1.一種QLED器件,其特征在于,包括第一電極、用于定義像素區(qū)域的隔離bank,設(shè)置在所述像素區(qū)域的光學(xué)層、以及覆蓋所述隔離bank和所述光學(xué)層的第二電極,其中,所述隔離bank中含有高熱導(dǎo)材料,所述高熱導(dǎo)材料的熱導(dǎo)率≥10WK-1m-1。
2.如權(quán)利要求1所述的QLED器件,其特征在于,所述高熱導(dǎo)材料包括氮化物、氧化物、鈣鈦礦結(jié)構(gòu)鐵電材料、碳單質(zhì)中的至少一種。
3.如權(quán)利要求2所述的QLED器件,其特征在于,所述氮化物包括氮化鋁、氮化硅;和/或
所述氧化物包括氧化鎂、氧化鋁、氧化鈹;和/或
所述碳單質(zhì)包括金剛石、石墨烯、碳納米管。
4.如權(quán)利要求1-3任一所述的QLED器件,其特征在于,所述隔離bank由兩層或兩層以上bank薄膜疊加形成,其中,所述bank薄膜中含有一種或一種以上的所述高熱導(dǎo)材料,且不同的所述bank薄膜中的高熱導(dǎo)材料相同或不同。
5.如權(quán)利要求1-3任一所述的QLED器件,其特征在于,所述隔離bank由高熱導(dǎo)材料和低熱導(dǎo)材料制成,所述低熱導(dǎo)材料的熱導(dǎo)率≤1WK-1m-1。
6.如權(quán)利要求5所述的QLED器件,其特征在于,以所述隔離bank的總重量為100%計(jì),所述高熱導(dǎo)材料的重量百分含量≤20%。
7.如權(quán)利要求6所述的QLED器件,其特征在于,所述高熱導(dǎo)材料包裹在所述低熱導(dǎo)材料表面,形成核殼結(jié)構(gòu)。
8.一種QLED器件的制備方法,包括以下步驟:
提供第一電極,在所述第一電極表面沉積bank材料層,其中,所述bank材料層含有高導(dǎo)熱材料,所述高熱導(dǎo)材料的熱導(dǎo)率≥10WK-1m-1;
將所述bank材料層依次進(jìn)行光刻、拋光、表面處理,得到用于定義像素區(qū)域的隔離bank;
在所述像素區(qū)域內(nèi)沉積光學(xué)層,在所述隔離bank和所述光學(xué)層表面覆蓋第二電極。
9.如權(quán)利要求8所述的QLED器件的制備方法,其特征在于,在所述第一電極表面沉積bank材料層的方法包括磁控濺射、化學(xué)氣相沉積、原子沉積、溶液旋涂、噴墨打印。
10.如權(quán)利要求8所述的QLED器件的制備方法,其特征在于,所述表面處理包括等離子體處理、化學(xué)處理。