技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種QLED器件，包括第一電極、用于定義像素區(qū)域的隔離bank，設(shè)置在所述像素區(qū)域的光學(xué)層、以及覆蓋所述隔離bank和所述光學(xué)層的第二電極，其中，所述隔離bank中含有高熱導(dǎo)材料，所述高熱導(dǎo)材料的熱導(dǎo)率≥10WK?1m?1。所述QLED器件的制備方法，包括以下步驟：提供第一電極，在所述第一電極表面沉積bank材料層，其中，所述bank材料層含有高導(dǎo)熱材料，所述高熱導(dǎo)材料的熱導(dǎo)率≥10WK?1m?1；將所述bank材料層依次進行光刻、拋光、表面處理，得到用于定義像素區(qū)域的隔離bank；在所述像素區(qū)域內(nèi)沉積光學(xué)層，在所述隔離bank和所述光學(xué)層表面覆蓋第二電極。

技術(shù)研發(fā)人員：陳崧;錢磊;楊一行;曹蔚然;向超宇
受保護的技術(shù)使用者：TCL集團股份有限公司
文檔號碼：201710127899
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.06
技術(shù)公布日：2017.06.20