本發(fā)明涉及集成電路(ic)封裝體領(lǐng)域，并且更加具體地涉及對ic封裝體進行電屏蔽。

背景技術(shù)：

在無線通信裝置中通常需要將某些集成電路(ic)封裝體與電磁干擾(emi)隔離開來以便維持適當?shù)难b置性能。電磁干擾可能從環(huán)境中接收、或者可能被傳遞至環(huán)境。

一種用于屏蔽ic封裝體以免于電磁干擾的方式是用通常被稱為罐的接地金屬包殼來覆蓋該ic封裝體。然而，這種方式可能是昂貴的并且缺少設(shè)計靈活性。此外，該金屬罐增加了重量并且顯著增大了該ic封裝體的占用面積的尺寸。

另一種方式是使用在真空室中將導(dǎo)電層沉積在ic封裝體的上表面上的物理氣相沉積(pvd)工藝。濺射是一種類型的pvd，其涉及在真空室中將來自作為來源的靶材的材料噴射到襯底(例如ic封裝體)上。然而，這種方式是昂貴的并且難以控制涂層的厚度。因此，需要以相對直接的方式來電屏蔽ic封裝體。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

一種用于制造多個集成電路(ic)封裝體的方法，該方法包括：提供多個間隔開的ic裸片，該多個ic裸片由襯底承載并且由共用包封材料覆蓋，以及在相鄰ic裸片之間切穿該共用包封材料，從而限定由該襯底承載的多個間隔開的ic封裝體。在相鄰ic裸片之間切割包封材料之后，襯底可以被曝露。

導(dǎo)電聚合物層可以被定位在該多個間隔開的ic封裝體之上并且在所述相鄰ic封裝體之間空間之上，其中，該導(dǎo)電聚合物層是由膜承載的固體材料。可以向該導(dǎo)電聚合物層施加壓力和熱量，使得該固體材料轉(zhuǎn)變成軟材料，從而在該多個間隔開的ic封裝體之上流動并且對相鄰ic封裝體之間空間進行填充。

該導(dǎo)電聚合物層可以從該軟材料冷卻回為提供導(dǎo)電層的該固體材料。然后可以將膜從該導(dǎo)電層移除。該方法進一步包括在相鄰ic封裝體之間并且穿過該襯底來切穿該導(dǎo)電層，從而形成該多個屏蔽ic封裝體。該導(dǎo)電層可以在每個ic封裝體的上表面和側(cè)壁上。

該導(dǎo)電聚合物層可以包括非導(dǎo)電聚合物，該非導(dǎo)電聚合物具有混合在其中的導(dǎo)電填料。該非導(dǎo)電聚合物可以是熱固性的。

導(dǎo)電層的厚度可以例如在5微米至15微米的范圍內(nèi)。使用導(dǎo)電聚合物層有利地允許對導(dǎo)電層的厚度進行控制，從而提供均勻的厚度。使用導(dǎo)電聚合物層還有利地以相對直接的方式來提供屏蔽ic封裝體。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于制造多個屏蔽集成電路(ic)封裝體的流程圖。

圖2是由襯底承載并且由共用包封材料覆蓋的多個間隔開的ic裸片的橫截面視圖。

圖3是在相鄰ic裸片之間切割共用包封材料以限定間隔開的ic封裝體之后圖2中所展示的間隔開的ic裸片、襯底和共用的包封材料的橫截面視圖。

圖4是被定位在圖3中所展示的間隔開的ic封裝體之上并在相鄰ic裸片之間的空間之上的導(dǎo)電聚合物層的橫截面視圖。

圖5是圖4中所展示的導(dǎo)電聚合物層的橫截面視圖，其中，施加壓力和熱量以在間隔開的ic封裝體之上提供導(dǎo)電層并且對相鄰ic封裝體之間空間進行填充。

圖6是在圖5中所展示的相鄰ic封裝體之間切穿導(dǎo)電層之后的在圖5中所展示的屏蔽ic封裝體的橫截面視圖。

圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的用于制造多個屏蔽集成電路(ic)封裝體的流程圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將參照附圖在下文中更為全面地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實施例。然而，本發(fā)明可以用許多不同的形式來體現(xiàn)，并且不應(yīng)當被解釋為限于在此所列出的實施例。相反，提供了這些實施例從而使得本披露將是全面和完整的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員完全傳達本發(fā)明的范圍。貫穿全文相同的數(shù)字指代相同的元件。

現(xiàn)在將參照圖1中的流程圖100和圖2至圖6中的工藝步驟對一種用于制造多個屏蔽集成電路(ic)封裝體24的方法進行討論。從框102開始，在框104處并且如在圖2中所展示的那樣提供由襯底30承載并由共用包封材料50覆蓋的多個間隔開的ic裸片40。

每個ic裸片40通過粘合層32被緊固至襯底30。每個ic裸片40可以通過例如使用接線鍵合來電耦合至襯底30。替代性地，可以使用倒裝芯片。

該方法進一步包括：在框106處，在相鄰ic裸片40之間切穿共用包封材料50，從而限定由襯底30承載的多個間隔開的ic封裝體22，如在圖3中所展示的。間隙60現(xiàn)在處于相鄰ic封裝體22之間。在相鄰ic裸片40之間切割包封材料50之后，襯底30被曝露。

在框108處并如在圖4中所展示的，在該多個間隔開的ic封裝體22之上并在間隔開的ic封裝體22之間的空間60之上定位導(dǎo)電聚合物層70。導(dǎo)電聚合物層70是由膜72承載的固體材料。

導(dǎo)電聚合物層70包括非導(dǎo)電聚合物，該非導(dǎo)電聚合物具有混合在其中的導(dǎo)電填料。該非導(dǎo)電聚合物是熱固性的。導(dǎo)電填料例如可以包括鋁、銅、鉻、錫、金、銀、鎳或其任意組合。雖然如此，但導(dǎo)電填料不限于這些金屬材料。

在框110處，同時向?qū)щ娋酆衔飳?0施加壓力和熱量。壓力和熱量使得為固體材料的導(dǎo)電聚合物層70轉(zhuǎn)變成軟材料，從而在該多個間隔開的ic封裝體22之上流動并且對相鄰ic封裝體之間的空間60進行填充。軟材料是可以擴散通過小的交點和界面的凝膠狀的材料。

被施加至導(dǎo)電聚合物層70的熱量例如在100℃至150℃的范圍內(nèi)。被施加至導(dǎo)電聚合物層70的壓力例如在200kpa至400kpa的范圍內(nèi)。

在框112處，使導(dǎo)電聚合物層70從軟材料冷卻回為固體材料。例如，可以冷卻至室溫或更低。這提供了在該多個ic封裝體22之上的導(dǎo)電層80以及在相鄰ic封裝體之間的空間60。然后在框114處，將膜72移除或與導(dǎo)電層80分離。因此襯底30曝露在相鄰ic封裝體之間，這允許導(dǎo)電層80接地。

該方法進一步包括，在框116處，在相鄰ic封裝體22之間并且穿過襯底30來切穿導(dǎo)電層80，從而形成該多個屏蔽ic封裝體24。如在圖6中最佳展示的，導(dǎo)電層80在每個ic封裝體22的上表面和側(cè)壁上。

導(dǎo)電層80的厚度可以例如在5微米至15微米的范圍內(nèi)。使用導(dǎo)電聚合物層70有利地允許對導(dǎo)電層80的厚度進行控制，從而提供均勻的厚度。使用導(dǎo)電聚合物層70還有利地以相對直接的方式來提供屏蔽ic封裝體24。

作為一個選項，如果這些ic封裝體22的側(cè)面無需屏蔽，則不執(zhí)行在相鄰ic裸片40之間切穿共用包封材料50的步驟?，F(xiàn)在直接參照圖7中展示的流程圖200。從開始(框202)，該方法包括：在框204處，提供由襯底30承載并由共用包封材料50覆蓋的多個間隔開的ic裸片40。

在框206處，在該共用包封材料50之上定位導(dǎo)電聚合物層70，其中，該導(dǎo)電聚合物層是由膜72承載的固體材料。在框208處，向?qū)щ娋酆衔飳?0施加壓力和熱量，使得固體材料轉(zhuǎn)變成軟材料，從而在共用包封材料50之上流動。

在框210處，使導(dǎo)電聚合物層70從軟材料冷卻回為固體材料。在框212處，使膜72與導(dǎo)電層70分離。該方法進一步包括：在框214處，在相鄰ic裸片40之間、穿過共用包封材料50并且穿過襯底30來切穿導(dǎo)電層70，從而形成該多個屏蔽ic封裝體。該方法在框216處結(jié)束。

本發(fā)明的許多修改和其他實施例對于受益于前面的描述和相關(guān)附圖中呈現(xiàn)的教導(dǎo)的本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將是顯而易見的。因此，應(yīng)當理解本發(fā)明不限于所披露的具體實施例，并且那些修改及實施例旨在被包括于所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。