技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及用于制造具有導(dǎo)電聚合物層的屏蔽集成電路封裝體的方法。該方法包括：提供多個(gè)間隔開的IC裸片，這些IC裸片由襯底承載并且由共用包封材料覆蓋，以及在相鄰IC裸片之間切穿該共用包封材料，從而限定由該襯底承載的多個(gè)間隔開的IC封裝體。導(dǎo)電層被定位在這些間隔開的IC封裝體之上并且對(duì)相鄰IC封裝體之間的空間進(jìn)行填充。該方法進(jìn)一步包括在相鄰IC封裝體之間并且穿過該襯底來切穿該導(dǎo)電層，從而形成這些屏蔽IC封裝體。

技術(shù)研發(fā)人員：R·羅德里奎茲;F·阿雷拉諾;A·M·阿谷唐
受保護(hù)的技術(shù)使用者：意法半導(dǎo)體公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.10
技術(shù)公布日：2017.10.20