū)域2053和第二區(qū)域2054。其中第一區(qū)域2053用于形成P形薄膜晶體管的溝道區(qū)。第二區(qū)域2054用于形成P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)。在本實(shí)施例中，第一區(qū)域2053具有第一厚度K1，第二區(qū)域2054具有第二厚度K2。第二圖形結(jié)構(gòu)2052各處的厚度相等，且第二圖形結(jié)構(gòu)2052各處具有第三厚度K3。其中，第一厚度K1可以大于第三厚度K3，第三厚度K3可以大于第二厚度K2。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，請參考圖3C，圖3C為本申請陣列基板制作方法中一些實(shí)施例提供的對圖3A所示第一光阻層曝光的截面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3C所示，可以使用預(yù)設(shè)半色調(diào)掩膜版21對上述第一光阻層205曝光來形成用于形成P型薄膜晶體管的第一圖形結(jié)構(gòu)2051和用于形成N型薄膜晶體管到的第二圖形結(jié)構(gòu)2052。

在一些應(yīng)用場景中，如圖3C所示，預(yù)設(shè)半色調(diào)掩膜版21可以包括第一部分透光區(qū)211、第二部分透光區(qū)213、不透光區(qū)212以及透光區(qū)214。第一部分透光區(qū)211向第一光阻層205的正投影與用于形成N型薄膜晶體管有源區(qū)的第二圖形結(jié)構(gòu)重合。第二部分透光區(qū)213向第一光阻層205的正投影與用于形成P型薄膜晶體管的第一圖形結(jié)構(gòu)中的第二區(qū)域2054重合。不透光區(qū)212向第一光阻層205的正投影與用于形成P型薄膜晶體管的第一圖形結(jié)構(gòu)中的第一區(qū)域2053重合。其中，第一部分透光區(qū)211的透過率可以低于第二部分透光區(qū)213的透光過率。具體地，第一部分透光區(qū)211的透過率與第二部分透光區(qū)213的透過率可以滿足如下關(guān)系：1:8<T1:T2<1:2；其中T1為第一部分透光區(qū)211的透過率，T2為第二部分透光區(qū)213的透過率。在本實(shí)施例中，可以使用紫外線22照射預(yù)設(shè)半色調(diào)掩膜版21對第一光阻層205進(jìn)行曝光，然后顯影曝光后的第一光阻層205以在第一光阻層205中形成圖3A和圖3B所示的用于形成P型薄膜晶體管的第一圖形結(jié)構(gòu)2051和用于形成N型薄膜晶體管的第二圖形結(jié)構(gòu)2052。

請結(jié)合圖4A和圖4B，圖4A為本申請實(shí)施例提供的陣列基板制作方法中對第一光阻層、第一絕緣層和多晶層進(jìn)行刻蝕后的平面結(jié)構(gòu)示意圖。圖4B為沿圖4A所示虛線m2和m2’截取的截面結(jié)構(gòu)組合示意圖。

如圖4A和4B所示，刻蝕后的多晶硅層中形成了P型薄膜晶體管有源區(qū)的圖形結(jié)構(gòu)2031以及N型薄膜晶體管有源區(qū)的圖形結(jié)構(gòu)2032。其中，N型薄膜晶體管有源區(qū)的圖形結(jié)構(gòu)2032之上被第一絕緣層204覆蓋。P型薄膜晶體管有源區(qū)2031的溝道區(qū)被第一絕緣層204以及組成第一圖形結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域的第一光阻層2053覆蓋，此時(shí)P型薄膜晶體管溝道區(qū)之上的第一光阻層2053相比未刻蝕前的位于P型薄膜晶體管溝道區(qū)之上的第一光阻層2053變薄。具體地對第一光阻層、第一絕緣層以及多晶硅層的刻蝕方法及刻蝕過程可以參考上述陣列基板制作方法流程圖中所闡述的刻蝕方法及刻蝕過程，此處不贅述。

請參考圖5，圖5為本申請實(shí)施例提供的陣列基板制作方法中對多晶硅層進(jìn)行第一離子摻雜的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

在本實(shí)施例中，對形成有P型薄膜晶體管有源區(qū)圖形結(jié)構(gòu)和N型薄膜晶體管有源區(qū)圖形結(jié)構(gòu)的多晶硅層進(jìn)行第一離子23注入。第一離子23例如可以為硼離子。由于P型薄膜晶體管的溝道區(qū)2034上方有覆蓋著第一絕緣層204及第一光阻層2053，在第一離子注入時(shí)，第一離子幾乎無法注入到P型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)2034中。由于P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)2033上方無任何阻礙，第一離子可以較容易地注入到P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)中。此外，由于N型薄膜晶體管有源區(qū)上方覆蓋著第一絕緣層204，部分第一離子可以穿透第一絕緣層204而注入到N型薄膜晶體管有源區(qū)2032中。且注入到N型薄膜晶體管有源區(qū)2032的第一離子的濃度低于注入到P型薄膜晶體管重?fù)诫s區(qū)的第一離子的濃度。這樣就完成了P型薄膜晶體管重?fù)诫s區(qū)2033的第一離子摻雜，以及N型薄膜晶體管有源區(qū)2032中的第一離子摻雜。這樣可以利用第一離子摻雜的N型薄膜晶體管有源區(qū)的一部分來制作N型薄膜晶體管的溝道區(qū)，也就是說不用再另外使用掩膜版進(jìn)行曝光顯影來完成N型薄膜晶體管溝道區(qū)的摻雜。這樣，在本實(shí)施例中，通過一次曝光顯影以及后續(xù)的刻蝕及摻雜工藝制作了N型薄膜晶體管有源區(qū)圖形結(jié)構(gòu)、P型薄膜晶體管有源區(qū)圖形結(jié)構(gòu)、形成摻雜的P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)以及摻雜的N型薄膜晶體管的溝道區(qū)。這樣，相對于分別形成薄膜晶體管有源區(qū)圖形結(jié)構(gòu)、形成摻雜的P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)、形成摻雜的N型薄膜晶體管的溝道區(qū)的各工序中均需使用一次相應(yīng)的掩膜版進(jìn)行曝光顯影，本實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法節(jié)省了使用掩膜版的次數(shù)，降低了工藝復(fù)雜度，節(jié)約了生產(chǎn)成本。

請結(jié)合圖6A和圖6B，圖6A為本申請陣列基板制作方法中一些實(shí)施例提供的第二離子注入工藝的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6B為沿圖6A所示虛線m3和m3’截取的截面結(jié)構(gòu)組合示意圖。

在上述形成了摻雜的P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)2033、摻雜的N型薄膜晶體管有源區(qū)2032之后，首先移除覆蓋在P型薄膜晶體管溝道區(qū)上的第一光阻層2053。然后在第一絕緣層204遠(yuǎn)離襯底基板201的一側(cè)形成一層第二光阻層206?？梢岳斫獾氖牵纬傻牡诙庾鑼?06包裹住露出的多晶硅層203、第一絕緣層204。接著使用另一具有預(yù)設(shè)形狀的掩膜版對第二光阻層206曝光，然后顯影曝光后的第二光阻層206，使得曝光顯影后的第二光阻層206覆蓋N型薄膜晶體管有源區(qū)的輕摻雜區(qū)(以下簡稱N型薄膜晶體管的輕摻雜區(qū))2037、N型薄膜晶體管的溝道區(qū)2036以及P型薄膜晶體管有源區(qū)2031。再對多晶硅層203進(jìn)行第二離子24注入。由于N型薄膜晶體管的輕摻雜區(qū)2037、N型薄膜晶體管的溝道區(qū)2036以及P型薄膜晶體管的有源區(qū)2031上覆蓋有第二光阻層206，第二離子不能穿透第二光阻層206，因此第二離子無法注入到N型薄膜晶體管的輕摻雜區(qū)2037、N型薄膜晶體管的溝道區(qū)2036以及P型薄膜晶體管的有源區(qū)2031中，只能注入到N型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)2035中。這樣就在多晶硅層203中形成了摻雜的N型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)2035。

在本實(shí)施例的一些可選實(shí)現(xiàn)方式中，如圖6B所示可以在襯底基板201一側(cè)形成多晶硅層203之前，還可以在襯底基板201一側(cè)形成遮光層。遮光層位于襯底基板201和多晶硅層203之間。具體地，遮光層中包括多個(gè)遮光結(jié)構(gòu)202，每一個(gè)遮光結(jié)構(gòu)202向多晶硅層203的正投影至少覆蓋一個(gè)P型薄膜晶體管的溝道區(qū)2034或者至少覆蓋一個(gè)N型薄膜晶體管的溝道區(qū)2036。需要注意的是，遮光層與多晶硅層203之間還設(shè)置有緩沖層，為了不混淆本申請的重點(diǎn)圖中并未標(biāo)出。

請結(jié)合圖7A和圖7B，圖7A為本申請陣列基板制作方法中一些實(shí)施例提供的形成P型薄膜晶體管柵極和N型薄膜晶體管柵極后的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7B為沿圖7A所示虛線m4和m4’截取的截面結(jié)構(gòu)組合示意圖。

在預(yù)先形成有遮光層的陣列基板上進(jìn)行第二離子注入后，移除第二光阻層。在第一絕緣層204之上形成第二絕緣層207，也即在第一絕緣層204遠(yuǎn)離襯底基板201的一側(cè)形成第二絕緣層207。第二絕緣層207覆蓋襯底基板201。在第二絕緣層207之上也即第二絕緣層207遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)形成第一金屬層。

對第一金屬層進(jìn)行圖形化處理，以使在經(jīng)過圖形化處理后的第一金屬層中形成P型薄膜晶體管的柵極2081以及N型薄膜晶體管的柵極2082。

其中P型薄膜晶體管的柵極2081覆蓋P型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)2034。N型薄膜晶體管的柵極2082覆蓋N型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)2036。N型薄膜晶體管的柵極2082未覆蓋N型薄膜晶體管的輕摻雜區(qū)2037。

請參考圖8，圖8為本申請陣列基板制作方法中一些實(shí)施例提供的第三離子注入工藝的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

在本實(shí)施例中，如圖8所示在形成P型薄膜晶體管的柵極2081和形成N型薄膜晶體管的柵極2082之后，進(jìn)行第三離子注入25。第三離子25可以注入到N型薄膜具體管有源區(qū)未被柵極2082保護(hù)的輕摻雜區(qū)2037、重?fù)诫s區(qū)2035。這樣就形成了摻雜的N型薄膜晶體管的輕摻雜區(qū)2037。值得注意的是，N型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)2035摻雜的離子濃度遠(yuǎn)大于第三離子25注入的離子濃度，因此，第三離子注入不會對N型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)2035造成影響。

請結(jié)合9A和圖9B，圖9A為本申請陣列基板制作方法中一些實(shí)施例提供的形成的過孔與N型薄膜晶體管有源區(qū)及P型薄膜晶體管有源區(qū)的相對位置關(guān)系示意圖。圖9B為沿圖9A所示虛線m5截取的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

在對N型薄膜晶體管進(jìn)行了第三離子摻雜之后，在第一金屬層遠(yuǎn)離第二絕緣層207的一側(cè)形成第三絕緣層209，形成的第三絕緣層209覆蓋襯底基板201。

對第三絕緣層209、第二絕緣層207和第一絕緣層204形成過孔26，露出部分N型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)2035、部分P型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)2033。

過孔26向多晶硅層所在平面的正投影覆蓋N型薄膜晶體管有源區(qū)2032的部分重?fù)诫s區(qū)2035和P型薄膜晶體管有源區(qū)2031的部分重?fù)诫s區(qū)2033。

請結(jié)合圖10A和圖10B，圖10A為本申請陣列基板制作方法中一些實(shí)施例提供的N型薄膜晶體管的源/漏電極與N型薄膜晶體管有源區(qū)、P型薄膜晶體管的源/漏電極與P型薄膜晶體管有源區(qū)的相對位置關(guān)系示意圖。圖10B為沿圖10A所示虛線m6和m6’截取的截面組合結(jié)構(gòu)示意圖。

從圖10A中可以看出N型薄膜晶體管的源/漏電極27向多晶硅層所在平面的正投影與N型薄膜晶體管有源區(qū)2032的重?fù)诫s區(qū)2035至少部分交疊。P型薄膜晶體管的源/漏電極28向多晶硅層所在平面的正投影與P型薄膜晶體管有源區(qū)2031的重?fù)诫s區(qū)2033至少部分交疊。

如圖10B所示，N型薄膜晶體管的源/漏電極27與P型薄膜晶體管的源/漏電極28設(shè)置在第三絕緣層209遠(yuǎn)離襯底基板201的一側(cè)，且N型薄膜晶體管的源/漏電極27通過過孔與N型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)2035連接。P型薄膜晶體管的源/漏電極28通過過孔與P型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)2033連接。具體地制作N型薄膜晶體管的源/漏電極27與P型薄膜晶體管的源/漏電極28的制作過程與制作方法可以參考本申請陣列基板制作方法流程圖部分的闡述，此處不贅述。

以上描述僅為本申請的較佳實(shí)施例以及對所運(yùn)用技術(shù)原理的說明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本申請中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時(shí)也應(yīng)涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術(shù)特征或其等同特征進(jìn)行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本申請中公開的(但不限于)具有類似功能的技術(shù)特征進(jìn)行互相替換而形成的技術(shù)方案。