1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，
提供一襯底基板；
在所述襯底基板一側(cè)形成多晶硅層；
在所述多晶硅層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成第一絕緣層；
在所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述多晶硅層的一側(cè)形成第一光阻層；
對(duì)所述第一光阻層曝光顯影，使得經(jīng)過(guò)曝光顯影后的第一光阻層具有用于形成P型薄膜晶體管有源區(qū)的第一圖形結(jié)構(gòu)和用于形成N型薄膜晶體管有源區(qū)的第二圖形結(jié)構(gòu)；其中，所述第一圖形結(jié)構(gòu)包括用于形成所述P型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)的第一區(qū)域和用于形成所述P型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)的第二區(qū)域；所述第一區(qū)域具有第一厚度，所述第二區(qū)域具有第二厚度；所述第二圖形結(jié)構(gòu)各處具有第三厚度；所述第一厚度大于所述第三厚度，且所述第三厚度大于所述第二厚度；
對(duì)所述第一光阻層、所述第一絕緣層和所述多晶硅層進(jìn)行刻蝕，使得刻蝕后的多晶硅層具有P型薄膜晶體管有源區(qū)結(jié)構(gòu)以及N型薄膜晶體管有源區(qū)結(jié)構(gòu)；刻蝕后的所述P型薄膜晶體管有源區(qū)包括重?fù)诫s區(qū)和溝道區(qū)；刻蝕后的第一光阻層向所述多晶硅層的正投影與所述P型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)重合；刻蝕后的所述第一絕緣層向所述多晶硅層的正投影與所述P型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)以及所述N型薄膜晶體管有源區(qū)重合；
對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行第一離子注入，使得第一離子注入后的多晶硅層包括摻雜的所述P型薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)和摻雜的N型薄膜晶體管的有源區(qū)；其中，
所述第二圖形結(jié)構(gòu)向所述多晶硅層的正投影與所述N型薄膜晶體管有源區(qū)重合，所述第一圖形結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和第二區(qū)域向多晶硅層的正投影分別與所述P型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)和重?fù)诫s區(qū)重合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述對(duì)所述第一光阻層曝光顯影，包括使用預(yù)設(shè)半色調(diào)掩膜版對(duì)所述第一光阻層曝光。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)半色調(diào)掩膜版包括第一部分透光區(qū)、第二部分透光區(qū)、不透光區(qū)以及透光區(qū)；
所述第一部分透光區(qū)向所述第一光阻層的正投影與所述第二圖形結(jié)構(gòu)重合；所述第二部分透光區(qū)向所述第一光阻層的正投影與所述第一圖形結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域重合；所述不透光區(qū)向所述第一光阻層的正投影與所述第一圖形結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域重合；
所述第一部分透光區(qū)的光透過(guò)率小于所述第二部分透光區(qū)的光透過(guò)率。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一部分透光區(qū)的光透過(guò)率與所述第二部分透光區(qū)的光透過(guò)率滿足如下關(guān)系：
1:8<T1:T2<1:2；其中
T1為所述第一部分透光區(qū)的光透過(guò)率，T2為所述第二部分透光區(qū)的光透過(guò)率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，
所述第一離子注入為硼離子注入，所述硼離子注入的工藝參數(shù)為：離子能量大于等于8Kev；注入離子單位面積數(shù)量大于等于4.5E14/cm2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述N型薄膜晶體管有源區(qū)包括重?fù)诫s區(qū)、輕摻雜區(qū)、溝道區(qū)；
在所述對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行第一離子注入之后，所述方法還包括：
在所述第一絕緣層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)形成第二光阻層，并對(duì)所述第二光阻層進(jìn)行曝光顯影，使得曝光顯影后的第二光阻層覆蓋所述N型薄膜晶體管有源區(qū)的輕摻雜區(qū)、所述N型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)以及P型薄膜晶體管的有源區(qū)；
對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行第二離子注入，以使第二離子注入后的多晶硅層中形成摻雜的所述N型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，
在所述襯底基板一側(cè)形成多晶硅層之前，所述方法還包括：
在所述襯底基板之上形成遮光層，所述遮光層包括多個(gè)遮光結(jié)構(gòu)，每一個(gè)所述遮光結(jié)構(gòu)向多晶硅層的正投影至少覆蓋一個(gè)P型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)或者至少覆蓋一個(gè)N型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)；
所述多晶硅層形成在所述遮光層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，
在所述對(duì)多晶硅層進(jìn)行第二離子注入之后，所述方法還包括：
移除所述第二光阻層；
在所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述襯底基板；
在所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成第一金屬層；
對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行圖形化處理，以使在經(jīng)過(guò)圖形化處理后的第一金屬層中形成N型薄膜晶體管的柵極，以及P型薄膜晶體管的柵極，其中，所述N型薄膜晶體管的柵極覆蓋所述N型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)，所述P型薄膜晶體管的柵極覆蓋所述P型薄膜晶體管有源區(qū)的溝道區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，
在對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行圖形化處理之后，所述方法還包括：
對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行第三離子注入，以形成摻雜的所述N型薄膜晶體管的輕摻雜區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，
在所述對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行第三離子注入之后，所述方法還包括：
在所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述第二絕緣層的一側(cè)形成第三絕緣層，形成的所述第三絕緣層覆蓋所述襯底基板；
對(duì)所述第三絕緣層及所述第二絕緣層形成過(guò)孔，露出部分所述N型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)、部分所述P型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在對(duì)所述第三絕緣層及所述第二絕緣層形成過(guò)孔之后，所述方法還包括：
在所述第三絕緣層遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一側(cè)形成第二金屬層，使得形成的第二金屬層通過(guò)所述過(guò)孔與所述N型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)以及所述P型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)電連接；
對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行圖形化處理，使得圖形化處理后的第二金屬層包括所述N型薄膜晶體管的源/漏電極與所述P型薄膜晶體管的源/漏電極；其中
所述N型薄膜晶體管的源/漏電極通過(guò)過(guò)孔與所述N型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)連接，所述P型薄膜晶體管的源/漏電極通過(guò)過(guò)孔與所述P型薄膜晶體管有源區(qū)的重?fù)诫s區(qū)連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，
所述第三離子注入和所述第二離子注入中所注入的離子均為磷離子；
所述第三離子注入所注入的磷離子的濃度低于所述第二離子注入所注入的磷離子的濃度。